公开(公告)号：CN103288036A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310056432.X

申请日：2013-02-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： O.雅科夫莱夫 ,  A.布曼 ,  A.费伊

IPC: B81B7/00 ,  B81B5/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00698

Abstract: 本发明提供了一种具有可动栅极的微机械传感器装置和相应的制造方法。具有可动栅极的微机械传感器装置具有：场效应晶体管，该场效应晶体管带有漏极区域（3）、源极区域（4）、具有第一掺杂类型的位于其间的沟道区域（7）和可动栅极（1），该可动栅极通过空隙（Z）与沟道区域（7）分离。漏极区域（3）、源极区域（4）和沟道区域（7）设置在衬底（2）中。至少在沟道区域（7）的纵向侧（S1，S2）上在衬底（2）中设置防护区域（8；8a，8b），其具有第二掺杂类型，该第二掺杂类型与第一掺杂类型相同并且具有比第一掺杂类型高的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN102538773A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110426205.2

申请日：2011-12-19

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.哈塔斯 ,  D.C.梅塞尔 ,  M.凯克

IPC: G01C19/5656 ,  G01R33/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01R33/038 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0292 ,  G01C19/574 ,  G01P15/08 ,  G01P15/0802 ,  G01R33/0286

Abstract: 本发明涉及一种微机电的元件，该微机电的元件包括一个基片和至少两个微机电的传感器，其中所述基片和所述至少两个微机电的传感器以彼此上下堆放的方式来布置并且其中至少两个微机电的传感器布置在所述基片的同一面上。本发明同样涉及一种用于制造微机电的元件的方法以及微机电的元件的使用。

公开(公告)号：CN102016128A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980116027.4

申请日：2009-03-12

Applicant: GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司

Inventor： T·科尔内留斯 ,  W·恩辛格 ,  R·纽曼 ,  M·劳贝尔

IPC: C25D1/08 ,  C25D5/18 ,  B01J19/00

CPC classification number: C25D1/006 ,  B01J19/0093 ,  B01J23/42 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0006 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00846 ,  B01J2219/00853 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00873 ,  B22F1/0025 ,  B22F3/002 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/051 ,  B81C99/0085 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  C25D5/18 ,  G01F1/688 ,  G01N25/00 ,  Y10S977/762 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/12201 ,  Y10T428/12389 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/25

Abstract: 本发明涉及制备片段化纳米线和具有该片段化纳米线的构件。为了制备纳米线结构元件，优选使用模板基法，在该方法中在纳米孔中进行电化学沉积。由此在模板膜中产生许多纳米线。在纳米线电化学沉积过程中，进行具有由阴极沉积脉冲和阳极反脉冲组成的交替次序的逆变脉冲。由此可以制备片段化的纳米线。

公开(公告)号：CN102016126A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114548.6

申请日：2009-03-12

Applicant: GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司

Inventor： T·科尔内留斯 ,  W·恩辛格 ,  R·纽曼 ,  M·劳贝尔

IPC: C25D1/08 ,  C25D5/18

CPC classification number: C25D1/006 ,  B01J19/0093 ,  B01J23/42 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0006 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00846 ,  B01J2219/00853 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00873 ,  B22F1/0025 ,  B22F3/002 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/051 ,  B81C99/0085 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  C25D5/18 ,  G01F1/688 ,  G01N25/00 ,  Y10S977/762 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/12201 ,  Y10T428/12389 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/25

Abstract: 本发明涉及一种纳米线结构元件，其适于例如安装到微反应器系统或微催化剂系统中。为了制备纳米线结构元件，使用基于模板的方法，其中在纳米孔中纳米线的电化学沉积优选至少进行如此长的时间，直至已形成凸端，其优选至少部分地长成一片。在增强两个覆盖层之后，通过溶解模板膜并去除已溶解的模板材料使两个覆盖层之间的结构化空腔露出，其中仍然保留所述两个覆盖层。由此产生稳定的三明治状纳米结构，其具有在两侧面由覆盖层划定边界的并由纳米线柱状贯穿的在平行于覆盖层的平面内二维开口的空腔结构。

公开(公告)号：CN101905853A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010224028.5

