公开(公告)号：DE102015112648B4

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102015112648

申请日：2015-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/673

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend:- Befestigen eines Donor-Wafers (10), der Siliciumcarbid aufweist, an einem Trägerwafer (20), der Graphit aufweist;- Spalten des Donor-Wafers (10) entlang einer inneren Delaminierungsschicht (13), sodass eine abgespaltene Schicht (1), die Siliciumcarbid aufweist und an dem Trägerwafer (20) befestigt ist, gebildet wird;- Bilden eines teilweise gestützten Wafers (100, 200), umfassend das Entfernen des Trägerwafers (20) über einem inneren Abschnitt der abgespaltenen Schicht (1), während ein Restabschnitt (20') des Trägerwafers (20) an der abgespaltenen Schicht (1) befestigt bleibt; und- Weiterbearbeiten des teilweise gestützten Wafers (100, 200).

公开(公告)号：DE102018103836B4

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102018103836

申请日：2018-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend:einen mit Siliziumcarbid gebildeten Halbleiterkörper (100) mit einem Sourcegebiet (110), einem Stromverteilungsgebiet (137) und einem Bodygebiet (120), wobei das Bodygebiet (120) entlang einer horizontalen ersten Richtung (191) zwischen dem Sourcegebiet (110) und dem Stromverteilungsgebiet (137) angeordnet ist und einen ersten pn Übergang (pn1) mit dem Stromverteilungsgebiet (137) und einen zweiten pn Übergang (pn2) mit dem Sourcegebiet (110) bildet;eine Gatestruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) aus in das Bodygebiet (120) erstreckt ; undeine Ladungskompensationsstruktur (180) zwischen dem Bodygebiet (120) und einer der ersten Oberfläche (101) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (102) des Halbleiterkörpers (100).

公开(公告)号：DE102018114664A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114664

申请日：2018-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ELPELT RUDOLF ,  ZIPPELIUS BERND ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/328 ,  H01L23/62 ,  H01L29/16

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Vorsehen eines Retikels (400), das zumindest zwei erste Gebiete (411) und ein zweites Gebiet (412) zwischen den beiden ersten Gebieten (411) aufweist. Jedes der ersten Gebiete (411) enthält erste opake Flächen (431) und erste transparente Flächen (411). Ein lateraler Abstand (d0) zwischen den beiden ersten Gebieten (411) ist größer als eine Breite (w1) jeder der ersten opaken Flächen (431). Ein Siliziumcarbidsubstrat (700) und eine lichtempfindliche Schicht (300) werden auf einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen. Die lichtempfindliche Schicht (300) wird einer Belichtungsstrahlung (820) ausgesetzt, die das Retikel (400) passiert, wobei Teile (825) der Belichtungsstrahlung, die durch benachbarte erste transparente Flächen (441) hindurchgehen, überlappende Flächen (301) der lichtempfindlichen Schicht (300) belichten.

公开(公告)号：DE102019106124A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102019106124

申请日：2019-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Verfahren beinhaltet Bereitstellen einer ersten Schicht (101) aus epitaktischem Siliciumcarbid, die durch ein Siliciumcarbidsubstrat (130) gestützt wird; und Bereitstellen einer zweiten Schicht (102) aus epitaktischem Siliciumcarbid auf der ersten Schicht (101); und Bilden mehrerer Halbleitervorrichtungen (105, 105-1, 105-2, 105-3) in der zweiten Schicht (102); und Separieren des Substrats (130) von der zweiten Schicht (102) bei der ersten Schicht (101). Die erste Schicht (101) umfasst mehrere Lücken (150).

公开(公告)号：DE102017127848A1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102017127848

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ELPELT RUDOLF ,  ZIPPELIUS BERND ,  SIEMIENIEC RALF ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist einen SiC Halbleiterkörper (100) mit einem aktiven Bereich (610) und einer den aktiven Bereich (610) mindestens teilweise umgebenden Randabschlussstruktur (190) auf. Im SiC Halbleiterkörper (100) ist eine Driftzone (131) von einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Die Randabschlussstruktur (190) weist ein erstes dotiertes Gebiet (191) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen einer ersten Oberfläche (101) des SiC Halbleiterkörpers (100) und der Driftzone (131) auf. Das erste dotierte Gebiet (191) umgibt den aktiven Bereich (610) mindestens teilweise und ist von der ersten Oberfläche (101) beabstandet. Die Randabschlussstruktur (190) weist zudem zweite dotierte Gebiete (192) vom zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen der ersten Oberfläche (101) und dem ersten dotierten Gebiet (191) und dritte dotierte Gebiete (193) vom ersten Leitfähigkeitstyp zwischen den zweiten dotierten Gebiete (192) auf.

