公开(公告)号：CN1702805A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510071639.X

申请日：2005-02-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 赵晟希 ,  朴钟换 ,  李常贤

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明涉及电子发射源和电子发射装置及其制造方法。形成电子发射源的方法包括：沉积至少一种带电的粒子到带有相反电荷的衬底上，该带电粒子选自由碳基材料、金属粒子、无机粒子、有机材料构成的组。方法给出在用于电子发射装置的电子发射源上选择性地以预定图案沉积碳纳米管，没有残留剩余的有机碳。得到的电子发射装置展现了良好的寿命和电子发射特性。该方法不需要另外的表面处理。

公开(公告)号：CN1467786A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN02150131.9

申请日：2002-11-01

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 陈杰良

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/04 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446 ,  Y10S977/952

Abstract: 一种场发射显示元件，其包括一阴极板、一电阻缓冲层、多个电子发射单元及一阳极板。该电阻缓冲层与该阴极板接触，多个电子发射单元形成在该电阻缓冲层上，该阳极板与该电阻缓冲层之间有一空间区域，荧光粉层涂布在该阳极板上。每一电子发射单元皆由第一部分和第二部分构成，该电阻缓冲层与该电子发射单元的第一部分由氧化硅制成。且该电阻缓冲层与该第一部分的电阻率为渐变分布，越接近阴极板电阻率越大，越接近阳极板电阻率越小，该第二部分的材质为金属铌。当在阴极板与阳极板之间施加发射电压时，从第二部分发射的电子经由电场加速横穿所述空间区域后为阳极板上的荧光粉层接收并发光，因该电阻缓冲层与该第一部分的电阻率呈渐变分布，因而，发射电子所需的发射电压较低。

公开(公告)号：CN1462463A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN02801378.6

申请日：2002-04-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  相泽浩一 ,  本多由明 ,  栎原勉 ,  渡部祥文 ,  幡井崇 ,  马场彻 ,  竹川宜志

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n－型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n－型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加给直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n－型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。

公开(公告)号：CN1417827A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02142595.7

申请日：2002-09-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  竹川宜志 ,  相泽浩一 ,  幡井崇 ,  栎原勉 ,  本多由明 ,  渡部祥文 ,  马场徹

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e－)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。

公开(公告)号：CN1164929A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96191006.2

申请日：1996-07-19

Applicant: 卡西欧计算机株式会社 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 中村修 ,  铃木滋生

IPC: H01J1/30 ,  H01J61/78 ,  H01J61/067 ,  H01J17/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G02F1/1336 ,  H01J1/30 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/305 ,  H01J61/32 ,  H01J61/70 ,  H01J61/72 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2217/49271 ,  H01J2329/00

Abstract: 用气相淀积(由电阻加热或用电子束实现)或溅射方法在由Ni-Cr合金(INCONEL601)制成的基板33上制作一个厚度范围为1000-约3000的钇膜34。将得到的由基板33和钇膜34组成的结构置于安装在带有入气口38和出气口39的反应炉31中的平台32上。通过入气口38将氢引入炉子31，使炉子1充满氢。氧和/或含氧物质按体积的浓度为1％或更低。含氧物质是以气相形式存在的水。将氢气氛从正常温度加热到约600℃，这样在约600℃下对结构加热10-60分钟，从而形成一个覆盖着钇膜体35的氧化钇膜36。

公开(公告)号：CN102629538B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201210107766.0

申请日：2012-04-13

Applicant: 吴江炀晟阴极材料有限公司

Inventor： 严建新

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  C23C16/40 ,  H01J1/14 ,  H01J9/025 ,  H01J37/06 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2237/06316 ,  Y10T428/2916

Abstract: 本发明公开了一种电极材料。此电极材料易于电子注射且不会和接触物质反应。此电极材料的结构包括一个导电的化合物基材，以及覆设在这个化合物基材表面的氧化物电子发射层。本发明的氧化物电子发射层能够与作为发射基体的化合物基材牢固结合，且具有低逸出功和高化学稳定性。

公开(公告)号：CN102884605A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180017218.2

申请日：2011-04-04

Applicant: 光实验室瑞典股份公司

Inventor： 胡秋红

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。

公开(公告)号：CN101663724A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200780042058.0

申请日：2007-11-15

Applicant: 蒂尔·克斯曼

Inventor： 蒂尔·克斯曼

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明涉及一种带阴极的场致发射装置，该装置具有电子(2)发射区(1)。所述场致发射装置用于以尽可能低的电压产生在技术上可用的电子流，其以这样的方式配备以致于发射区(1)具有由多个个别地定位或可个别地定位的原子(4)或分子构成的结构。

公开(公告)号：CN100508100C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN02829338.X

申请日：2002-07-18

Applicant: (由空军部长代表的)美利坚合众国

Inventor： D·A·小施弗勒

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J23/04

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

Abstract: 一种在真空管中使用的场发射冷阴极(11)。碳丝绒材料(25)由垂直于基体材料嵌入的高纵横比的碳纤维组成。碳丝绒材料(25)的尖端和/或杆部上涂覆有低功函铯盐。碳丝绒材料(25)的基体材料被结合到阴极表面(27)。冷阴极(11)当施加电场时发射电子，即使在小于900℃的操作温度下。

公开(公告)号：CN100446154C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200480022995.6

申请日：2004-06-09

Applicant: 宋健民

Inventor： 宋健民

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/16 ,  H01J1/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  C01B32/25 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30457

Abstract: 本发明提供了一种无晶钻石电子发生器具有一至少部分被无晶钻石材料(5)覆盖的阴极(25)，和一结合在该阴极(25)和一阳极间(30)的中间构件(55)。该无晶钻石材料(5)包括至少大约90%的碳原子，该碳原子中有至少大约20%键结在扭曲四面体中。无晶钻石被覆层(5)有一与阴极(25)的一基板相接触的能量输入表面(10)，和一与该能量输入表面相对的一电子发射表面(15)。该电子发射表面(15)的粗糙度为大约10至大约1，000nm，且当一充足的能量输入时能够发射电子。该中间构件(55)能够被耦合至该无晶钻石被覆层(5)的电子发射表面(15)，以致于该中间构件(55)的材料的热传导率低于大约100W/mK及电阻率在20℃时低于大约80μΩ-cm。该无晶钻石电子发生器是一种具有改进电子发射特性的热电子发射设备。