公开(公告)号：CN101652382B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN200780050882.0

申请日：2007-12-04

Applicant: 特拉维夫大学拉莫特有限公司

Inventor： E·加兹特 ,  M·雷彻斯

IPC: C07K5/06 ,  B82B1/00

CPC classification number: B01J19/0046 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00709 ,  B01J2219/00725 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y5/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07K5/06078 ,  C07K17/14 ,  Y10S977/793 ,  Y10S977/896

Abstract: 本发明公开一种纳米结构阵列。所述纳米结构阵列包括一般垂直于平面安排的许多伸长的有机纳米结构。

公开(公告)号：CN102983065B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201110261499.8

申请日：2011-09-06

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 周俊卿 ,  孟晓莹 ,  张海洋

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0332 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明公开一种图案形成方法、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该图案形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成包括嵌段共聚物的聚合物薄膜，其中构成嵌段共聚物的组分彼此之间不混溶；通过压模压印聚合物薄膜形成第一图案；对第一图案内的共聚物进行定向自组装形成分别由共聚物的不同组分组成的域；选择性地去除共聚物的组分组成的域以形成第二图案。本发明的实施例中，将压印技术与DSA工艺结合，获得更精细的节距图案，上述过程不需要曝光，和现有技术相比具有工艺简单的优点。此外，压印所用的压模可以具有相对宽的节距，使得压模容易制造和对准。

公开(公告)号：CN102858874B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180020759.0

申请日：2011-03-17

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  C·贝茨 ,  J·斯特拉恩 ,  C·埃利森

IPC: C08L53/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B05D1/005 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/265 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明涉及合成和使用无规交联的被取代的聚苯乙烯共聚物作为聚合交联的表面处理剂（PXST)来控制在第一共聚物上沉积的嵌段共聚物的物理特征的取向的方法。所述方法具有许多用途，包括制造用于纳米压印光刻法的模板的半导体工业中的多种应用。

公开(公告)号：CN102804336B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201080027868.0

申请日：2010-06-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 斯科特·西里斯 ,  丹·米尔沃德

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/3083 ,  B05D1/185 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08J5/00 ,  C08J2353/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

Abstract: 一些实施例包含利用共聚物形成图案的方法。可跨越衬底形成共聚物主体，且可诱导所述共聚物的自组装以跨越所述衬底形成结构图案。可在所述自组装的所述诱导期间在整个所述共聚物的所述主体上维持均匀厚度。在一些实施例中，可通过利用环绕所述共聚物主体的壁来阻止所述共聚物从所述主体的散布来维持所述均匀厚度。在一些实施例中，可通过利用与所述共聚物主体流体连通的一定体积的共聚物来维持所述均匀厚度。

公开(公告)号：CN105051863A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480015196.X

申请日：2014-02-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·伍伊斯特尔 ,  E·皮特斯

IPC: H01L21/027 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76802

Abstract: 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。

公开(公告)号：CN104321700A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380013521.4

申请日：2013-02-07

Applicant: 得克萨斯大学体系董事会

Inventor： C·G·威尔森 ,  W·J·杜兰德 ,  C·J·埃利森 ,  C·M·贝茨 ,  濑下武宏 ,  J·卡申 ,  L·J·桑托斯 ,  L·迪安 ,  E·L·劳施

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B29C43/32 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/30 ,  C03C17/3405 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/44 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/809 ,  Y10S977/811 ,  Y10S977/839 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31931

Abstract: 本发明使用真空沉积的材料薄膜，形成与下面的嵌段共聚物薄膜的不同域无优先相互作用的界面。无优先界面防止形成湿润层并影响嵌段共聚物内的域取向。沉积的聚合物的目的是在嵌段共聚物薄膜内产生可充当平版印刷图案的纳米结构特征。

公开(公告)号：CN104231514A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410288684.X

申请日：2014-06-24

Applicant: 陶氏环球技术有限公司 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： R·夏尔马 ,  P·D·胡斯塔德 ,  P·特雷福纳斯三世 ,  D·王 ,  李明琦 ,  J·J·张

IPC: C08L53/00 ,  C08L33/12 ,  C08L33/14

CPC classification number: C09D153/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C08G77/442 ,  C08L53/00 ,  C08L83/10 ,  G03F7/0002 ,  C08L33/12

Abstract: 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。

公开(公告)号：CN103843112A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047901.5

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李正烈 ,  张有珍 ,  李载禹 ,  金宰贤

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明公开一种无需大量曝光和硬化引导图案就能形成20纳米级线宽的图案的用于形成半导体器件精细图案的方法。方法包括以下步骤：（a）在形成有有机防反射涂层的晶片上形成光致抗蚀剂层；（b）曝光光致抗蚀剂层并通过负色性显影溶液显影光致抗蚀剂层以形成引导图案；（c）在形成有引导图案的晶片上形成中立层；（d）显影引导图案以移除引导图案并形成具有由移除引导图案造成的开口部的中立层图案；（e）在形成有中立层图案的衬底上涂覆定向自组装（DSA）材料的嵌段共聚物（BCP），在超过玻璃化转变温度（Tg）的温度下加热衬底以形成定向自组装图案；以及（f）在定向自组装图案中通过使用氧等离子体选择性蚀刻具有相对低蚀刻电阻率（或高蚀刻率）的部分以形成精细图案。

公开(公告)号：CN103562245A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280019810.0

申请日：2012-03-16

Applicant: LG化学株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 韩阳奎 ,  李济权 ,  金水火

IPC: C08F297/00 ,  C08F220/10 ,  C08F220/54 ,  G03F7/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08F22/38 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/56 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种二嵌段共聚物、制备该共聚物的方法以及使用该共聚物形成纳米图案的方法，所述二嵌段共聚物可以有助于形成更精细的纳米图案，并可以用于制造包括纳米图案的电子器件或生物传感器等。该二嵌段共聚物包含：刚性链段，其包含至少一个特定的基于丙烯酰胺的重复单元；以及柔性链段，其包含至少一个(甲基)丙烯酸酯类重复单元。

公开(公告)号：CN103402908A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180049660.3

申请日：2011-10-12

Applicant: 马克思-普朗克科学促进协会

Inventor： C·莫尔哈德 ,  C·帕霍尔斯基 ,  J·P·施帕茨 ,  R·布伦纳

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B29C59/002 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明涉及一种特别在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的改进方法，所述结构可用作NIL、热压印或注射成型工艺中的母模。所述方法涉及以下步骤：使用通过胶束嵌段共聚物纳米光刻工艺制成的金属纳米粒子的有序阵列装饰表面；以50-500nm的深度将主基底蚀刻，其中所述纳米粒子作为掩膜，并且由此制备了对应于所述纳米粒子位置的纳米柱或纳米锥的有序阵列；在结构化过程使用纳米结构化的母模或者模板。而且，已完成的纳米结构化的基底表面可以用作涂覆有连续的金属层的牺牲母模，并且然后将该母模蚀刻掉，以留下具有纳米孔的有序阵列的金属模板，其中所述纳米孔的有序阵列为纳米柱或纳米锥原始阵列的负阵列。