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    Carbon implant for workfunction adjustment in replacement gate transistor
    31.
    发明专利
    Carbon implant for workfunction adjustment in replacement gate transistor 未知

    公开(公告)号：GB2495574B

    公开(公告)日：2015-11-25

    申请号：GB201212471

    申请日：2012-07-13

    Applicant: IBM

    Inventor： GUO DECHAO ,  WONG KEITH KWONG HON ,  HAN SHU-JEN ,  YUAN JUN

    IPC: H01L29/10 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238

    Abstract: A transistor includes a semiconductor body having a channel formed in the semiconductor body; a high dielectric constant gate insulator layer disposed over a surface of an upper portion of the channel; and a gate metal layer disposed over the high dielectric constant gate insulator layer. The channel contains Carbon implanted through the gate metal layer, the high dielectric constant gate insulator layer and the surface to form in the upper portion of the channel a Carbon-implanted region having a substantially uniform concentration of Carbon selected to establish a voltage threshold of the transistor.

    Ersatz-Gate-Elektrode mit planaren Austrittsarbeits-Materialschichten
    33.
    发明专利
    Ersatz-Gate-Elektrode mit planaren Austrittsarbeits-Materialschichten 未知

    公开(公告)号：DE112012003020T5

    公开(公告)日：2014-05-08

    申请号：DE112012003020

    申请日：2012-03-06

    Applicant: IBM

    Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  WONG KEITH KWONG HON ,  YUAN JUN

    IPC: H01L27/00

    Abstract: In einem Ersatz-Gate-Schema wird eine durchgehende Materialschicht auf einer Bodenfläche und einer Seitenwandfläche in einem Gate-Hohlraum abgeschieden. Ein vertikaler Abschnitt der durchgehenden Materialschicht wird entfernt, um eine Gate-Komponente auszubilden, deren vertikaler Abschnitt sich nicht bis zu einer Oberseite des Gate-Hohlraums erstreckt. Die Gate-Komponente kann als Gate-Dielektrikum oder als Austrittsarbeits-Materialabschnitt eingesetzt werden, um eine Gate-Struktur auszubilden, die die Leistungsfähigkeit eines Ersatz-Gate-Feldeffekttransistors verbessert.

    Self-aligned carbon electronics with embedded gate electrode
    34.
    发明专利
    Self-aligned carbon electronics with embedded gate electrode 未知

    公开(公告)号：GB2504434A

    公开(公告)日：2014-01-29

    申请号：GB201320100

    申请日：2012-05-18

    Applicant: IBM

    Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  WONG KEITH KWONG HON ,  YUAN JUN

    IPC: H01L27/108 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

    Abstract: A device and method for device fabrication includes forming (202) a buried gate electrode in a dielectric substrate and patterning (212) a stack comprising a high dielectric constant layer, a carbon-based semi-conductive layer and a protection layer over the buried gate electrode. An isolation dielectric layer formed over the stack is opened (216) to define recesses in regions adjacent to the stack. The recesses are etched (218) to form cavities and remove a portion of the high dielectric constant layer to expose the carbon-based semi- conductive layer on opposite sides of the buried gate electrode. A conductive material is deposited (224) in the cavities to form self-aligned source and drain regions.

    Transistor mit vertikal gestapelten Selbstausgerichteten Kohlenstoff-Nanoröhren
    36.
    发明专利
    Transistor mit vertikal gestapelten Selbstausgerichteten Kohlenstoff-Nanoröhren 未知

    公开(公告)号：DE102012221387A1

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：DE102012221387

    申请日：2012-11-22

    Applicant: IBM

    Inventor： CAO QING ,  GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  LU YU ,  WONG KEITH KWONG HON

    IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/775

    Abstract: Eine Rippenstruktur mit einem vertikalen Stapel aus abwechselnd einer Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt, die einen ersten isoelektrischen Punkt aufweist, und einer Materialschicht mit einem zweiten isoelektrischen Punkt, die einen zweiten isoelektrischen Punkt aufweist, der kleiner ist als der erste isoelektrische Punkt, wird gebildet. In einer Lösung mit einem pH-Wert zwischen dem ersten und dem zweiten isoelektrischen Punkt werden die Materialschichten mit einem ersten und einem zweiten isoelektrischen Punkt entgegengesetzt aufgeladen. Negative elektrische Ladungen werden von einem anionischen Tensid in der Lösung auf Kohlenstoff-Nanoröhren übertragen. Die elektrostatische Anziehung bewirkt, dass sich die Kohlenstoff-Nanoröhren selektiv an die Oberfläche der Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt anlagern. Kohlenstoff-Nanoröhren lagern sich an die Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt in Selbstausrichtung entlang horizontaler Längsrichtungen der Rippenstruktur an. Ein Transistor kann gebildet werden, der eine Mehrzahl vertikal ausgerichteter horizontaler Kohlenstoff-Nanoröhren als Kanal verwendet.

    Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit und Halbleitereinheit
    37.
    发明专利
    Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit und Halbleitereinheit 未知

    公开(公告)号：DE112018001069B4

    公开(公告)日：2021-07-22

    申请号：DE112018001069

    申请日：2018-05-17

    Applicant: IBM

    Inventor： FARMER DAMON BROOKS ,  TANG JIANSHI ,  YURKAS JOHN JACOB ,  HAN SHU-JEN

    IPC: H01L29/775 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43

    Abstract: Verfahren (600) zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, wobei das Verfahren aufweist:Ausbilden (602) einer Nanoröhre (102) über einer Fläche eines Substrats (104);Ausbilden (604) einer Isolationsschicht (200) über der Nanoröhre;Freilegen (606) von Endabschnitten der Nanoröhre;Ausbilden (608) einer Benetzungsschicht (300) auf den Endabschnitten der Nanoröhre;Ausbilden (610) eines Metalls (400) mit niedriger Austrittsarbeit auf der Benetzungsschicht über den Endabschnitten der Nanoröhre; undAusbilden einer Deckschicht (500) über dem Metall mit niedriger Austrittsarbeit,wobei die Benetzungsschicht Titan aufweist, das Metall mit niedriger Austrittsarbeit Scandium aufweist und die Deckschicht Gold aufweist.

    Kohlenstoff-Nanoröhrchen-Transistor mit erweiterten Kontakten und Verfahren zur Herstellung
    39.
    发明专利
    Kohlenstoff-Nanoröhrchen-Transistor mit erweiterten Kontakten und Verfahren zur Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112014005890B4

    公开(公告)日：2017-02-09

    申请号：DE112014005890

    申请日：2014-12-04

    Applicant: IBM

    Inventor： HAN SHU-JEN ,  HANNON JAMES B ,  HAENSCH WILFRIED

    IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/43

    Abstract: Halbleitereinheit (200), aufweisend: ein Substrat (100), welches sich entlang einer ersten Richtung, wodurch eine Länge definiert wird, und einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstreckt, wodurch eine Höhe definiert wird, wobei das Substrat (100) eine Dielektrikumsschicht (104) und mindestens einen Gate-Stapel (106) umfasst, der auf der Dielektrikumsschicht (104) ausgebildet ist; einen Source-Kontakt (115), der in Nachbarschaft zu einer ersten Seite des Gate-Stapels ausgebildet ist, und einen Drain-Kontakt (116), der in Nachbarschaft zu einer gegenüber liegenden zweiten Seite des Gate-Stapels (106) ausgebildet ist; eine funktionalisierte Dielektrikumsschicht (113), die auf der Dielektrikumsschicht (104) ausgebildet ist und zwischen dem Source-Kontakt (115) und dem Gate-Stapel (106) und zwischen dem Drain-Kontakt (116) und dem Gate-Stapel (106) angeordnet ist; und ein Kohlenstoff-Nanoröhrchen (118), das auf dem Source-Kontakt (115) und dem Drain-Kontakt (116) ausgebildet ist, wobei das Kohlenstoff-Nanoröhrchen (118) einen ersten Abschnitt, welcher den Source-Kontakt (115) kontaktiert, um eine Source zu bilden, einen zweiten Abschnitt, welcher den Drain-Kontakt (116) kontaktiert, um einen Drain zu bilden, und einen dritten Abschnitt umfasst, welcher zwischen dem ersten und zweiten Abschnitt angeordnet ist, um einen Gate-Kanal (120) zu definieren, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt, wobei sich die Source und der Drain entlang der zweiten Richtung erstrecken und eine größere Länge aufweisen als eine Gate-Länge des Gate-Kanals (120), wobei wenigstens ein Abschnitt des Kohlenstoff-Nanoröhrchens (118) elektrostatisch an wenigstens einen Abschnitt der funktionalisierten Dielektrikumsschicht (113) gebunden ist, und ...

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