Abstract:
본 발명은 각 영역에 회절격자를 포함하는 두 개의 DFB 영역과 위상 변조 영역으로 구성된 다중 영역 DFB 레이저 소자를 이용하는 테라헤르츠파 발생 방법에 관한 것이다. 기판 상에 하부 도파로, 상기 하부 도파로 상부에 활성층 및 상기 활성층 상부에 상부 도파로를 포함하는 제1 DFB 영역에 제1 회절 격자를 형성하는 단계, 상기 기판 상에 형성된 상기 하부 도파로, 상기 활성층 및 상기 상부 도파로를 포함하며 상기 제1 DFB영역과 이격 거리에 위치된 제2 DFB 영역에 제2 회절 격자를 형성하는 단계, 상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB영역과 상기 제2 회절 격자가 형성된 제2 DFB영역 사이에 위상 변조 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB 영역에 제1 전류를 공급하고, 상기 제2 회절 결자가 형성된 제2 DFB 영역에 제2 전류를 공급하여 상기 제1 DFB 영역 및 상기 제2 DFB 영역에서 제1 발진파 및 제2 발진파를 발생시키는 단계, 상기 위상 변조 영역에 위상 조정 전류를 공급하여 상기 제1 발진파 및 제2 발진파의 위상을 조정하는 단계 및 상기 위상이 조정된 제1 발진파 및 제2 발진파를 포토믹싱하는 단계를 포함하되, 상기 제1 발진파 및 제2 발진파의 브래그 파장 차이에 비례하여 상기 제1 발진파의 발진파장은 감소하고 상기 제2 발진파의 발진파장은 증가하는 것을 특징으로 하는 테라 헤르츠파를 발생하는 방법을 제공할 수 있다. 전술한 바와 같은 방법으로 생성되는 테라헤르츠파는 , 각각 회절격자의 주 기 차이를 변화시킴으로써 다중 영역 DFB 레이저에서 방출하는 두 모드의 주파수 차이를 매우 낮은 주파수에서 THz 영역까지 변화시킬 수 있다. 다중 영역 DFB LD, 테라헤르츠파 생성, 회절격자
Abstract:
A wavelength converter having a phase controller is provided to improve a manufacturing yield of an optical element by enhancing a destructive interference performance of the optical element. A wavelength converter includes a light splitter(103), first and second SOAs(105A,105B), phase controllers(107A,107B), and a photocoupler(111). The light splitter splits an input optical signal. The first and second SOAs magnify and shift the phase of respective optical signals from the light splitter, and output the optical signals. The phase controllers shift the phase of the optical signal from the first and second SOAs(Semiconductor Optical Amplifiers) according to an applied current and includes a pair of metal pads and a micro heater. The metal pad receives the applied current. The micro heater changes a refractive index of the wavelength converter according to the current applied through the metal pad. The photocoupler couples the phase-shifted optical signals with each other and outputs the coupled optical signal.
Abstract:
본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드에 관한 것으로, 본 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물은, InP 기판과, 상기 InP기판 상에 적층되며, InAlGaAs층 및 상기 InAlGaAs층보다 낮은 굴절률을 갖는 InAlAs층으로 이루어진 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층과, 상기 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층 사이에 주기적으로 형성된 상기 InAlGaAs층 및 InP층으로 이루어진 InAlGaAs/InP DBR층을 포함한다. 이에 따라, DBR 구조물의 표면 상태를 개선하여 결함이 없는 양질의 박막을 유지하고, 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한, 표면 상태가 개선된 양질의 DBR 구조물을 사용하여 DBR의 반사율을 향상시킴으로써, 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 자체의 특성을 향상시킬 수 있다. 분산 브래그 반사경(DBR: distributed Bragg reflector), 장파장 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드
Abstract:
A multiple section DFB(Distributed FeedBack) laser device, a manufacturing method thereof, and a method for generating tera hertz waves are provided to vary a frequency difference of two modes discharged from a multiple section DFB laser device, from a low frequency to a tera hertz frequency by varying a periodic difference of a complex-coupled diffraction grating. A multiple section DFB laser device includes an active layer(110), a first DFB section, a second DFB section, and a phase modulation section. The active layer(110) is formed on an upper part of a substrate(101). The first DFB section is formed on one region of an upper part and a lower part of the active layer(110), and has a plurality of first diffraction gratings. The second DFB section is formed to be spaced apart from the first DFB section, and has a plurality of second diffraction gratings which are formed on one region of the lower part and the upper part of the active layer(110). The phase modulation section is formed between the first DFB section and the second DFB section. The first and second DFB sections have a waveguide(102) which is formed on the substrate(101), a first SCH(Separate Confinement Hetero) layer(109a) which is formed on the waveguide(102) of the lower part of the active layer(110), and a second SCH layer(109b) which is formed on the active layer(110).
Abstract:
A DBR(Distributed Bragg Reflector) in a vertical cavity surface emitting laser diode and a manufacturing method thereof and a vertical cavity surface emitting laser diode are provided to improve a surface state of the DBR by reducing a laminating thickness of an InAlAs layer, thereby improving a reflection factor. A DBR in a vertical cavity surface emitting laser diode(300) includes an InP substrate(310). A plurality of InAlGaAs/InAlAs DBR layers are laminated on the InP substrate(310) and composed of an InAlGaAs layer(321,341) and an InAlAs layer(322,342) having a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(321,341). An InAlGaAs/InP DBR layer composed of the InAlGaAs layer(321,341) and an InP layer(343) is inserted whenever a predetermined number of InAlGaAs/InAlAs DBR layers are laminated.
