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公开(公告)号：KR1020060064466A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050042422
申请日：2005-05-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/0675 , G02B6/29361 , H01S5/18366 , H01S5/18397
Abstract: 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론-
公开(公告)号：KR100541913B1
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020030028186
申请日：2003-05-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/028 , H01S5/06258 , H01S5/1209 , H01S5/125 , H01S5/2205 , H01S5/227
Abstract: 본 발명은 SG-DFB(Sampled Grating Distrituted Feedback) 구조부와 SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 구조부를 함께 집적하여 파장가변이 가능하도록 구성된 반도체 레이저에 관한 것으로, SG-DFB 구조부의 위상 제어 영역과 SG-DBR 구조부에 인가되는 전류에 따라서 굴절률을 변화시켜, 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 파장을 갖도록 구현할 수 있다. 이러한 파장가변 반도체 레이저는 비교적 간단한 구조로 구성되어 제작 및 대량 생산에 유리하고, 광대역 파장 가변이 가능하면서 출력 광효율이 우수한 효과가 있다.
파장가변 반도체 레이저, DFB, DBR, SG-DBR, SG-DFB, Laser Diode, Semiconductor Laser Diode-
公开(公告)号：KR1020050065897A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097057
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0425
Abstract: 본 발명은 공간적으로 코히어런트한 광이 통과하는 광 도파로와, 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이와, 변화된 광의 특정 파장을 선택하는 파장선택 광요소부를 포함하는 코히어런트 튜닝 장치를 제공한다. 이와 같은 구성을 통하여, 광통신 디바이스들에 대해 넓은 파장 밴드에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하게 되는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100489809B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030020673
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: 본 발명은 페브리 페롯(Fabri-Perot)필터와 전극 어레이를 포함하여 구성된 파장가변형 반도체레이저에 관한 것으로, 전극들에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 캐비티 내부에 광신호의 진행방향을 연속적으로 변화시킬 수 있으며, 인트라 캐비티 레이저 빔의 연속적인 각 변화에 의하여 넓은 파장대역에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하도록 한다.
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公开(公告)号：KR100420951B1
公开(公告)日：2004-03-02
申请号：KR1020020020903
申请日：2002-04-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G02F1/3558 , G02B6/29394 , G02F2201/02
Abstract: A method of fabricating a poled fiber and a dispersion compensator. The method including patterning to cover an etching-resistant material on the body portions of the cladding and on one end or both ends of the optical fiber excluding the portions to be grooved in the longitudinal direction, etching the bare portions of the cladding excluding the portions covered with the etching-resistant material, evaporating electrodes on the etched portions and applying a voltage to the electrodes, and inducing periodic poling generating optical phenomenon of the second-order nonlinearity to the optical fiber through the patterned electrodes. The compensator including a periodic poled fiber to generate a phase conjugate wave of a difference frequency between a pump light and a signal light received from a fiber coupler, and a filter to pass the phase conjugate wave coming out from the periodic poled fiber.
Abstract translation: 一种制造极化光纤和色散补偿器的方法。 该方法包括构图以覆盖包层主体部分上的抗蚀刻材料，并且在光纤的一端或两端除了在纵向方向上要被开槽的部分之外，腐蚀包层的裸露部分，除了部分 用耐蚀刻材料覆盖，在蚀刻部分上蒸发电极并向电极施加电压，并且通过图案化电极向光纤引起产生二阶非线性光学现象的周期性极化。 该补偿器包括周期性极化光纤以产生泵浦光和从光纤耦合器接收的信号光之间的差频的相位共轭波，以及使来自周期性极化光纤的相位共轭波通过的滤波器。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020140078184A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：KR1020120147249
申请日：2012-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12011 , G02B6/02004 , G02B6/036 , G02B6/125 , G02B6/2804
Abstract: The present invention relates to a waveguide structure and an arrayed-waveguide grating including the same. The waveguide structure includes a lower clad; a core pattern having etched side walls and disposed on the lower clad; a beam restricting pattern covering the top surface of the core pattern; and an upper clad covering the core pattern to which the beam restricting pattern is provided. The beam restricting pattern can be formed from a material having a refractive index larger than that of the upper clad and lower than that of the core pattern, and may have a smaller line width than the core pattern.
