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公开(公告)号：KR101909435B1
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：KR1020180004367
申请日：2018-01-12
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 관계식 1을 만족하는 제1금속 코어; 상기 제1금속 코어를 둘러싼 제2금속 쉘; 및 상기 제2금속 쉘을 둘러싼 갭핑층;을 포함하는 코어-쉘 나노구조체, 비수계 유기 바인더 및 비수계 용매를 포함하는 광소결용 잉크조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
[관계식 1]
A
1 /A
2 ≤ 0.2
(관계식 1에서, A
1 /A
2 는 제1금속 코어의 표면에 있어서의 X-선 광전자 분광 스펙트럼 상, 제1금속의 산화물의 제1금속 2p
3/2 피크 면적(A
1 )을 제1금속의 제1금속 2p
3/2 피크 면적(A
2 )으로 나눈 비이다.)-
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公开(公告)号：KR101802194B1
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020150149140
申请日：2015-10-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 하기관계식 1을만족하는금속나노입자; 융점 800℃이하의저융점금속; 비수계유기바인더; 및비수계용매를포함하는광소결용잉크조성물및 이의제조방법에관한것이다. [관계식 1] A/A≤ 0.2 (관계식 1에서, A/A는금속나노입자의표면에있어서의 X-선광전자분광스펙트럼상, 금속의산화물의금속 2p피크면적(A)을, 금속의금속 2p피크면적(A)으로나눈비이다.)
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公开(公告)号：KR101773594B1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160083502
申请日：2016-07-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/193 , H01L41/37
CPC classification number: H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/193 , H01L41/37
Abstract: 본발명은아민기로표면기능화된세라믹입자, 및말레산무수물이그라프트된탄성중합체를포함하는에너지하베스팅용페이스트조성물및 이의제조방법에관한것으로, 세라믹입자의고함량화및 고분산화가가능하여, 에너지하베스팅소자제조시 높은발전용량을가질수 있는에너지하베스팅용페이스트조성물및 이의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明进行了表面官能化的陶瓷颗粒，和马来酸酐，在能量收集tingyong膏组合物及其制造方法，其包括弹性体接枝胺基，它可以是陶瓷颗粒的高含量屏幕和丘氧化， 在制造能量收集装置时能够具有高发电能力的能量收集浆料组合物及其制造方法。
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公开(公告)号：KR101689679B1
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020150075849
申请日：2015-05-29
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F1/0062 , B22F1/02 , B22F9/18 , B22F9/24 , B22F2301/052 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2301/30 , B22F2999/00 , B33Y70/00 , Y02P10/295 , B22F3/008 , B22F3/1055 , B22F2202/17
Abstract: 본발명에따른금속나노입자는적어도바이모달(bimodal) 이상의크기분포를가지며, 금속나노입자의크기분포에서, 피크의중심크기를기준으로, 가장작은중심크기를갖는제1피크의면적을크기분포를이루는모든피크의면적을합한총 면적으로나눈비가 0.4 내지 0.8을만족하며, 유기산을포함하는캡핑층으로캡핑된금속나노입자이다.
Abstract translation: 根据本发明的金属纳米颗粒具有至少双峰尺寸分布，其中通过将具有最小中值大小的第一峰的面积除以金属的尺寸分布中的峰的中值大小而得到的比率 由构成尺寸分布的所有峰的总面积的纳米颗粒满足0.4-0.8，并且用含有机酸的封端层封盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101678410B1
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020140107696
申请日：2014-08-19
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/1395 , H01M10/052
Abstract: 본발명은리튬이차전지용전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는 2차원형태의전도성소재와구형또는 1차원형태의나노금속소재및 활성소재의단순혼합만으로소재간의혼성화가가능하고, 이를통하여, 전도성소재-나노금속소재-활성소재간의 3차원네트워킹을형성함으로써, 고용량을가지면서반복충방전특성이우수한리튬이차전지용전극및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101392226B1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020120139358
申请日：2012-12-04
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C01B32/184 , B01J19/121 , B01J23/72 , C23C16/26
Abstract: The present invention relates to a novel method for synthesizing graphene having excellent properties by using a metal conductive thin film and fine patterns manufactured by metal nanoparticles on which formation of a surface oxide film is suppressed. According to the present invention, graphene having large area and fine nanopatterns can be manufactured.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用金属导电薄膜和由表面氧化膜形成被抑制的金属纳米粒子制成的精细图案，合成具有优异性能的石墨烯的新颖方法。 根据本发明，可以制造具有大面积和精细纳米图案的石墨烯。
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公开(公告)号：KR101287938B1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：KR1020110004574
申请日：2011-01-17
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , C01B33/113 , C01B33/023
Abstract: 본 발명은 캡핑된 나노 결정 실리콘의 제조방법에 관한 것으로, 자세하게는 환원제 및 캡핑제를 유기 용매에 투입하고, 실리콘 원료로서 테트라에톡시실란(TEOS) 또는 테트라메톡시실란(TMOS)을 사용함으로써 불순물이 없고, 재분산성이 우수하며, 합성방법이 단순하고, 환경 부담이 적은 캡핑된 나노 결정 실리콘의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130041002A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020130027712
申请日：2013-03-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B33/021 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC classification number: C01B33/023 , C01P2004/64 , C30B29/06
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing nano crystalline silicon is provided to manufacture a hydrophilic or hydrophobic silicon particle based on a capping reagent. CONSTITUTION: A method of manufacturing nano crystalline silicon comprises the following steps. A capping reagent chosen from a reduced agent, C5-C20 alcohol, amin, thiol or fatty acid is added to an organic solution. Tetraehoxysilane(TEOS) or tetramethoxysilane(TMOS) are added to the organic solution to manufacture a spraying solution. The manufactured silicon spraying solution is added to a phase separating solution. The mixed solution from the phase separating solution is separated to make a silicon solution.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米晶体硅的方法，以制造基于封盖剂的亲水或疏水硅颗粒。 构成：制造纳米晶体硅的方法包括以下步骤。 将选自还原剂C5-C20醇，氨基，硫醇或脂肪酸的封端剂加入到有机溶液中。 将四乙氧基硅烷（TEOS）或四甲氧基硅烷（TMOS）加入到有机溶液中以制备喷雾溶液。 将制造的硅喷雾溶液加入到相分离溶液中。 将相分离溶液的混合溶液分离，制成硅溶液。
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公开(公告)号：KR101096079B1
公开(公告)日：2011-12-20
申请号：KR1020090083357
申请日：2009-09-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 a)금속 산화물 전구체와 불소도핑 전구체를 혼합하는 혼합용액 제조단계;
b)상기 혼합용액을 기판에 코팅하는 단계; 및
c)상기 코팅된 기판을 열처리하는 단계;
를 포함하여 제조되는 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 종래의 산소 공공(vacancy)만이 포함된 반도체에 비하여 이동 전하의 양이 증가되며, 불소도핑의 방법이 기존의 기상이 아닌 액상에서 이루어지기 때문에 보다 환경 친화적이며, 저가의 대량생산에 적합한 방법이라는 장점을 가지고 있다.
액상 불소 도핑, 용액 공정, 산화물 반도체, 박막 트랜지스터
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