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公开(公告)号：KR1020010048135A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990052687
申请日：1999-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A reactive ion etching method of a compound semiconductor is provided to reduce optical loss by forming a smooth etching surface, and to improve productivity in manufacturing an optical device by having etch rate which is not too slow. CONSTITUTION: Photoresist or silicon nitride is formed as an etching mask on a multilayered thin film of a compound semiconductor. The multilayered thin film of the compound semiconductor is etched in mixture gas plasma of BCl3, Cl2, CH4 and H2 by a reactive ion etching(RIE) method.
Abstract translation: 目的：提供化合物半导体的反应离子蚀刻方法，通过形成平滑的蚀刻表面来减少光学损耗，并且通过具有不太慢的蚀刻速率来提高制造光学器件的生产率。 构成：在化合物半导体的多层薄膜上形成光刻胶或氮化硅作为蚀刻掩模。 通过反应离子蚀刻（RIE）方法在BCl 3，Cl 2，CH 4和H 2的混合气体等离子体中蚀刻化合物半导体的多层薄膜。
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公开(公告)号：KR1020010048104A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990052644
申请日：1999-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A long wavelength surface emission type of laser and a method for manufacturing the same are provided to form an air layer having same effect as an oxide layer using a wet etching method without using the oxide layer in forming a current confinement aperture. CONSTITUTION: In a long wavelength surface emission type of laser and a method for manufacturing the same, the long wavelength surface emission type of laser has an under mirror layer(6) formed on a substrate, an air post patterned resonate layer formed on the under mirror layer and an upper mirror layer(20). The under stage part of the upper mirror layer near the resonate layer has the air layer having a desired depth at the side wall of the upper mirror layer.
Abstract translation: 目的：提供长波长表面发射型激光器及其制造方法，以在不形成电流限制孔径的情况下使用湿式蚀刻方法形成具有与氧化物层相同效果的空气层。 构成：在长波长表面发射型激光器及其制造方法中，长波长表面发射型激光器具有形成于基底上的下镜面层（6），形成在下侧的空气柱图案化谐振层 镜层和上镜层（20）。 在谐振层附近的上镜层的下段部分具有在上镜层的侧壁具有期望深度的空气层。
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公开(公告)号：KR1020150129207A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：KR1020140055348
申请日：2014-05-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/041
Abstract: 터치스크린패널이제공된다. 터치스크린패널은기판, 상기기판상에배치된굴절률이 1.6 내지 2.1인실리콘산화물로이루어진제 1 버퍼층, 상기제 1 버퍼층상에배치된굴절률이 1.3 내지 1.6인실리콘산화물로이루어진제 2 버퍼층, 및상기제 2 버퍼층상에배치된투명전극층을포함한다.
Abstract translation: 提供触摸屏面板。 触摸屏面板包括：基板; 第一缓冲层，其设置在所述基板上，由折射率为1.6〜2.1的氧化硅制成; 第二缓冲层，设置在第一缓冲层上，由折射率为1.3〜1.6的氧化硅制成; 以及设置在第二缓冲层上的透明电极层。
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公开(公告)号：KR101385108B1
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：KR1020090126196
申请日：2009-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/3534 , G02F2203/13 , G02F2203/70 , H01S5/0092 , H01S5/02248 , H01S5/06216 , H01S5/50
Abstract: 본 발명은 테라헤르츠파를 생성 및 검출하기 위한 포토믹서 모듈에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 포토믹서 모듈은, 입사되는 레이저광을 증폭시키는 반도체 광증폭기; 그리고 상기 증폭된 레이저광에 여기되어 연속 테라헤르츠파를 생성하는 포토믹서를 포함하되, 상기 반도체 광증폭기와 상기 포토믹서는 단일 모듈로 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020130007966A
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020120060929
申请日：2012-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F3/041
Abstract: PURPOSE: A touch screen panel is provided to simplify a manufacturing process and reduce manufacturing costs by manufacturing the touch screen panel without an inter-layer insulating film between an x-axis electrode and a y-axis electrode. CONSTITUTION: A first hybrid electrode(20) includes first electrode cells arranged in a first direction, and first connection electrodes connecting the first electrode cells in the first direction. A second hybrid electrode(30) includes second electrode cells separated from the first hybrid electrode, arranged in a second direction crossing the first direction, and placed between the first connection electrodes, and second connection electrodes connecting the second electrode cells in the second direction. The first hybrid electrode includes a first lower transparent film(21) and a first metal film(23), both of which are successively laminated.
