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公开(公告)号：KR1019940016950A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920023351
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 화합물 불순물의 분자선 에피성장(Molecular Beam Epitaxy : MBE), MESA 식각과 선택식각(Selective Etch)에 기초를 둔 이종접합 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transitor : HBT) 등의 이종접합 소자의 제조방법에 관한 것으로서 반절연 GaAs 기판(8)상에 통상의 이종접합 트랜지스터를 형성하기 위해 GaAs 부콜렉터층(7), GaAs 콜렉터층(6), GaAs 베이스층(5) AlGaAs 에미터층(4) 및 GaAs 오믹접촉층(3)을 순차 형성하는 공정과, 상기 GaAs 오믹접촉층(3)상에 AlAs 선택식각층(2)과 GaAs 보호층(1)을 순차 형성하는 공정과, 에미터 영역을 정의하기 위해, 습식메사 식각방법을 이용하여 상기 GaAs 보호층(1), AlAs 선택식각층(2), GaAs 오믹접촉층(3) 및 AlGaAs 에미터층(4)을 식각하여 역메사 구조를 갖는 공정과, 상기 노출된 AlGaAs 에미터층(4) 상에 베이스 오믹접촉층(9)을 형성하는 공정 , 상기 역메사 구조의 GaAs 보호층(1)과 AlAs 선택식각층(2)을 제거한 다음 실리콘 산화막(10)을 도포하는 공정과, 상기 GaAs 부콜렉터층(7)의 일부가 노출되도록 그 위에 적층된 층들을 식각하여 제거하는 공정과, 상기 노출된 부콜렉터층(7)과 상기 역메사 구조의 GaAs 오믹접촉층(3)상에 에미터/콜렉터 오믹접촉 금속층(11)을 형성하는 공정과, 상기 베이스 오믹접촉층(9)상에 베이스 오믹접촉 금속층(12)을 형성하는 공정 및, 상기 기판상에 모두 실리콘 질화막(13)을 피복하되, 상기 오믹접촉 금속층(11), (12)상에 금속층(14)을 형성하는 공정을 포함하는 것이다.
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公开(公告)号：KR100298205B1
公开(公告)日：2001-08-07
申请号：KR1019980018328
申请日：1998-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: PURPOSE: A high integrated LED device of three colors and a method for fabricating the same are provided to improve a resolution by forming an LED for emitting a red color, a green color, and a blue color with a single chip. CONSTITUTION: A three-color LED device is formed on a wiring substrate(50) by contacting a metal bump(51) with a multitude of ohmic metal layer(35). The LED device and the wiring substrate(50) are aligned by using an optical microscope. An allowable margin of error is controlled within 2 micro meters. The metal bump(51) and the ohmic contact layers(35) are adhered to each other by using a ultrasonic wave method, a thermo-compression method, and a thermo-sonic method. A red LED, A green LED, a blue LED, and a transparent substrate(10) are located on the wiring substrate(50).
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100279737B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019970070316
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출소자와 광소자로 구성된 단파장 및 그의 제작방법에 관한 것으로서, 광전소자 기판상에 초격자 완충층, 광도파층, 양자우물층, 브레그 회절 초격자층을 차례로 증착하고, 상기 기판의 이면상에 1차 절연막, 1차 금속막, 2차 절연막, 2차 금속막을 차례로 적층하고, 상기 2차 금속막상에 마스크 패턴을 형성한 후 노출된 2차 금속막으로부터 기판을 차례로 식각하여 상기 기판의 상표면상에 형성된 초격자 완충층의 표면을 노출시키는 비아홀을 형성하며, 상기 비아홀의 저면에 광반사막을 형성하고, 상기 기판의 상표면상의 브레그 회절 초격자층, 양자우물층, 광도파층을 메사구조를 가지도록 식각하고, 그 표면상에 양전극 금속막을 증착하여 광소자를 제조한 후 전계방출 소자 기판상에 절연막, 1차 금속막, 절연막, 2차 금속막, 고전압 절연막 및 3차 금속막을 차례로 적층하고, 상기 1차 내지 3차 금속막과 절연막을 감광막 패턴을 이용하여 상부로부터 차례로 식각하여 상기 기판의 표면을 노출시키는 개구를 형성하는 것에 의해 기판상에 그리드 금속, 1차 가속 전극 및 1차 집속전극을 형성하며, 상기 노출된 기판상에 음극용 탈침을 형성하는 것에 의해 전계방출 소자 어레이를 제조하고, 상기 광소자와 전계방출 소자 어레이를 지지기둥을 이용하여 소정의 간격으로 유지시켜 합착함으로써, 반도체를 pn 접합을 만들기 위한 불순물도핑이 필요치 않으며, 고에너지의 전자는 하나 이상의 전자-정공쌍을 발생시키게 되므로 매우 높은 효율을 낼 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR100270319B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019970064079
申请日：1997-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B23/066
Abstract: PURPOSE: An evaporation crucible for an epitaxial apparatus is provided to minimize the contamination of the apparatus and the time required to recover the state. CONSTITUTION: A gate valve is installed between an entrance flange and an adapter flange of a vacuum chamber, and maintains the vacuum in the vacuum chamber by being isolated from the external, and is opened/closed to introduce vacuum into the vacuum chamber. An introduction tube comprises a heater providing heat to evaporize a growth material and a supporter supporting the heater. And, a crucible flange(23) is combined with a bottom flange of an adapter by being installed to one end of the introduction tube. And, a fringe tube(25) is extended and shrunken to separate the introduction tube from the vacuum chamber by removing a local vacuum as maintaining the vacuum of the vacuum chamber.
