公开(公告)号：US07609815B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US11757137

申请日：2007-06-01

Applicant: Ka-Ngo Leung ,  Qing Ji ,  William A. Barletta ,  Ximan Jiang ,  Lili Ji

Inventor： Ka-Ngo Leung ,  Qing Ji ,  William A. Barletta ,  Ximan Jiang ,  Lili Ji

IPC: H01J35/06

CPC classification number: G01N23/203 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01V5/0008 ,  H01J3/025 ,  H01J3/04 ,  H01J27/024 ,  H01J35/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/077 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3172 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2235/06 ,  H01J2235/068 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/3171

Abstract: Techniques for controllably directing beamlets to a target substrate are disclosed. The beamlets may be either positive ions or electrons. It has been shown that beamlets may be produced with a diameter of 1 μm, with inter-aperture spacings of 12 μm. An array of such beamlets, may be used for maskless lithography. By step-wise movement of the beamlets relative to the target substrate, individual devices may be directly e-beam written. Ion beams may be directly written as well. Due to the high brightness of the beamlets from extraction from a multicusp source, exposure times for lithographic exposure are thought to be minimized. Alternatively, the beamlets may be electrons striking a high Z material for X-ray production, thereafter collimated to provide patterned X-ray exposures such as those used in CAT scans. Such a device may be used for remote detection of explosives.

Abstract translation: 公开了用于将子束可控地引导到目标衬底的技术。 子束可以是正离子或电子。 已经表明，可以制造直径为1um的子束，孔径间隔为12μm。 这种子束的阵列可用于无掩模光刻。 通过子束相对于目标衬底的逐步运动，各个器件可以被直接电子束写入。 离子束也可以直接写入。 由于从多焦源提取的子束的高亮度，认为光刻曝光的曝光时间被最小化。 或者，子束可以是撞击高Z材料用于X射线产生的电子，然后准直以提供图案化的X射线曝光，例如在CAT扫描中使用的那些。 这种装置可用于远程检测炸药。

公开(公告)号：US20090114815A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US11935738

申请日：2007-11-06

Applicant: Bo H. Vanderberg ,  William F. DiVergilio

Inventor： Bo H. Vanderberg ,  William F. DiVergilio

IPC: H01J37/317 ,  B05C5/02 ,  H01J17/16

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/06366

Abstract: A plasma electron flood system, comprising a housing configured to contain a gas, and comprising an elongated extraction slit, and a cathode and a plurality of anodes residing therein and wherein the elongated extraction slit is in direct communication with an ion implanter, wherein the cathode emits electrons that are drawn to the plurality of anodes through a potential difference therebetween, wherein the electrons are released through the elongated extraction slit as an electron band for use in neutralizing a ribbon ion beam traveling within the ion implanter.

Abstract translation: 一种等离子体电子泛洪系统，包括构造成容纳气体的壳体，并且包括细长的提取狭缝以及驻留在其中的阴极和多个阳极，并且其中所述细长的提取狭缝与离子注入机直接连通，其中所述阴极 发射通过它们之间的电位差吸引到多个阳极的电子，其中电子通过细长的提取狭缝释放，作为用于中和在离子注入机内行进的带状离子束的电子带。

公开(公告)号：US20080049888A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11757137

申请日：2007-06-01

Applicant: Ka-Ngo Leung ,  Qing Ji ,  William Barletta ,  Ximan Jiang ,  Lili Ji

Inventor： Ka-Ngo Leung ,  Qing Ji ,  William Barletta ,  Ximan Jiang ,  Lili Ji

IPC: G21K1/02 ,  G01N23/203 ,  H01J37/08

CPC classification number: G01N23/203 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01V5/0008 ,  H01J3/025 ,  H01J3/04 ,  H01J27/024 ,  H01J35/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/077 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3172 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2235/06 ,  H01J2235/068 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/3171

Abstract: Techniques for controllably directing beamlets to a target substrate are disclosed. The beamlets may be either positive ions or electrons. It has been shown that beamlets may be produced with a diameter of 1 μm, with inter-aperture spacings of 12 μm. An array of such beamlets, may be used for maskless lithography. By step-wise movement of the beamlets relative to the target substrate, individual devices may be directly e-beam written. Ion beams may be directly written as well. Due to the high brightness of the beamlets from extraction from a multicusp source, exposure times for lithographic exposure are thought to be minimized. Alternatively, the beamlets may be electrons striking a high Z material for X-ray production, thereafter collimated to provide patterned X-ray exposures such as those used in CAT scans. Such a device may be used for remote detection of explosives.