公开(公告)号：DE102017127169A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102017127169

申请日：2017-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/302 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und ein Halbleiterbauelement werden angegeben das Verfahren umfasst Bilden einer Graphenschicht (30) an einer ersten Seite (11, 21) eines Siliciumcarbidsubstrats (10, 20), die mindestens neben der ersten Seite (11, 21) einer ersten Defektdichte von höchstens 500/cmhat. Eine Akzeptorschicht (40) wird an der Graphenschicht (30) angebracht, um einen Waferstapel (124) zu bilden, wobei die Akzeptorschicht (40) Siliciumcarbid mit einer zweiten Defektdichte aufweist, die höher als die erste Defektdichte ist. Der Waferstapel (124) wird entlang einer Spaltfläche (23) im Siliciumcarbidsubstrat (10, 20) getrennt, um einen Bauelementwafer (432) zu bilden, der die Graphenschicht (30) und eine Siliziumcarbidspaltschicht (20') an der Graphenschicht (30) umfasst. Eine epitaktische Siliciumcarbidschicht (50), die sich zu einer Oberseite (52) des Bauelementwafers (432) erstreckt, wird auf der Siliziumcarbidsplitschicht (20') gebildet. Der Bauelementwafer (432) wird an der Oberseite (52) weiterbearbeitet.

公开(公告)号：DE102017119568A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119568

申请日：2017-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  KERN RONNY

IPC: H01L21/30 ,  H01L29/16

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidbauelements umfasst ein Bilden einer Siliziumkarbidschicht auf einem Ausgangswafer, ein Bilden einer Dotierungsregion des herzustellenden Siliziumkarbidbauelements in der Siliziumkarbidschicht und ein Bilden einer elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur des herzustellenden Siliziumkarbidbauelements auf einer Oberfläche der Siliziumkarbidschicht. Die elektrisch leitfähige Kontaktstruktur kontaktiert die Dotierungsregion elektrisch. Ferner umfasst das Verfahren ein Spalten der Siliziumkarbidschicht oder des Ausgangswafers nach dem Bilden der elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur, sodass ein Siliziumkarbidsubstrat zumindest des herzustellenden Siliziumkarbidbauelements abgespalten wird.

公开(公告)号：DE102018104581A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102018104581

申请日：2018-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Grabenstruktur, die sich von einer ersten Oberfläche in einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper erstreckt. Die Grabenstruktur enthält eine Hilfselektrode an einem Boden der Grabenstruktur und eine zwischen der Hilfselektrode und der ersten Oberfläche angeordnete Gateelektrode. Ein Abschirmgebiet grenzt an die Hilfselektrode am Boden der Grabenstruktur und bildet einen ersten pn-Übergang mit einer Driftstruktur.

公开(公告)号：DE102016124973A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102016124973

申请日：2016-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND ,  RUHL GÜNTHER

IPC: H01L29/43 ,  C01B32/182 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Transistordotierungsregion einer vertikalen Transistorstruktur, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Zusätzlich umfasst das Halbleiterbauelement einen Graphen-Schichtabschnitt, der benachbart zu zumindest einem Abschnitt der Transistordotierungsregion an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Transistorverdrahtungsstruktur, die benachbart zu dem Graphenschichtabschnitt angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016118268A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016118268

申请日：2016-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  RUPP ROLAND ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines einkristallinen Substrats (102) Folgendes aufweisen: Durchtrennen (100b) des Substrats (102) entlang einer Hauptprozessierseite in zumindest zwei einkristalline Substratteilstücke (102a, 102b); und Bilden (100c) einer mikromechanischen Struktur (106), welche ein einkristallines Substratteilstück der zumindest zwei Substratteilstücke (102a, 102b) aufweist.