Abstract:
본 발명은 차세대(~5세대) 초고속 무선 인터넷 서비스를 위한 밀리미터파 무선 가입자 통신 시스템의 기지국에서 무선 가입자에게 전송되는 밀리미터파의 발진 주파수 신호원으로 사용될 수 있는 밀리미터파 대역 주파수 광 발진기에 관한 것으로, 루프 거울의 입/출력포트에 각각 광섬유 증폭기 및 광섬유 격자 거울을 병렬로 연결하여 각각의 파장에 적합한 레이저 모드 두 개가 동시에 발진할 수 있는 이중 모드 레이저 공진기를 형성함으로써, 두 개의 레이저 모드 사이의 맥놀이 현상에 의해 초고주파(60㎓ 이상)로 변조되는 광원을 얻을 수 있다. 광 발진기, 루프 거울, 광증폭 광섬유, 광섬유 격자 거울, 이중 모드
Abstract:
The present invention relates to a laser radar system and a method for obtaining target images. The present invention comprises a light source, a light deflector, and a photo-detector. The light source radiates laser beams. The light deflector is positioned between the light source and a target. The light deflector enables the laser beams to be radiated in other positions of the target as time passes. The photo-detector detects the laser beams reflected from the target according to the radiation of the light deflector. The light deflector comprises a receiving light detection surface having a diameter (D_DA) which satisfies a formula (Sqrt(2) x P_RBS + 2 x D_RBS
Abstract:
PURPOSE: A dynamic range 3D image system is provided to obtain a dynamic range higher than the range when a 3D image is obtained. CONSTITUTION: An HDR(High Dynamic Range) generating module(440) generates a signal which shows the saturation degree of the pixel signal based on pixel signals detected by a pixel detecting module. The HDR generating module couples the pixel signals. The HDR generating module obtains a dynamic range image. A gain control signal generating module(430) outputs an output signal based on the size of a signal which shows the saturation degree of the pixel signal. The output signal is for supplying a voltage necessary for a gain control terminal of an optical detector.
Abstract:
A photo detector array in which a readout IC is integrated for a laser image signal and a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process by excluding a hybrid packaging process of a separate flip chip. A plurality of optical detection pixels(210) includes a photo diode and a first heterojunction bipolar transistor. The photo diode converts incident light energy into electrical energy. The first heterojunction bipolar transistor selectively converts the electrical energy of the photo diode into electrical signals. An output control circuit(220) includes a second heterojunction bipolar transistor which controls an output of the electrical signals transmitted from a plurality of optical detection pixels. The photo diode, the first heterojunction bipolar transistor, and the second heterojunction bipolar transistor are formed into a single chip integration type on a semi-insulation InP substrate.
Abstract:
본 발명은 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 결정 성장법을 이용하여 도파로형 광검출기의 광흡수층 두께를 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터층 두께보다 두껍게 성장함과 아울러 반절연 InP 기판 상부에 도파로형 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 단일 칩으로 집적화함으로써, 광전변환 효율이 높고 초고속 특성을 갖는 도파로형 광검출기를 간단하게 구현할 수 있도록 한 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것이다.