公开(公告)号：DE102013219783A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102013219783

申请日：2013-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18 ,  H05K5/06

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (100) mit einem Träger (2), wenigstens einem auf dem Träger (2) montierten Halbleiterchip (1), einem Bonddraht (4), einem Modulgehäuse (7), sowie einem ersten Schallabsorber (8). Das Modulgehäuse (7) weist eine Gehäuseseitenwand (71) auf, der Bonddraht (4) ist in dem Modulgehäuse (7) angeordnet ist, und zumindest ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers (8) ist zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Gehäuseseitenwand (71) angeordnet.

公开(公告)号：DE102014111829A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：DE102014111829

申请日：2014-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  BEER GOTTFRIED ,  HOHLFELD OLAF ,  HÖGERL JÜRGEN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07

Abstract: Das Halbleitermodul enthält einen Träger, mehrere auf dem Träger angeordnete Halbleiter-Transistorchips, mehrere auf dem Träger angeordnete Halbleiter-Diodenchips, eine über den Halbleiter-Transistorchips und den Halbleiter-Diodenchips angeordnete Kapselungsschicht und eine über der Kapselungsschicht angeordnete Metallisierungsschicht. Die Metallisierungsschicht enthält mehrere metallische Bereiche, die elektrische Verbindungen zwischen ausgewählten der Halbleiter-Transistorchips und der Halbleiter-Diodenchips bilden.

公开(公告)号：DE102009002993B4

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：DE102009002993

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04 ,  H02M1/00 ,  H05K7/20

Abstract: Leistungshalbleitermodul mit – einer Modulunterseite (102); – einem Gehäuse (104); – wenigstens zwei voneinander beabstandeten Schaltungsträgern (T1, T2, T3), von denen jeder eine dem Inneren des Gehäuses (104) zugewandte Oberseite (51) aufweist, sowie eine dem Inneren des Gehäuses (104) abgewandte Unterseite (52); – einer Anzahl elektrischer Anschlüsse (110), die im Inneren des Gehäuses (104) elektrisch leitend mit zumindest einem der Schaltungsträger (T1, T2, T3) verbunden sind, und die an der Oberseite (101) des Gehäuses (104) aus diesem heraus ragen; wobei – die elektrischen Anschlüsse (110) als Federkontakte zur Druckkontaktierung oder als Einpresskontakte ausgebildet sind; – die Unterseite (52) eines jeden der Schaltungsträger (T1, T2, T3) zumindest einen Abschnitt aufweist, der zugleich einen Abschnitt der Modulunterseite (102) bildet; und – zumindest eine zwischen zwei benachbarten Schaltungsträgern (T1, T2; T2, T3) angeordnete Montageeinrichtung (53), die eine Befestigung des Leistungshalbleitermoduls (100) an einem Kühlkörper...

公开(公告)号：DE102009002191B4

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：DE102009002191

申请日：2009-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF

IPC: H01L23/40 ,  H01L21/50 ,  H01L23/18 ,  H01L23/32 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Leistungshalbleitermodul, das auf einem Kühlkörper (200) montierbar ist und das folgende Merkmale aufweist: – einen Leistungshalbleiterchip (1), der auf einem Substrat (2) angeordnet ist und der eine dem Substrat (2) zugewandte Unterseite (1b) aufweist, sowie eine Oberseite (1a), die sich auf der dem Substrat (2) abgewandten Seite des Leistungshalbleiterchips (1) befindet, und der außerdem eine auf der Oberseite (1a) angeordnete erste elektrische Kontaktfläche (11a) aufweist; – einen Bonddraht (3), der zumindest an einer ersten Bondstelle (31) und an einer zweiten Bondstelle (32) an die erste elektrische Kontaktfläche (11a) gebondet ist, und der zwischen der ersten Bondstelle (31) und der zweiten Bondstelle (32) einen ersten Bonddrahtabschnitt (312) aufweist, der durch den gesamten zwischen der ersten Bondstelle (31) und der zweiten Bondstelle (32) befindlichen Abschnitt des Bonddrahtes (3) gegeben ist, in dem der Bonddraht (3) von der ersten elektrischen Kontaktfläche (11a) beabstandet ist; – ein Anpresselement (4), das dazu...

公开(公告)号：DE102011083218A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：DE102011083218

申请日：2011-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BAYERER REINHOLD

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/58

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul mit einer steifen Grundplatte (1), einem isolierenden Substrat (2), einem Leistungshalbleiterchip (8), einem Einsatz (3) und einem Lot (4). Das isolierende Substrat (2) umfasst einen Isolationsträger (20), der eine mit einer oberseitigen Metallisierungsschicht (22) versehene Oberseite (20t) aufweist, sowie eine mit einer unterseitigen Metallisierungsschicht (21) versehene Unterseite (20b). Der Leistungshalbleiterchip (8) ist auf der oberseitigen Metallisierungsschicht (22) angeordnet. Der Einsatz (3), der eine wellige Form mit einer Vielzahl von Wellenbergen (31) und einer Vielzahl von Wellentälern (32) aufweist, ist so zwischen der Grundplatte (1) und der unterseitigen Metallisierungsschicht (21) angeordnet, dass die Wellenberge (31) der unterseitigen Metallisierungsschicht (21) zugewandt sind und dass die Wellentäler (32) der Grundplatte (1) zugewandt sind. Das Lot (4) ist zwischen der Grundplatte (1) und der unterseitigen Metallisierungsschicht (21) angeordnet. Wenn das Lot (4) geschmolzen wird, wird der Einsatz (3) in das Lot (4) eingebettet, so dass das Lot (4) alle Zwischenräume zwischen der unterseitigen Metallisierungsschicht (21), der Grundplatte (1) und dem Einsatz (3) vollständig füllt. Danach wird das Lot (4) bis zu seiner Verfestigung abgekühlt.

