公开(公告)号：KR100057505B1

公开(公告)日：1992-12-21

申请号：KR1019890019572

申请日：1989-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박기성 ,  김상배 ,  오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L29/73

公开(公告)号：KR100079715B1

公开(公告)日：1994-11-25

申请号：KR1019910002959

申请日：1991-02-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유지범 ,  김정수 ,  박찬용 ,  이용탁

IPC: H01L21/02

公开(公告)号：KR100079328B1

公开(公告)日：1994-11-16

申请号：KR1019910016480

申请日：1991-09-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  이용탁

IPC: H01L31/00

公开(公告)号：KR100076632B1

公开(公告)日：1994-08-24

申请号：KR1019910024772

申请日：1991-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성호 ,  강진영 ,  이용탁

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：KR1019940001501B1

公开(公告)日：1994-02-23

申请号：KR1019910002545

申请日：1991-02-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유지범 ,  박효훈 ,  이용탁

IPC: H01L21/02

Abstract: The method for bonding same or different semiconductors comprises the steps of: (a) growing a protection layer on a first and a second semiconductor; (b) depositing a positive ion type metal thin film of a bonding chemical semiconductor on the protection layer of the first semiconductor, but a negative one on the protection layer of the second one; (c) placing the second semiconductor upside down over the first semiconductor; and (d) heating the laminated semiconductor at which the temperature is higher than the positive ion type metal thin film, but lower than the negative one so that the chemical semiconductor is formed by the reaction between the solid state having negative ion and the liquid state having positive ion.

Abstract translation: 用于接合相同或不同半导体的方法包括以下步骤：（a）在第一和第二半导体上生长保护层; （b）在第一半导体的保护层上沉积接合化学半导体的正离子型金属薄膜，而在第二半导电体的保护层上沉积负极离子型金属薄膜; （c）将所述第二半导体倒置在所述第一半导体上; 和（d）加热温度高于正离子型金属薄膜但低于负极的层压半导体，使得通过具有负离子的固态与液体状态之间的反应形成化学半导体 具有正离子。

公开(公告)号：KR1019940003064A

公开(公告)日：1994-02-19

申请号：KR1019920006117

申请日：1992-07-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종람 ,  김도진 ,  맹성재 ,  윤광준 ,  강진영 ,  이용탁

IPC: H01L29/00

Abstract: 본 발명은 갈륨비소(GaAs)화합물 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 초고주파 특성 및 트랜지스터의 동작특성을 향상시키기 위해 게이트-소오스, 게이트-드래인 사이의 공기중에 노출된 전자 채널층인 표면부위에 유황보호막을 형성시킨, 갈륨비소 화합물 반도체 장치에 관한 것이다.
공기중에 노출되는 전자 채널층을 갖는 화합물 반도체 장치에 있어서, 상기 전자채널층 상에 유황막(110)을 형성한 다음, 이 유황막(110) 상에 보호막(104)이 형성된 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019930024233A

公开(公告)日：1993-12-22

申请号：KR1019920008887

申请日：1992-05-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진희 ,  이정희 ,  이용탁

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 활성층의 열처리 공정에서 급속열처리 방법을 사용하고, 고립층을 이단계 식각방법으로 형성하도록 한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 안정한 활성층을 성장하는 단계와, 불순물원을 안정하게 제조하여 확산하는 단계와, 이들 불순물을 급속열처리 방법에 의하여 정방형이고 급격한 P활성층을 제조하는 단계와, P, N고립층을 이단계 식각방법으로 단차회복성이 좋아지도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019930014772A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910024772

申请日：1991-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성호 ,  강진영 ,  이용탁

IPC: H01L21/20

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019930011314A

公开(公告)日：1993-06-24

申请号：KR1019910021083

申请日：1991-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L27/06

Abstract: 본 발명은 PIN형 광검출기와 전치 증폭단용 접합형 전계효과 트랜지스터를 단일칩으로 집적시킨 수신용 광전집적 소자 및 그 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성한 광전집적 소자에 있어서, 소정 깊이까지 식각된 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3), 흡수층(4) 이 메사형으로 형성된 광검출기와, 식각되지 않은 상기 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3) 및 P형 InP층(5)을 순차 형성되고 아울러 이 P형 InP층(5)위에 흡수층(4)이 역매사형으로 형성된 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019930006988A

公开(公告)日：1993-04-22

申请号：KR1019910016480

申请日：1991-09-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  이용탁

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 제조방법이 간단하고 고속광통신용으로 사용가능한 평면형 PIN 포토다이오드(PIN photodiode)의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 n-InP 기판(31)상에 광흡수층(32) 및 n-InP층(33)을 순차로 성장시킨 화합물 반도체에 Zn 혹은 Cd와 같은 p-형 불순물을 수고아부(제3도의 A)와 전극전선 부착부(제3도의 B)에 동시에 확산하여 pn-접합구조를 형성하고, 실리콘 질화물(silicon nitride)등으로 무반사막(36)을 형성한 다음 반도체와 전극을 분리하고 이어서 p-면 전극을 형성하는 방법이다.
활성형역에 pn-접합구조를 형성하기 위해 p-형 불순물의 주입시 본딩패드의 아래 부분에도 동시에 pn 접합을 형성함으로서 커패시턴스(capacitance)를 감소시키기 때문에 동작속도가 빠르며 패키징(packaging)이 용이하다.