Abstract translation: 公开了用于将子束可控地引导到目标衬底的技术。 子束可以是正离子或电子。 已经表明，可以制造直径为1um的子束，孔径间隔为12μm。 这种子束的阵列可用于无掩模光刻。 通过子束相对于目标衬底的逐步运动，各个器件可以被直接电子束写入。 离子束也可以直接写入。 由于从多焦源提取的子束的高亮度，认为光刻曝光的曝光时间被最小化。 或者，子束可以是撞击高Z材料用于X射线产生的电子，然后准直以提供图案化的X射线曝光，例如在CAT扫描中使用的那些。 这种装置可用于远程检测炸药。

公开(公告)号：US4827137A

公开(公告)日：1989-05-02

申请号：US856950

申请日：1986-04-28

Applicant: George J. Collins ,  Jayaram Krishnaswamy

Inventor： George J. Collins ,  Jayaram Krishnaswamy

IPC: G03F7/20 ,  H01J37/317

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/2047 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/31788

Abstract: A cold cathode glow discharge electron gun operating in the abnormal glow region produces a wide area collimated electron beam employed for flood exposure of thin film materials through electron beam transmission masks, resulting in spatially localized exposure and patterning of the thin film materials.

Abstract translation: 在异常辉光区域中操作的冷阴极辉光放电电子枪产生用于薄膜材料通过电子束透射掩模进行暴露曝光的广泛准直电子束，导致薄膜材料的空间局部曝光和图案化。

公开(公告)号：WO2014193207A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/LV2013/000013

申请日：2013-11-27

Applicant: КРАВЦОВ, Анатолий ,  ТУГАЙ, Боpис ,  МЕЛЬНИК, Виталий

Inventor： КРАВЦОВ, Анатолий ,  ТУГАЙ, Боpис ,  МЕЛЬНИК, Виталий

IPC: H01J37/301

CPC classification number: H01J37/301 ,  C22B9/228 ,  H01J37/077 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/06366

Abstract: Предлагаемое изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к газорозрядным электронным пушкам технологического назначения и может быть применено для электронно-лучевой плавки, испарения и других термических процессов, проводимых в вакууме с использованием мощных электронных пучков. Целью предлагаемого изобретения является расширение диапазона рабочих давлений при использовании для термических процессов газоразрядных электронных пушек и повышение стабильности их работы. Указанная цель достигается тем, что в газоразрядной электронной пушке, содержащей расположенные в герметичном корпусе на высоковольтном изоляторе холодный вогнутый катод, соосный ему анод с отверстием для вывода электронного пучка, присоединенный к аноду лучепровод с закрепленным на нем двумя фокусирующими линзами и катушками отклонения пучка, между фокусирующей линзой и катушками отклонения расположена охватывающая лучепровод газобалластная камера, оснащенная патрубком для откачки соединенная с лучепроводом отверстиями, поперечный размер которых не превышает 5 - 6 мм, а их суммарная проводимость для газа газобалластной камерой и его срезом.

Abstract translation: 本发明涉及电子技术，更具体地涉及用于加工应用的气体放电电子枪，并且可用于使用高功率电子束在真空中进行的电子束熔化，蒸发和其它热处理。 提出的发明的目标是在使用气体放电电子束枪进行热处理时扩大工作压力的范围，并增加其工作的一致性。 规定的目标如下：包含（在高压绝缘体（2）上的密封箱（1））中的冷阴极（3），同轴阳极（4）和气体放电电子枪 用于电子束通道的开口，具有固定在其上的两个聚焦透镜（6,7）和光束偏转线圈（8）附接到阳极的光束引导件（5）在聚焦透镜 和偏转线圈，其覆盖光束引导件并且配备有用于脱气的连接分支并且通过开口（10）与横梁导向件相连，该横向尺寸不超过5-6mm，并且它们的总气体导电率超过导光板导电率 在气体镇流器室和其部分之间。

公开(公告)号：WO2010044641A2

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：PCT/KR2009/005985

申请日：2009-10-16

Applicant: 주식회사 인포비온 ,  김용환

Inventor： 김용환

IPC: H01J29/56 ,  H01J29/54 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J29/54 ,  H01J29/56 ,  H01J2237/06366

Abstract: 본 발명은 빔폭 제어가능한 전자빔 제공 장치에 관한 것이다. 상기 전자빔 제공 장치는, 플라즈마를 생성하고 유지하는 플라즈마 생성 챔버; 상기 플라즈마 생성 챔버의 외주면에 배치되어 RF 전원을 제공하는 안테나; 상기 플라즈마 생성 챔버의 출구에 장착되는 1차 그리드; 상기 1차 그리드와 일정 거리 이격되어 배치되는 2차 그리드; 입구 및 출구를 구비하고 내부는 중공부로 이루어지며, 입구가 상기 2차 그리드 측에 배치되어, 상기 입구로 유입된 전자 입자들이 사전에 설정된 빔폭을 갖는 전자빔을 형성하여 출구로 유출되는 빔폭 제어부; 상기 빔폭 제어부의 입구의 외주면을 둘러싸는 형태로 이루어져 빔폭 제어부의 입구의 외주면에 배치되는 RF 차폐링;을 구비한다. 본 발명에 따른 전자빔 제어 장치는 상기 플라즈마 생성 챔버로부터 추출된 전자입자들이 사전에 설정된 빔폭을 갖는 전자빔의 형태로 빔폭 제어부의 출구로 제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及具有可调光束宽度的电子束发生器。 所述电子束发生器包括：产生和维持等离子体的等离子体产生室; 设置在所述等离子体发生室的外周的RF发电天线; 安装在所述等离子体产生室的出口上的主栅格; 放置在远离所述主栅格的固定距离处的次级栅格; 波束宽度控制器，其包括入口，出口和中空的内部，其中入口位于所述次级栅格的侧面，并且通过所述入口引入的电子粒子形成预定波束宽度的电子束，并通过 说出口 以及设置成围绕所述光束宽度控制器的入口的外圆周设置的RF屏蔽环。 在本发明的电子束发生器中，从等离子体发生室排出的电子粒子以预定的光束宽度的电子束的形式被输送到所述光束宽度控制器的出口。