Abstract translation: 目的：提供触摸屏面板，以简化制造过程，并且通过制造触摸屏面板而在x轴电极和y轴电极之间没有层间绝缘膜来降低制造成本。 构成：第一混合电极（20）包括沿第一方向布置的第一电极单元和在第一方向上连接第一电极单元的第一连接电极。 第二混合电极（30）包括与第一混合电极分离的第二电极单元，沿与第一方向交叉的第二方向布置，并且放置在第一连接电极和第二连接电极之间，第二连接电极沿第二方向连接第二电极单元。 第一混合电极包括第一下透明膜（21）和第一金属膜（23），它们都被依次层压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100072534A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080130965
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0623 , H01S5/1215 , H01S2302/02
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser device is provided to diversify the output characteristic itself of laser by controlling the refractive index or the reflectivity through the injection. CONSTITUTION: A gain area(101) provides the production of the lights of the plural wavelength and gain. A first reflective area(102) reflects the light of the first wave length in response to a first selection signal among the lights of the wave length to the gain area. A second reflective area(104) reflects the light of the second wave length in response to the second selective signal among the lights of the wave length to the gain area. A phase adjustment area(103) is located in the first reflective region and the second between reflective regions. The phase adjustment area transfers the optical phase of the second wavelength in response to the phase adjust signal.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体激光器件，通过控制折射率或通过注射的反射率来使激光的输出特性本身多样化。 构成：增益区（101）提供多波长和增益的光的产生。 第一反射区域（102）响应于波长的光中的第一选择信号而将第一波长的光反射到增益区域。 第二反射区域（104）响应于波长的光中的第二选择信号而将第二波长的光反射到增益区域。 相位调整区域（103）位于第一反射区域中，第二区域位于反射区域之间。 相位调整区域响应于相位调整信号传送第二波长的光学相位。
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公开(公告)号：KR100927590B1
公开(公告)日：2009-11-23
申请号：KR1020070043802
申请日：2007-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B5/26 , G01N21/7743 , G02F2201/307
Abstract: 종래의 바이오 센서에 이용되던 공진 반사광 필터는 그레이팅 층에 접하는 기판과 그 기판의 반대편에 위치하는 시료 사이의 굴절률 차이가 컸기 때문에 공진 스펙트럼의 모양이 비대칭이었을 뿐만 아니라 매우 넓었다. 따라서 신호대 잡음비가 작아 감도에 한계가 있었다. 본 발명의 공진 반사광 필터는 그레이팅 층에 접하는 기판으로서 굴절률이 낮은 물질을 이용함으로써 높은 대칭성과 샤프한 형태를 갖는 공진 스펙트럼을 얻을 수 있다. 이를 통해 감도를 개선할 수 있을 뿐만 아니라 좁은 선폭을 요구하는 광학계에 다양하게 응용될 수 있다.
공진 반사광 필터, 바이오 센서, 굴절률, 회절 격자, 그레이팅Abstract translation: 提供了一种谐振反射式滤波器，其包括衬底和光栅层，其中衬底由具有比形成光栅层的材料的折射率低的折射率的材料形成。 因此，谐振反射滤波器可以形成具有良好对称性和尖锐形状的谐振频谱。 因此，谐振反射式滤波器可以具有改进的灵敏度并且可以应用于需要小线宽的光学系统。
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公开(公告)号：KR100670803B1
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020040109297
申请日：2004-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7839 , G11C11/56
Abstract: 쇼키 장벽 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(SB-MOSFET)의 양극 전도성을 이용한 소자 및 소자 동작 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 채널 영역, 채널 영역 양단에 접촉하게 금속층을 포함하여 형성된 소스 및 드레인, 및 채널 영역 상에 게이트 유전층을 계면에 수반하여 중첩되는 게이트를 포함하는 SB-MOSFET 구조에서, 게이트에 양(+), 0 또는 음(-)의 게이트 전압이 선택적으로 인가하여 소자를 동작시킴으로써, 정공 전류 및 전자 전류의 두 가지 드레인 전류 상태와 전류가 흐르지 않는 전류 상태의 세 가지 상태를 하나의 SB-MOSFET에 구현할 수 있다. 이에 따라, 이러한 SB-MOSFET를 다단 메모리(multi-bit memory) 소자 또는/ 및 다단 논리 소자 등과 같은 소자로서 이용할 수 있다.
SBTT, 쇼키 장벽, 정공 전류, 전자 전류, 금속실리사이드-
公开(公告)号：KR1020060062100A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040100828
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7613 , B82Y10/00 , H01L29/872
Abstract: 본 발명은 쇼트키 장벽 관통 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 불순물을 주입하여 소오스 및 드래인 영역을 구성하고 인위적인 양자점을 채널 영역에 형성하는 방식을 이용한 단전자 트랜지스터(Single Electron Transistor; SET) 제작방법 대신에 소오스 및 드래인을 실리콘과 금속의 반응 물질인 실리사이드로 대체하여 금속-반도체간에 형성되는 쇼트키 장벽을 이용하여 제작함으로써, 단전자 트랜지스터(SET)를 위한 양자점(quantum dot)을 형성하기 위하여 종래 기술의 PADOX 공정을 진행할 필요가 없으며, 다양한 쇼트키 접합의 높이를 가지는 실리사이드 물질을 이용하여 터널링 장벽의 높이 및 폭을 인위적으로 조절할 수 있을 뿐만 아니라 단전자 트랜지스터(SET)의 전류 구동능력을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
단전자 트랜지스터, 전계효과 트랜지스터, 쇼트키 장벽, SOI 기판, 실리사이드-
公开(公告)号：KR100560432B1
公开(公告)日：2006-03-13
申请号：KR1020040109298
申请日：2004-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/338
Abstract: N형 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 소자 및 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 채널 영역이 형성될 실리콘층, 실리콘층 상에 채널 영역 상에 중첩되게 형성되되 실리콘층과 계면에 게이트 유전층을 수반하는 게이트, 실리콘층 상에 채널 영역을 사이에 두는 소스/드레인으로 형성된 희토류 금속 실리사이드층 및 전이 금속 실리사이드층을 포함하는 이중층으로 구성되는 N형 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 소자를 제시한다.
SBTT, 전이 금속 실리사이드, 기생 저항, 포화 전류값, 희토류 금속 실리사이드Abstract translation: 公开了一种N型肖特基势垒穿透晶体管器件和制造方法。 根据本发明，该硅层，所述硅层中被形成的沟道区域的硅层上，并给接口上重叠涉及对栅极的栅极电介质，源极/漏极，以夹在硅层上的沟道区被形成在沟道区域 由包括稀土金属硅化物层和形成为单层结构的过渡金属硅化物层的双层构成的肖特基势垒穿透晶体管器件。
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