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公开(公告)号：KR1020030038072A
公开(公告)日：2003-05-16
申请号：KR1020010069489
申请日：2001-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18344 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434
Abstract: PURPOSE: A VCSEL(Vertical-Cavity Surface Emitting Laser) for long wavelength having a current caliber of an oxide layer is provided to minimize the loss of the current and the charges by using the InAlAs oxide layer for restraining the InAlAs current path layer. CONSTITUTION: An n-type lower mirror layer(120) and an active layer(130) are sequentially formed on an n-type InP substrate(110). The n-type lower mirror layer(120) satisfies a Bragg reflection condition. A current path layer(142) and a current limit layer(144) are formed on a part of the active layer(130). The current path layer(142) is surrounded by the current limit layer(144). A p-type internal resonance contact layer(150) is formed on the current path layer(142) and the current limit layer(144). An upper mirror layer(160) is formed on a part of the p-type internal resonance contact layer(150). A p-type electrode(170) is formed on the p-type internal resonance contact layer(150) and the upper mirror layer(160). An n-type electrode(180) is formed on a part of a back side of the n-type InP substrate(110).
Abstract translation: 目的：提供具有电流口径为氧化物层的长波长VCSEL（垂直腔表面发射激光器），以通过使用InAlAs氧化物层来抑制InAlAs电流通路层来最小化电流损耗和电荷。 构成：在n型InP衬底（110）上依次形成n型下镜层（120）和有源层（130）。 n型下镜层（120）满足布拉格反射条件。 在有源层（130）的一部分上形成电流通路层（142）和限流层（144）。 电流通路层142由电流极限层144包围。 在电流通路层（142）和限流层（144）上形成p型内部共振接触层（150）。 在p型内部共振接触层（150）的一部分上形成上镜层（160）。 p型电极（170）形成在p型内部共振接触层（150）和上镜层（160）上。 n型电极（180）形成在n型InP衬底（110）的背侧的一部分上。
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公开(公告)号：KR102216864B1
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：KR1020170162241
申请日：2017-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
Abstract: 본발명은단일모드분포궤환레이저다이오드를개시한다. 그의다이오드는제 1 및제 2 분포영역들과, 상기제 1 및제 2 분포영역들사이의위상천이영역을갖는기판과, 상기기판상에배치된하부클래드층과, 상기제 1 분포영역및 상기제 2 분포영역상의상기하부클래드층 내에각각배치된제 1 및제 2 브래그회절격자들과, 상기하부클래드층 상에배치되고, 상기제 1 분포영역에서상기제 2 분포영역까지연장하는도파로와, 상기도파로상에배치된상부클래드층과, 상기상부클래드층 상에배치된적어도하나의전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170100078A
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020160021640
申请日：2016-02-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/046 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0749 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 본발명의실시예들에따른태양전지는, 기판상의후면전극, 상기후면전극상의, 갈륨(Ga)과인(In)을포함하는제 1 광흡수층, 상기제 1 광흡수층상의제 1 버퍼층, 상기제 1 버퍼층상의제 1 윈도우층, 상기제 1 윈도우층상의, 갈륨(Ga)을포함하는제 2 광흡수층, 상기제 2 흡수층상의제 2 버퍼층및 상기제 2 버퍼층상의제 2 윈도우층을포함하되, 상기제 1 광흡수층의 (Ga)/(Ga+In)의조성비는상기제 2 광흡수층의그것보다작다.
