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公开(公告)号：KR101807396B1
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020160034688
申请日：2016-03-23
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 광원부가다층박막거울에 EUV(Extreme Ultraviolet) 광을조사하고, 검출부가상기다층박막거울로부터반사된제1 EUV 광을수집및 측정하는단계, 상기다층박막거울상에펠리클(pellicle)을배치하는단계, 상기광원부가상기펠리클에상기 EUV 광을조사하고, 상기검출부가상기펠리클을투과한후 상기다층박막거울에반사되어상기펠리클을재투과하는제2 EUV 광을수집및 측정하는단계, 및상기제1 및제2 EUV 광을통해상기펠리클의투과도를산출하여상기펠리클의불량여부를평가하는단계를포함하되, 상기펠리클을상기다층박막거울상에위치한펠리클스테이지(pellicle stage) 상에, 상기다층박막거울과이격배치시켜, 상기펠리클의접촉으로인한상기다층박막거울의오염및 손상을최소화하는펠리클의검사방법이제공될수 있다.
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公开(公告)号：KR101762059B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020160004118
申请日：2016-01-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/62 , G03F1/22 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/62 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층및 열방출층이교대로적층된펠리클멤브레인을준비하는단계, 및상기펠리클멤브레인의상기열방출층이노출된가장자리측면(sidewall) 상에상기펠리클멤브레인으로부터열을흡수하는냉각구조체를배치하는단계를포함하는 EUV 펠리클구조체의제조방법이제공될수 있다.
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公开(公告)号：KR101680937B1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020140046218
申请日：2014-04-17
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/62
Abstract: EUV 리소그래피용펠리클및 그제조방법을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클은복수개의홀을포함하고, 소광계수가 0.02 이하인물질로구성된다공성박막이고, 상기홀의직경은 1 ㎛이하인것을특징으로한다. 따라서, 복수개의홀을가지는다공성박막자체를펠리클로이용함으로써, 박막형태의펠리클보다높은 EUV 투과율을가지면서도두께를두껍게제작할수 있으므로향상된강도를확보할수 있다.
Abstract translation: 提供一种用于EUV光刻的防护薄膜组件及其制造方法。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括多个孔，并且是由具有0.02或更小的消光系数的材料构成的多孔薄膜。 孔的直径为1μm以下。 因此，通过使用具有孔本身的多孔薄膜作为防护薄膜，可以制造具有比薄膜状防护薄膜更高的EUV透射率的厚薄膜，从而确保改善的强度。
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公开(公告)号：KR101676095B1
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：KR1020140046210
申请日：2014-04-17
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/64
Abstract: EUV 리소그래피용펠리클을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클은소광계수가 0.02 이하인무기물을포함하는제1 무기물층, 상기제1 무기물층상에위치하고, 카테콜계열의작용기를갖는유기물을포함하는제1 결합층및 상기제1 결합층상에위치하고, 탄소나노구조체를포함하는강도보강층을포함할수 있다. 이때의제1 결합층은상기제1 무기물층과상기강도보강층의결합력을강화시키는것을특징으로한다. 따라서, 탄소나노구조체를포함하는강도보강층을구비함으로써펠리클막의강도를향상시킬수 있다. 또한, 무기물층과강도보강층의사이에유기물을포함하는결합층을삽입함으로써, 무기물층과강도보강층사이의결합력을강화시킬수 있고, 나아가유기물층의연성을이용하여무기물층의취성을보강해줄 수있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150121293A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020140046218
申请日：2014-04-17
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/62
CPC classification number: H01L21/0274
Abstract: EUV 리소그래피용펠리클및 그제조방법을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클은복수개의홀을포함하고, 소광계수가 0.02 이하인물질로구성된다공성박막이고, 상기홀의직경은 1 ㎛이하인것을특징으로한다. 따라서, 복수개의홀을가지는다공성박막자체를펠리클로이용함으로써, 박막형태의펠리클보다높은 EUV 투과율을가지면서도두께를두껍게제작할수 있으므로향상된강도를확보할수 있다.