Abstract translation: 目的：提供用于外延装置的蒸发坩埚，以最小化装置的污染和恢复状态所需的时间。 构成：闸阀安装在真空室的入口法兰和适配器法兰之间，通过与外部隔离而将真空保持在真空室中，并打开/关闭以将真空引入真空室。 引入管包括提供热量以蒸发生长材料的加热器和支撑加热器的支撑件。 并且，坩埚凸缘（23）通过安装在导入管的一端与适配器的底部凸缘组合。 并且，通过在保持真空室的真空的情况下去除局部真空，使边缘管（25）伸长和缩小以将引入管与真空室分离。
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公开(公告)号：KR1019990085730A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980018328
申请日：1998-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 SiC, AlN, GaN, ZnSe InGaAlP, GaAsP, AlGaAs와 같은 고상의 화합물 반도체를 이용하여 폭넓게 에너지밴드갭 (wide energy band gap; WBG)을 조절함으로써, 적색, 녹색, 청색 세 종류의 빛을 발하는 이종접합구조의 세 가지 발광소자를 단일칩에 수직으로 집적시켜, 광의 삼원색을 동일한 위치에서 동시에 복합적으로 발광시킬 수 있는 집적형 발광소자 제공하고, 집적화된 금속배선을 통하여 각 발광소자의 활성층에 전자와 정공쌍을 집중시키는 동시에 그들의 에너지 준위를 조절하여 방출되는 광자의 에너지를 조절하고 재결합 효율을 높이기 위한 것으로, 기판 상에 형성된 제1 클래드층, 제1 활성층 및 제2 클래드층으로 이루어진 적색 발광소자, 상기 제2 클래드층 상에 형성된 투명절연막, 상기 투명절연막 상에 형성된 제3 클래드층, 제2 활성층 및 제4 클래드� �으로 이루어진 녹색 발광소자 및 상기 제4 클래드층 상에 형성된 제5 클래드층, 제3 활성층 및 제6 클래드층으로 이루어진 청색 발광소자를 포함하여 이루어진다. 상기 청색, 녹색 및 적색 발광소자는 공통의 출력부로 광을 발하며, 상기 제4 클래드층 및 제5 클래드층은 단일층으로 이루어지기도 한다. 본 발명에 따라 기존의 전광판에 이용되는 세 개의 발광소자를 단일 삼색 발광소자로 대체할 수 있으며, CRT, PDP, LCD 등의 기술보다 해상도를 2배 이상으로 높일 수 있고, 전극을 포함하는 두께를 매우 얇게 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100231704B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019960054819
申请日：1996-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 마이크로 웨이브 반도체 장치중 증가형 모드와 공핍형 모드 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(E-MESFET 및 D-MESFET) 제조용 기판 구조 및 제조 방법에 관한 것으로, 항복전압의 향상을 위하여 표면층에 도핑되지 않은 갈륨비소 캡층과 기판 성장시 활성층 사이에 원하는 깊이로 얇은 식각 멈춤층을 삽입하고, 식각 공정에서 채널층과 식각 멈춤층을 선택적으로 식각함으로써 공정 재현성과 특성 균일도 및 생산 수율 향상 효과를 얻을 수 있으며, 이 기판을 이용하여 E-MESFET와 D-MESFET를 제작하고 T-형 게이트를 형성하여 잡음 특성 등 마이크로웨이브 특성이 우수한 E-MESFET와 D-MESFET를 동일 기판 위에 간단한 방법으로 동시에 제작할 수 있어 공정 개선 및 원가 절감에 기여할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR100205065B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950053652
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/318
Abstract: 본 발명은 초음파를 가하여 균일한 질소 래디칼을 얻기 위한 질화갈륨 박막 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 질화갈륨 박막 제조방법에 있어서, 높은 마이너스 전압을 가할 수 있는 원추형 챔버를 형성하는 제1과정과, 필라멘트에 의한 프라즈마를 형성하는 제2과정과, 자체 구조에 의해 프라즈마를 추출하는 제3과정 및 상기 제3과정과 동시에 기판에 초음파를 가하는 제4과정을 포함하여 균일도를 높이며 질화물 반도체 박막의 질을 향상시키는 데에 있으므로, 본 발명은 질화갈륨 박막 성장 중 기판에 가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수를 증가시킬 수 있어 결정 성장 중 성장 압력을 충분히 낮춘 상태에서 성장 박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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