Abstract:
본 발명은 반도체 기반의 포물선 도파로 형태의 평행광 렌즈와 이를 포함한 단일 집적형 파장 가변 외부 공진 레이저 다이오드 광원에 관한 것으로, 광신호의 이득이 발생하는 이득매질, 반도체기반의 포물선 도파로 형태의 평행광 렌즈, slab 도파로, 그리고 전기적 또는 열적으로 굴절률의 제어가 가능하여 회절격자로 입사되는 빔의 방향을 변화시키는 광 편향기와 회절격자로 구성된 파장 가변 외부 공진 레이저 다이오드 광원에 관한 것으로, 이들을 화합물 반도체 단일 물질계 또는 실리카(SiO 2 ), 폴리머, 리튬나이오베이트(LiNbO 3 )로 단일 집적이 가능하다. 부가적으로, 하이브리드 형태로 화합물 반도체 또는 희토류(Rare-earth)가 도핑된 실리카(SiO 2 ), 희토류(Rare-earth)가 도핑된 폴리머, 희토류(Rare-earth)가 도핑된 리튬나이오베이트(LiNbO 3 ) 이득매질과 포물선 도파로 형태의 평행광 렌즈와 실리카(SiO 2 ), 폴리머, 리튬나이오베이트(LiNbO 3 )를 이용한 광 편향기와 회절격자 구조로 구현한 파장 가변 외부 공진 레이저 다이오드 광원을 구현하는 구도 및 제작 방법에 관한 것이다. 포물선 도파로형 평행광 렌즈,파장 가변 광원, 외부 공진기, Littman-Metcalf, Littrow, 슬래브 도파로, 광 편향기
Abstract:
A wavelength tunable light source device integrated with an optical amplifier, a beam steering unit and a concave diffraction grating is provided to remove additional optical components or optical alignment by integrating optical components of a bulk type structure. An optical amplifier(102) amplifies a beam. A beam steering unit(104) moves a path of the beam outputted through the optical amplifier by an electric signal. A concave diffraction grating(106) diffracts and reflects the beam incident from the beam steering unit to have a specific wavelength according to the beam angle. The beam generated in the optical amplifier changes the beam path as the electric signal is applied to the beam steering unit and then is incident on the concave diffraction grating, and the beam having the specific wavelength by the concave diffraction grating is fed back to the optical amplifier, and the wavelength of the beam is tuned by the beam steering unit.
Abstract:
본 발명은 도파로형 광 검출기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 형성되는 제1 클래드층과, 상기 제1 클래드층 상에 형성되어 소정의 빛을 흡수하기 위한 코어층과, 상기 코어층 상에 형성되는 제2 클래드층과, 상기 기판과 상기 제1 클래드층의 사이 및 상기 코어층과 상기 제2 클래드층의 사이에 삽입되는 적어도 하나의 보조층을 포함함으로써, 광섬유나 평판 광도파로(PLC)의 도파 모드와 광 검출기의 도파 모드를 비슷한 크기로 만들 수 있어 입사된 빛을 손실 없이 받아들일 수 있으며, 광섬유나 평판 광도파로(PLC)와의 결합효율을 더욱 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 높은 파워에서도 동작할 수 있는 효과가 있다. 도파로형 광 검출기, 광 다이오드, 광섬유, 결합효율, 보조층, 코어층, 클래드층
Abstract:
본 발명은 광 전송시스템에서 넓은 전류영역에 걸쳐 균일한 광펄스가 발생되게 하여 안정화 및 신뢰성의 향상을 도모할 수 있는 초고주파 펄스 광원소자로서, 2가지의 분포궤환형 레이저 다이오드 사이로 위상조절영역을 배치시켜 다중영역 분포궤환형 레이저 다이오드를 원 칩상 상으로 구현한 것으로서, 제1 DFB영역과 제2 DFB영역으로 전류를 인가하면서 위상조절영역의 전극으로 인가되는 전류를 조절하는 것에 의해, 발생되는 다중복합 공진 모드중에서 비슷한 임계전류를 갖는 복합 공진 모드 간에 자기 모드 잠김 현상이 발생되게 하여 안정된 수십 GHz 대의 안정된 광 펄스를 얻음에 따라 폭 넓은 전류영역에서 균일한 광펄스가 발생되도록 한 것이다.
Abstract:
본 발명은 확산 현상을 이용한 수직 테이퍼 형성방법에 관한 것으로, 기판 상부에 도파로 하부 주변층, 도파로 중심층, 도파로 상부 주변층 및 선택적 식각층을 순차적으로 형성하는 단계, 선택적 식각층의 상부에 긴 띠 형태의 식각 마스크를 형성하는 단계, 선택적 식각 용액을 이용하여 선택적 식각층을 식각 마스크 안쪽으로 일정 부분 식각하여 모세 평판을 형성하는 단계 및 확산속도지배 식각 용액을 이용하여 상기 도파로 상부 주변층을 일정 부분 식각하는 단계를 포함한다. 따라서, 모세평판 구조를 이용한 식각으로 수직 테이퍼를 만들기 때문에 도파로 간의 간격에 어떤 제한이 없어 광소자의 집적도를 높일 수 있는 효과가 있다.