公开(公告)号：DE102009002992A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：DE102009002992

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodulsystem mit einem Leistungshalbleitermodul (1) und einem Kühlkörper (2), sowie mit wenigstens einem Befestigungsmittel (7), mittels dem das Leistungshalbleitermodul (1) fest mit dem Kühlkörper (2) verbunden werden kann. Das Leistungshalbleitermodul (1) weist eine Unterseite (12) mit einer ersten Wärmekontaktfläche (13) auf, der Kühlkörper (2) eine Oberseite (21) mit einer zweiten Wärmekontaktfläche (23). Das Leistungshalbleitermodul (1) umfasst eine Anzahl von N1 ≧ 1 erster Positionierelemente (15a, 15b, 15c), der Kühlkörper (2) eine Anzahl von N2 ≧ 1 zweiter Positionierelemente (25a, 25b, 25c). Jedes der ersten Positionierelemente korrespondiert mit einem der zweiten Positionierelemente und bildet mit diesem ein Paar (15a, 25a); (15b, 25b); (15c, 25c)). Das Leistungshalbleitermodul (1) und der Kühlkörper (2) sind so zueinander anordenbar, dass die beiden Positionierelemente eines jeden der Paare bei der Montage des Leistungshalbleitermoduls (1) an dem Kühlkörper (2) ineinander greifen.

公开(公告)号：DE102009002993A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：DE102009002993

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04 ,  H02M1/00 ,  H05K7/20

Abstract: Die Erfindung betrifft ein leistungshalbleitermodul mit einer Modulunterseite (102), einem Gehäuse (104) sowie wenigstens zwei voneinander beabstandeten Schaltungsträgern (T1, T2). Jeder der Schaltungsträger (T1, T2) weist eine dem Inneren des Gehäuses (104) zugewandte Oberseite (51) auf sowie eine dem Inneren des Gehäuses (104) abgewandte Unterseite (52). Die Unterseite (52) eines jeden der Schaltungsträger (T1, T2, T3) umfasst zumindest einen Abschnitt, der zugleich einen Abschnitt der Modulunterseite (102) bildet. Zumindest eine zwischen zwei benachbarten Schaltungsträgern (T1, T2; T2, T3) angeordnete Montageeinrichtung (53) ermöglicht eine Befestigung des Leistungshalbleitermoduls (100) an einem Kühlkörper (400).

公开(公告)号：DE102009002065A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：DE102009002065

申请日：2009-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  GOERLICH JENS ,  GUTH KARSTEN ,  HOHLFELD OLAF

IPC: B23K35/28 ,  B23K35/26

Abstract: A module includes a metallized substrate including a metal layer, a base plate, and a joint joining the metal layer to the base plate. The joint includes solder contacting the base plate and an inter-metallic zone contacting the metal layer and the solder. The inter-metallic zone has spikes up to 100 μm and a roughness (Rz) of at least 20 μm.

公开(公告)号：DE102015118633B8

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：DE102015118633

申请日：2015-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BEER GOTTFRIED ,  HOEGERL JUERGEN ,  HOIER MAGDALENA ,  MEYER-BERG GEORG

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L25/07

公开(公告)号：DE102013216709B4

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102013216709

申请日：2013-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER ,  HÖGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  FÜRGUT EDWARD

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Halbleiteranordnung umfassend:eine obere Kontaktplatte (41) und eine untere Kontaktplatte (42);eine Anzahl von Chipbaugruppen (3), von denen eine jede aufweist:- einen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) eine Oberseite und eine der Oberseite entgegengesetzte Unterseite aufweist;- eine auf der Oberseite angeordnete obere Hauptelektrode (11);- eine auf der Unterseite angeordnete untere Hauptelektrode (12);- ein elektrisch leitendes oberes Ausgleichsplättchen (21), das auf der dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der oberen Hauptelektrode (11) angeordnet und mit dieser mittels einer oberen Verbindungsschicht (31) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden ist;- ein elektrisch leitendes unteres Ausgleichsplättchen (22), das auf der dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der unteren Hauptelektrode (12) angeordnet und mit dieser mittels einer unteren Verbindungsschicht (32) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden ist; und- eine dielektrische Einbettmasse (4), die den Halbleiterchip (1) seitlich umlaufend ringförmig derart umschließt, dass die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) und die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des unteren Ausgleichsplättchens (22) zumindest nicht vollständig von der Einbettmasse (4) bedeckt sind und dadurch frei liegen;wobei eine jede der Chipbaugruppen (3) derart zwischen der oberen Kontaktplatte (41) und der unteren Kontaktplatte (42) angeordnet ist, dass bei dieser Chipbaugruppe (3)- die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) die obere Kontaktplatte (41) elektrisch und mechanisch kontaktiert;- die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des unteren Ausgleichsplättchens (22) die untere Kontaktplatte (42) elektrisch und mechanisch kontaktiert;wobei die obere Kontaktplatte (41) auf ihrer der unteren Kontaktplatte (42) zugewandten Seite für eine jede der Chipbaugruppen (3) ein Kontaktpodest (411) aufweist, das die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) elektrisch und mechanisch kontaktiert; undwobei zwei unmittelbar benachbarte der Chipbaugruppen (3) einen Abstand von kleiner oder gleich 100 µm aufweisen, oder bündig aneinander anliegen.