申请日：2010-06-02

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： L·维萨纳瓦萨姆

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0292

Abstract: 本发明涉及集成微机电系统(MEMS)传感器设备。提供了一种集成传感器设备。该集成传感器设备包括具有表面部分的第一衬底和以堆叠结构耦合到第一衬底的表面部分的第二衬底，其中，在第一衬底和第二衬底之间限定了空腔。集成传感器设备还包括至少部分位于第一衬底中的一个或多个微机电系统(MEMS)传感器，其中，MEMS传感器与空腔连通。该集成传感器设备还包括一个或多个附加传感器。

公开(公告)号：CN101750123A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253536.3

申请日：2009-12-08

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 佐久间宪之

IPC: G01F1/692

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/692 ,  G01F1/699 ,  G01F5/00 ,  Y10T29/49083

Abstract: 本发明提供一种热式流体流量传感器及其制造方法。在具有由绝缘膜构成的薄膜结构部的热式流体流量传感器中，上述绝缘膜在精细加工的测温电阻体和发热电阻体的上下层叠有具有压缩应力的膜和具有拉伸应力的膜而成。对于发热电阻体(3)、发热电阻体用测温电阻体(4)、上游侧测温电阻体(5A、5B)和下游侧测温电阻体(5C、5D)的下层的绝缘膜，交替层叠了具有压缩应力的膜(第一绝缘膜(14)、第三绝缘膜(16)和第五绝缘膜(18))和具有拉伸应力的膜(第二绝缘膜(15)和第四绝缘膜(17))，且配置了2层以上的具有拉伸应力的膜。利用本发明的热式流体流量传感器，能够消除应力不均衡，提高检测灵敏度且提高可靠性。

公开(公告)号：CN101479185A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780024350.X

申请日：2007-06-14

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 马克·斯沃罗斯基 ,  大卫·D·R·谢弗里 ,  包斯卡·菲利普

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00198 ,  B81B2201/0292 ,  H03H3/0072

Abstract: 一种制造集成在硅衬底中的MEMS器件的方法。在制造MEMS器件的同时，可以加工诸如具有高电容密度的沟槽电容器之类的无源元件。该方法尤其适合于谐振频率在10MHz范围内的MEMS谐振器。

公开(公告)号：CN109476475A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780028300.2

申请日：2017-05-05

Applicant: AMS有限公司

Inventor： 哈拉尔德·埃齐梅尔 ,  安德森·辛格拉尼

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/051

Abstract: 一种用于安装在电路板(CB)上的传感器组件包括插件(I)，该插件具有在插件(I)的第一和第二主表面(MS1、MS2)之间延伸的至少一个开口(O1、O2、O3、O4)。插件(I)包括至少两个应力解耦元件，每个应力解耦元件包括柔性结构(F1、F2、F3、F4)，该柔性结构由插件(I)的被至少一个开口(O1、O2、O3、O4)之一部分地包围的相应部分形成。传感器芯片(S)连接到第一主表面(MS1)上的柔性结构(F1、F2、F3、F4)。至少两个板连接元件(SB)布置在第一主表面(MS1)上并且适于将组件连接到电路板(CB)。

公开(公告)号：CN108731718A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810325794.7

申请日：2018-04-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.库尔齐克 ,  O.维勒斯 ,  S.齐诺贝尔 ,  U.孔茨

IPC: G01D11/24 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0012 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00539 ,  H04L9/0866 ,  G01D11/245 ,  B81B7/02

Abstract: 提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中对于所述MEMS单元的表面的至少一个第一区域进行表面结构化，其中所述第一区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。

公开(公告)号：CN108658035A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810401010.4

申请日：2018-04-28

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 刘福民 ,  邱飞燕 ,  梁德春 ,  刘宇 ,  张树伟 ,  徐宇新

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00015

Abstract: 本发明涉及一种带有背腔结构的MEMS空气质量流量计芯片制造方法，步骤为：硅片表面形成复合介质膜；用剥离法制备金属热敏电阻薄膜图形；在金属热敏电阻薄膜表面生长保护层；进行高温退火；去除焊盘上的保护层，露出焊盘的金属层；硅片背面光刻并进行干法刻蚀，形成背腔结构；芯片切割裂片，完成芯片加工。本发明在光刻、显影及等离子体打胶后引入了去离子水冲洗的步骤，可以有效去除等离子体清洗后在晶片表面的残余杂质，确保金属膜在介质膜上的粘附性，防止其脱落；本发明通过背面干法刻蚀工艺，实现背腔，可以有效防止湿法腐蚀中腐蚀液对正面图形结构的腐蚀作用。