Abstract translation: 根据本发明，背电极，光吸收层上的第一缓冲层的实施例中的太阳能电池，在基板上，其包括在背电极上的镓（Ga）过磷酸钙（In）的所述第一光吸收层，其特征在于 第一窗口层，所述第一缓冲层上的第一窗口的层，包括在所述第二缓冲层和第二光吸收层上的第二缓冲层上的第二窗口层，包括镓（Ga）的第二吸收层，该 第一光吸收层的（Ga）/（Ga + In）的组成比小于第二光吸收层的组成比。
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公开(公告)号：KR1020160024347A
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020150074208
申请日：2015-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C16/30
Abstract: 세라믹코팅층의제조방법은 ZnS렌즈상에아연(Zn) 및제1 분자구조의황(S)을제공하고, 아연(Zn)과제1 분자구조의황(S)을가열하는것을포함하고, 제1 분자구조의황(S)을제공하는것은황(S)을포함하는칼코겐소스를증발시켜서제2 분자구조의황(S)을형성하고, 제2 분자구조의황(S)을분해하여서제2 분자구조보다더 적은황(S) 원자들을포함하는분자구조인제1 분자구조의황(S)을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 制造陶瓷涂层的方法包括在ZnS透镜上提供第一分子结构的锌（Zn）和硫（S）的步骤，以及加热第一分子结构中的锌（Zn）和硫（S）的步骤 分子结构。 提供第一分子结构的硫（S）的步骤包括通过蒸发包括硫（S）的硫族化物源和形成硫（S）的步骤，形成第二分子结构的硫（S）的步骤， 通过溶解第二分子结构的硫（S），包括比第二分子结构少的硫（S）原子的第一分子结构。 本发明的目的是提供在低温下形成陶瓷涂层的方法。
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公开(公告)号：KR101361656B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020100086644
申请日：2010-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 한원석
Abstract: 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 발광 소자는 제 2 P형층의 폭이 제 2 N형층보다 좁음으로써, 터널 정션을 형성하면서 제 2 P형층만으로 전류 제한층의 기능을 함으로써, 전류제한층 형성으로 인한 소자의 저항 증가를 줄이고 고속 동작에 유리하다. 이 발광 소자에서 제 2 P형층과 제 2 N형층이 타입 II 밴드 정렬을 가지는 박막으로 형성되어 터널 정션이 형성되므로 불순물 첨가량을 줄일 수 있어 터널 다이오드의 형성을 용이하게 할 수 있다. 이 발광소자는 제 2 P형층의 측면과 제 2 N형층의 하부면을 덮는 표면 보호막을 더 포함하므로써, 소자 내부에서 빛의 산란 또는 표면 재결합으로 인한 전자가 식각면에서 포획되는 것을 막을 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130121292A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020120044349
申请日：2012-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/32 , G02B6/1228 , G02B6/30 , G02B6/42
Abstract: The present invention relates to a planar wave-guide element and comprises; a first cylindrical lens which is arranged with a z-shaft as the center and collimates beams outputted from multiple emitters of a laser diode bar; a lens array which collects the beams outputted from the each emitter passing through the first cylindrical lens; multiple first wave-guides which exist on an x-y plane as the number of the emitters and are collected to one portion after passing through a bending section; a taper which connects the each first wave-guide to the lens by being narrowed towards a first wave-guide direction; a wave-guide which combines the multiple first wave-guides into one.
Abstract translation: 平面波导元件技术领域本发明涉及一种平面波导元件，包括： 第一柱面透镜，其以z轴为中心布置，并准直从激光二极管条的多个发射极输出的光束; 收集通过第一柱面透镜的每个发射体输出的光束的透镜阵列; 多个第一波导，其存在于x-y平面上作为发射体的数量并且在通过弯曲部分之后被收集到一个部分; 通过朝向第一波导方向变窄而将每个第一波导连接到透镜的锥形; 将多个第一波导组合在一起的波导。
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公开(公告)号：KR1020120047162A
公开(公告)日：2012-05-11
申请号：KR1020100108880
申请日：2010-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/02168 , H01L31/03923 , H01L31/068 , Y02E10/541 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A thin film solar cell using single junction CIGS(Cu(In,Ga)Se2) and a manufacturing method thereof are provided to preventing a surface and an interface due to the use of a buffer layer from being contaminated by providing a solar cell having a single-junction light absorption layer by using a P CIGS layer and a N CIGS layer. CONSTITUTION: A back electrode(2) is located on a substrate(1). A light absorption layer(3) is located on the back electrode. The light absorption layer is formed by bonding a P CIGS(Cu(In,Ga)Se2)(31) layer and a N CIGS(32) layer. A reflection barrier layer(4) is located on the light absorption layer. A grid electrode(5) is located on a side of the reflection barrier layer. A window layer(6) is located between the light absorption layer and the reflection barrier layer.