Abstract translation: 提供一种用于EUV光刻的防护薄膜组件及其制造方法。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括多个孔，并且是由具有0.02或更小的消光系数的材料构成的多孔薄膜。 孔的直径为1μm以下。 因此，通过使用具有孔本身的多孔薄膜作为防护薄膜，可以制造具有比薄膜状防护薄膜更高的EUV透射率的厚薄膜，从而确保改善的强度。
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公开(公告)号：KR101511426B1
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020130082724
申请日：2013-07-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/22
Abstract: 극자외선노광공정용마스크가제공된다. 상기마스크는, 기판상에적층된복수의단위막(unit layer)을포함하는반사막및 상기반사막상의위상변조패턴을포함하되, 상기단위막은, 제1 물질막및 상기제1 물질막상의제2 물질막을포함하고, 상기단위막의두께는 7.0~7.2nm 이다.
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公开(公告)号：KR101299359B1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020110036951
申请日：2011-04-20
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 광추출 효율이 향상된 2차원 광결정 구조체 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 광추출 효율이 향상된 2차원 광결정 구조체는 역 나노 임프린트 리소그래피 공정을 통하여 형성된 나노 패턴 상에 지지체 역할을 하는 유전막을 형성함으로써 견고한 구조를 가지며, 굴절율이 높은 물질을 유전막으로 사용하여 광추출 효율이 향상된다. 또한 본 발명에 의한 2차원 광결정 구조체의 제조방법은 원자층 증착 공정 또는 화학 기상 증착 공정 등의 증착 공정을 사용하여 유전막을 증착시킴으로써 공정시 증착 두께를 나노 단위로 조절할 수 있으며, 컨포멀한 코팅이 가능하고, 증착되는 유전막의 균일도가 우수하다.
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公开(公告)号：KR101289200B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120007402
申请日：2012-01-25
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G02B5/20 , G02B5/08 , H01L21/027 , B82B3/00
CPC classification number: G02B5/201 , B82B3/0009 , B82B3/0014 , B82B3/0019 , B82B3/0061 , G02B5/0841 , G02B5/203 , H01L21/0273
Abstract: PURPOSE: A 2D photonic crystal structure using multi-sized nanospheres and a manufacturing method thereof are provided to expand morphological variety of a photonic crystal structure. CONSTITUTION: A photonic crystal layer (200) is formed on a substrate (100). A first nanosphere self-assembled monolayer array (300) is formed on the photonic crystal layer. The first nanosphere self-assembled monomer array is etched so that sizes of the first nonospheres are adjusted, and a plurality of nanospheres (300a) is formed being spaced apart from each other with a fixed distance therebetween. A second nanosphere self-assembled monolayer array (400) is formed on the first nanosphere self-assembled monolayer array. The second nanosphere self-assembled monomer array is etched so that a flower-type mask pattern (500) is formed. A mask film (600) is formed on the front surface of the flower-type mask pattern.
Abstract translation: 目的：提供使用多尺寸纳米球的2D光子晶体结构及其制造方法，以扩大光子晶体结构的形态变化。 构成：在衬底（100）上形成光子晶体层（200）。 在光子晶体层上形成第一纳米球自组装单层阵列（300）。 蚀刻第一纳米球自组装单体阵列，使得调整第一非球体的尺寸，并且形成多个纳米球（300a），彼此间隔开固定的距离。 在第一纳米球自组装单层阵列上形成第二纳米球自组装单层阵列（400）。 蚀刻第二纳米球自组装单体阵列，从而形成花型掩模图案（500）。 在花型掩模图案的前表面上形成掩模膜（600）。
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公开(公告)号：KR101054746B1
公开(公告)日：2011-08-05
申请号：KR1020090066745
申请日：2009-07-22
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/26 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 2층 구조의 캐핑층을 형성하고, 광학상수를 고려하여 캐핑층과 흡수체층의 재질을 선정하고 이들의 두께비를 조절하여 위상 변화와 반사도를 용이하게 조절할 수 있는 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크에 관한 것이다.
상기 위상 반전 마스크는 이미지 콘트라스트가 저하되지 않는 범위에서 흡수체층의 두께를 최소화할 수 있으며, 새도우 효과를 낮추며 해상도를 증가시켜 노광 공정의 공정 마진을 향상시킨다.
극자외선 리소그래피, 위상 반전 마스크, 새도우 효과, 광학상수Abstract translation: 本发明被选择为，更具体地说，涉及一种两层结构腔中以形成覆盖层，并考虑到光学常数封盖层和有关相移掩模的用于EUV曝光工艺的吸收层的材料并调整它们的厚度比 对于能够容易地调节相位变化和反射率的极紫外线曝光工艺的相位反转掩模。
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