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公开(公告)号:CN104838275A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201380064812.6
申请日:2013-12-09
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , G01P15/0888 , G01P15/123 , H01L29/84
Abstract: 本发明提供一种能同时实现宽检测频带和高S/N比的角加速度传感器以及加速度传感器。角加速度传感器(10)具有沿着X-Y面的平板面,包括:固定部(12)、锤部(13)、梁部(14)、以及压电电阻元件(15A~15D)。锤部(13)相对于固定部(12)被支承。梁部(14)沿着Y轴延伸,连接固定部(12)和锤部(13)。梁部(14)在X轴方向的宽度尺寸大于梁部(14)和固定部(12)的连接部中宽度方向的尺寸。
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公开(公告)号:CN104684840A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201280076175.X
申请日:2012-07-31
CPC classification number: H05K1/18 , B81B7/0048 , B81B2201/0235 , G01P15/0802 , H01L24/32 , H01L2224/32014 , H05K13/0469 , H05K2203/06 , Y10T156/10
Abstract: 一种器件,包括半导体、衬底和插入器。所述插入器被附着在所述半导体和所述衬底之间以吸收所述半导体和所述衬底之间的应力。
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公开(公告)号:CN104627950A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201410609771.0
申请日:2014-11-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , G01P15/00 , G01P15/0802 , G01R33/0286
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械传感器单元的方法,其中,所述微机械传感器单元包括衬底和封闭罩,其中,在第一方法步骤中所述衬底和所述封闭罩如此设计并且接合,使得通过封闭罩和衬底的连接制造:具有第一压力的第一腔,第一传感器元件设置在所述第一腔中,和具有第二压力的第二腔,第二传感器元件设置在所述第二腔中,其中,在第二方法步骤中制造引导到所述第一腔中的可封闭的通道,其中,在第三方法步骤中通过所述可封闭的通道改变所述第一腔中的第一压力。
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公开(公告)号:CN104603945A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201380033342.7
申请日:2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 在各实施例中,封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中,MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔,以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中,封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号:CN104422786A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201410418229.7
申请日:2014-08-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor: G-N-C·乌尔希里 , A·奥尔托
IPC: G01P15/08
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0027 , B81B3/0045 , B81B2201/0235 , B81B2203/058 , B81C1/00134 , G01P2015/0831 , G01P2015/0871 , G01P2015/0882
Abstract: 本发明提出一种微机械传感器,其包括具有主延伸平面的衬底和通过扭转单元与衬底连接的摆杆结构,扭转单元主要沿扭转轴线延伸,扭转轴线基本上平行于衬底的主延伸平面地设置,摆杆结构由静止位置绕扭转轴线可摆动到偏转位置中并且相对于扭转轴线具有非对称的质量分布,微机械传感器具有阻尼结构,阻尼结构配置用于阻尼摆杆结构沿与衬底的主延伸平面基本上平行的X方向的平移运动,和/或扭转单元具有第一扭转元件和与第一扭转元件连接的第二扭转元件,微机械传感器如此配置,使得摆杆结构绕扭转轴线的扭转模式的第一共振频率小于摆杆结构的振动模式的第二共振频率,振动模式包括摆杆结构沿与主延伸平面基本上平行的振动平面的振动运动。
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公开(公告)号:CN104370272A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201410599134.X
申请日:2014-10-30
Applicant: 无锡微奥科技有限公司
CPC classification number: B81B3/0037 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/042 , B81B2203/0118 , B81B2203/0136 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/013 , H01G5/16
Abstract: 本发明公开了一种MEMS自对准高低梳齿及其制造方法,属于MEMS技术领域。自对准高低梳齿包括一端固定在衬底上而另一端与活动梳齿或者固定梳齿连接的抬升结构,抬升结构在生长应力作用下产生垂直方向的位移带动其连接的活动梳齿或者固定梳齿移动。采用SOI硅片,SOI的正面单晶硅器件层即为MEMS结构的机械结构层,引入的抬升机构与梳齿对依次形成于机械结构层上,由同一步刻蚀工艺形成固定梳齿和活动梳齿,由抬升结构中的应力将固定梳齿与活动梳齿在垂直方向上产生一定位移,从而形成了自对准高低梳齿,相对于多层机构的MEMS省去了多次键合的工艺,简化了制造工艺,大大降低加工成本和加工难度,提高成品率。
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公开(公告)号:CN104297523A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201410340387.5
申请日:2014-07-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 田中悟
IPC: G01P15/125
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0013 , B81B3/0051 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242
Abstract: 本发明提供一种功能元件、电子设备及移动体,其能够准确地对物理量进行检测。本发明所涉及的功能元件(100)包括:可动体(20),其能够沿着第一轴而进行位移;固定部(30),其通过连结部(40)而对可动体(20)进行支承;可动电极部(8),其从可动体(20)起延伸;固定电极部(71),其以与可动电极部(8)对置的方式而配置;延伸部(61),其从固定部(30)起延伸,并具备与可动电极部(8)的侧面对置的对置部(61a),对置部(61a)与可动电极部(8)之间的距离(L1)小于固定电极部(71)与可动电极部(8)之间的距离(L2)。
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公开(公告)号:CN104166013A
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201410206151.2
申请日:2014-05-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 高木成和
IPC: G01P15/00
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0008 , B81B2201/0235 , G01P2015/0831 , G01P2015/0871
Abstract: 本发明提供一种传感器元件、电子设备、以及移动体,其能够抑制可动体与基板、或可动体与固定电极的抵接。传感器元件设有:检测电极部;可动体,其与检测电极部对置设置;突起部,在从垂直方向俯视检测电极部时,所述突起部被设置在设有所述检测电极部的区域中,并朝向所述可动体而突出,所述突起部的表面的至少一部分为绝缘材料。
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公开(公告)号:CN101958256B
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201010229843.0
申请日:2010-07-13
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: B81B3/0054 , B81B2201/0235 , B81C2203/035 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种垂直传感器组装方法。本发明提供了一种将芯片垂直地结合到衬底的方法。该方法包括在衬底上形成具有线性外观的金属条,在该金属条上形成焊锡膏层以形成焊锡条,在衬底上形成多个金属焊盘,以及在所述多个金属焊盘上形成焊锡膏层以在衬底上形成多个焊锡焊盘。所述多个焊锡焊盘中的每一个以偏移间距偏离焊锡条的长边缘。要垂直地结合到衬底的芯片具有略小于所述偏移间距的垂直芯片厚度。要垂直地结合的芯片配合在所述多个焊锡焊盘与所述焊锡条之间。焊锡条使得能够实现要垂直地结合的芯片的对准。
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公开(公告)号:CN104045050A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310359584.7
申请日:2013-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00238 , B81C2201/013 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/83193 , H01L2224/83805 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/3012 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法,其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS,第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底,并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆,这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔,并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆,以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。
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