Abstract translation: 目的：提供使用单结CIGS（Cu（In，Ga）Se2）的薄膜太阳能电池及其制造方法，以防止由于使用缓冲层而导致的表面和界面被提供太阳能电池 具有通过使用P CIGS层和N CIGS层的单结光吸收层。 构成：背面电极（2）位于基板（1）上。 光吸收层（3）位于背面电极上。 光吸收层通过键合P CIGS（Cu（In，Ga）Se2）（31）层和N CIGS（32）层而形成。 反射阻挡层（4）位于光吸收层上。 栅电极（5）位于反射阻挡层的一侧。 窗口层（6）位于光吸收层和反射阻挡层之间。
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公开(公告)号：KR1020120024049A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：KR1020100086644
申请日：2010-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 한원석
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/10 , H01L33/38
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to arrange a surface protection film which covers the lower surface of a second N-type layer and a side surface of a second P-type layer, thereby preventing electron capture on an etching surface due to surface recombination. CONSTITUTION: An active layer(103) is arranged on a first N-type layer(101). A first P-type layer(105) is arranged on the active layer. A second P-type layer(106) is arranged on the first P-type layer. A second N-type layer(107) is arranged on the second P-type layer. An N-type space layer(108) is arranged on the second N-type layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，用于布置覆盖第二N型层的下表面和第二P型层的侧表面的表面保护膜，从而防止蚀刻时的电子俘获 表面由于表面复合。 构成：在第一N型层（101）上布置有源层（103）。 第一P型层（105）布置在有源层上。 第二P型层（106）设置在第一P型层上。 第二N型层（107）布置在第二P型层上。 N型空间层（108）布置在第二N型层上。
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公开(公告)号：KR1020090035355A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070100597
申请日：2007-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/0547 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: A high efficiency solar cell and method for the same is provided to improve contact resistance of an ohmic electrode by forming the ohmic to be inclined less than 45 degrees. An inclined side is formed by using dry or the wet etching in forming an ohmic layer(450) which is formed on the inclined side by less than 45 degrees. An incident light(L) which is projected to the side of the top ohmic electrode is reflected at the ohmic electrode by over 45 degrees. The incident is projected inside the solar cell through an anti-reflection layer(480). The contact width of contacting ohmic layer is larger than that of the rectangle ohmic electrode, so high efficiency of a photoelectric conversion rate is obtained.
Abstract translation: 提供了一种高效率太阳能电池及其方法，以通过形成小于45度的欧姆度来提高欧姆电极的接触电阻。 通过使用干法或湿式蚀刻形成在斜面上形成小于45度的欧姆层（450）形成倾斜面。 投射到顶部欧姆电极一侧的入射光（L）在欧姆电极处反射超过45度。 事件通过防反射层投射在太阳能电池内（480）。 接触欧姆层的接触宽度大于矩形欧姆电极的接触宽度，因此获得了高效率的光电转换率。
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公开(公告)号：KR1020060067190A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040105704
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/18316 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/18369 , H01S5/18375 , H01S5/18377
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자 중 표면방출 레이저 제작방법에 관한 것으로 화합물 반도체 기판 위에 거울층과 활성층으로 구성된 에피 구조를 유전체 거울층과 결합하고, 이를 다시 새로운 기판 위에 금속접합 방법으로 결합한 후 기존 기판을 제거한 후 새로운 기판 위에서 표면방출 레이저를 제작하는 방법에 관한 기술을 개시한다. 이러한 기술은 표면방출 레이저를 구성하는 상부 거울 및 하부 거울과 활성층에 전기적, 광학적 영향없이 표면방출 레이저 구조를 외부적인 금속접합 방법으로 새로운 기판에 옮겨 붙여 제작하는 방법으로, 기존의 표면방출 레이저의 제작방법을 이용하면서 열적 특성이 우수한 새로운 기판으로 옮겨 제작함으로써 우수한 열 방출 특성을 얻게 하여, 궁극적으로 제작이 용이하면서 신뢰성이 높으며, 우수한 특성의 표면방출 레이저 제작을 가능하게 한다.
표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, VCSELs), 금속접합(metallic bonding), 화합물 반도체(compound semiconductor), 유전체 거울층(dielectric mirror), 반도체 거울층(semiconductor Distributed Brag reflector, DBR), 습식선택 식각, 건식선택 식각
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