公开(公告)号：DE102014111981A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：DE102014111981

申请日：2014-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  RÖSNER WOLFGANG ,  DAINESE MATTEO ,  JÄGER CHRISTIAN ,  MAUDER ANTON ,  HIRLER FRANZ ,  STRENZ ROBERT ,  STIFTINGER MARTIN ,  RÖSCH MAXIMILIAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleiterschaltvorrichtung (500) umfasst einen ersten Lastanschluss (L1), der elektrisch mit Sourcezonen (110) von Transistorzellen (TC) verbunden ist. Die Sourcezonen (110) bilden erste pn-Übergänge (pn1) mit Bodyzonen (115). Ein zweiter Lastanschluss (L2) ist elektrisch mit einer Drainkonstruktion (120) verbunden, die zweite pn-Übergänge (pn2) mit den Bodyzonen (115) bildet. Steuerstrukturen (400), die eine Steuerelektrode (420) und Ladungsspeicherstrukturen (410) umfassen, grenzen direkt an die Bodyzonen (115) an. Die Steuerelektrode (420) steuert einen Laststrom durch die Bodyzonen (115). Die Ladungsspeicherstrukturen (410) isolieren die Steuerelektrode (420) von den Bodyzonen (110) und enthalten eine Steuerladung (419), die ausgestaltet ist, um Inversionskanäle in den Bodyzonen (115) bei Abwesenheit einer Potentialdifferenz zwischen der Steuerelektrode (420) und der ersten Lastelektrode (L1) zu induzieren.

公开(公告)号：DE102015104504A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104504

申请日：2015-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PHILIPPOU ALEXANDER ,  JÄGER CHRISTIAN ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  VELLEI ANTONIO ,  WOLTER FRANK

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Transistorbauelement enthält ein Halbleiter-Mesagebiet zwischen ersten und zweiten Gräben in einem Halbleiterkörper, ein Bodygebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Sourcegebiet von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiter-Mesagebiet, ein Driftgebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiterkörper, und eine Gateelektrode, die sich benachbart zu dem Bodygebiet in dem ersten Graben befindet und die durch ein Gatedielektrikum von dem Bodygebiet dielektrisch isoliert ist. Das Bodygebiet separiert das Sourcegebiet von dem Driftgebiet und erstreckt sich benachbart zu dem Sourcegebiet zu der Oberfläche des Halbleiter-Mesagebiets. Das Bodygebiet weist ein Oberflächengebiet auf, das an die Oberfläche des Halbleiter- Mesagebiets und den ersten Graben angrenzt. Das Oberflächengebiet weist eine höhere Dotierungskonzentration auf als ein Abschnitt des Bodygebiets, der das Sourcegebiet von dem Driftgebiet separiert.

公开(公告)号：DE102014101130A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102014101130

申请日：2014-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN ,  JÄGER CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: Eine rückwärtssperrende Halbleitervorrichtung umfasst einen Basisbereich (120) eines ersten Leitungstyps und einen Bodybereich (115) eines zweiten, komplementären Leitungstyps, wobei der Basis- und der Bodybereich (120, 115) einen pn-Übergang bilden. Zwischen dem Basisbereich (120) und einer Kollektorelektrode (320) umfasst eine Emitterschicht (130) Emitterzonen (131) des zweiten Leitungstyps und mindestens einen Kanal (132) des ersten Leitungstyps. Der Kanal (132) erstreckt sich zwischen dem Basisbereich (120) und der Kollektorelektrode (320) durch die Emitterschicht (130) und verringert in einem vorwärts sperrenden Zustand den Vorwärtsleckstrom.