Abstract translation: 本发明涉及一种波导结构和包括该波导结构的阵列波导光栅。 波导结构包括下包层; 具有蚀刻侧壁并设置在下包层上的芯图案; 覆盖芯图案的顶表面的光束限制图案; 以及覆盖所述光束限制图案的芯图案的上部包层。 束限制图案可以由折射率大于上部包层的折射率的材料形成，并且低于芯图案的折射率，并且可以具有比芯图案更小的线宽。
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公开(公告)号：KR1020140039584A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120105914
申请日：2012-09-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/34 , G02B6/12007 , G02B6/29326 , G02B6/29328 , G02B2006/12107
Abstract: An optical filter of the present invention includes a slab waveguide disposed on a substrate; an input gate and an output gate spaced apart from each other in the slab waveguide; and an echelle filter disposed in the slab waveguide, wherein the echelle filter has curvature, extends in a first direction and has saw toothed gratings on one surface thereof. Light inputted through the input gate is totally reflected in the echelle filter by one reflecting process.
Abstract translation: 本发明的滤光器包括：设置在基板上的平板波导; 在平板波导中彼此间隔开的输入门和输出门; 以及设置在平板波导中的梯形过滤器，其中所述梯形过滤器具有曲率，在第一方向上延伸并且在其一个表面上具有锯齿状光栅。 通过输入门输入的光通过一个反射过程被完全反映在电梯过滤器中。
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公开(公告)号：KR1020130069145A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136716
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/136 , G02B6/122 , G02B2006/12038 , G02B2006/12173 , G02B2006/12176
Abstract: PURPOSE: A method for forming an optical waveguide on a silicon wafer is provided to form an optical waveguide directly on a silicon wafer, thereby enabling manufacturing of an optical communication chip on the same wafer with a CPU or a memory chip and thus remarkably reducing manufacturing costs. CONSTITUTION: A method comprises the steps of: forming a top insulation pattern(3a) on a substrate(1); forming a protrusion part(1a) by etching the substrate; forming a side insulation pattern(5a) which covers the side of the protrusion part; forming a core pattern(1c) which is surrounded with the top, the side, and a lower insulation patterns by forming the lower insulation pattern(5a) through thermal oxidation; and removing the top and side insulation patterns.
Abstract translation: 目的：提供一种在硅晶片上形成光波导的方法，以直接在硅晶片上形成光波导，从而能够利用CPU或存储芯片在同一晶圆上制造光通信芯片，从而显着降低制造 成本。 构成：一种方法包括以下步骤：在衬底（1）上形成顶部绝缘图案（3a）; 通过蚀刻所述基板形成突出部分（1a）; 形成覆盖所述突出部的一侧的侧绝缘图案（5a） 通过热氧化形成下绝缘图案（5a），形成由顶部，侧面和下部绝缘图案包围的芯图案（1c）; 并去除顶部和侧面绝缘图案。
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公开(公告)号：KR1020130069143A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136714
申请日：2011-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P7/08
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B2006/12061
Abstract: PURPOSE: A structure of a ring resonator having silicon and a silicon nitride film waveguide is provided to form a space between linear waveguides and ring waveguides and a space between the ring waveguides with over 300nm, thereby simplifying manufacturing processes using a simple lithographic process. CONSTITUTION: A ring resonator(100) includes first and second waveguides(110,120) and a channel part. The first and the second waveguides are mutually separated on a substrate. The channel part includes ring waveguides(150) aligned in a row between the first and the second waveguides. The first and the second waveguides and the ring waveguides are formed with silicon. The width of the ring waveguide is 0.7 to 1.5 micrometers, and the height of the ring waveguide is 150 to 300nm. A distance between the first and the second waveguides and the ring waveguide closest to the first and the second waveguides is 250nm to 1mm.
Abstract translation: 目的：提供具有硅和氮化硅膜波导的环形谐振器的结构，以在线性波导和环形波导之间形成空间，并且在超过300nm的环形波导之间形成空间，从而简化了使用简单光刻工艺的制造工艺。 构成：环形谐振器（100）包括第一和第二波导（110,120）和通道部分。 第一和第二波导在基板上相互分离。 通道部分包括在第一和第二波导之间成对排列的环形波导（150）。 第一和第二波导和环形波导由硅形成。 环形波导的宽度为0.7〜1.5微米，环形波导的高度为150〜300nm。 第一和第二波导与最靠近第一和第二波导的环形波导之间的距离为250nm至1mm。
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