公开(公告)号：EP2312611A2

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：EP10187391.7

申请日：2010-10-13

Applicant: FEI Company

Inventor： Zhang, Shouyin ,  Miller, Tom ,  Kellogg, Sean ,  Graupera, Anthony

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J37/3005 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/31749

Abstract: A method for performing milling and imaging in a focused ion beam (FIB) system (10) employing an inductively-coupled plasma ion source (100), wherein two sets of FIB system operating parameters are utilized: a first set representing optimized parameters for operating the FIB system in a milling mode, and a second set representing optimized parameters for operating in an imaging mode. These operating parameters may comprise the gas pressure in the ICP source, the RF power to the ICP source, the ion extraction voltage, and in some embodiments, various parameters within the FIB system ion column, including lens voltages and the beam-defining aperture (305) diameter. An optimized milling process provides a maximum milling rate for bulk (low spatial resolution) rapid material removal from the surface of a substrate. An optimized imaging process provides minimized material removal and higher spatial resolutions for improved imaging of the substrate area being milled.

Abstract translation: 一种在使用电感耦合等离子体离子源（100）的聚焦离子束（FIB）系统（10）中进行铣削和成像的方法，其中利用两组FIB系统操作参数：第一组，其表示用于操作的优化参数 FIB系统处于铣削模式，以及第二组，其表示用于在成像模式下操作的优化参数。 这些操作参数可以包括ICP源中的气体压力，ICP源的RF功率，离子提取电压，以及在一些实施例中，FIB系统离子列内的各种参数，包括透镜电压和光束限定孔径 305）直径。 优化的铣削工艺提供了从基材表面快速去除材料的体积（低空间分辨率）的最大研磨速度。 优化的成像过程提供最小化的材料去除和更高的空间分辨率，用于改进正在研磨的衬底区域的成像。

公开(公告)号：EP2206137A1

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：EP08847752.6

申请日：2008-11-06

Applicant: Axcelis Technologies, Inc.

Inventor： VANDERBERG, Bo ,  DIVERGILIO, William

IPC: H01J37/077 ,  H01J3/00 ,  H01J37/02 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/06366

Abstract: A plasma electron flood system, comprising a housing configured to contain a gas, and comprising an elongated extraction slit, and a cathode and a plurality of anodes residing therein and wherein the elongated extraction slit is in direct communication with an ion implanter, wherein the cathode emits electrons that are drawn to the plurality of anodes through a potential difference therebetween, wherein the electrons are released through the elongated extraction slit as an electron band for use in neutralizing a ribbon ion beam traveling within the ion implanter.

公开(公告)号：EP2203928A1

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：EP08842593.9

申请日：2008-10-22

Applicant: Axcelis Technologies, Inc.

Inventor： DIVERGILIO, William

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/077 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31701

Abstract: An ion source 100, comprising a first plasma chamber 102 including a plasma generating component 104 and a first gas inlet 122 for receiving a first gas such that said plasma generating component 104 and said first gas interact to generate a first plasma within said first plasma chamber 102, wherein said first plasma chamber 102 further defines an aperture 114 for extracting electrons from said first plasma, and a second plasma chamber 116 including a second gas inlet 118 for receiving a second gas, wherein said second plasma chamber 116 further defines an aperture 117 in substantial alignment with the aperture 112 of said first plasma chamber 102, for receiving electrons extracted therefrom, such that the electrons and the second gas interact to generate a second plasma within said second plasma chamber 116, said second plasma chamber 116 further defining an extraction aperture 120 for extracting ions from said second plasma.

公开(公告)号：US11862426B1

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：US16024215

申请日：2018-06-29

Applicant: Teledyne FLIR Detection, Inc.

Inventor： James Mitchell Wells ,  Douglas K. Martins ,  Mark Gildersleeve ,  Rakesh Patel

IPC: H01J3/02

CPC classification number: H01J3/025 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/06375

Abstract: The present disclosure provides electron source devices, electron source assemblies, and/or methods for generating electrons. The generated electrons can be used to facilitate spectroscopy, such as mass spectrometry, including mass selection or ion mobility.