公开(公告)号：CN104299871A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310297942.6

申请日：2013-07-16

Applicant: 上海凯世通半导体有限公司

Inventor： 洪俊华 ,  陈炯

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明公开了一种离子源系统和离子束流系统。所述离子源系统包括一离子源反应腔，其特征在于，所述离子源系统还包括一引出电极组，所述引出电极组的引出狭缝与所述离子源反应腔的狭缝开口对应，所述引出电极组调节所述引出狭缝处的等离子体弯月面，所述等离子体弯月面在所述引出狭缝的狭缝方向上聚焦离子束流和/或在所述引出狭缝的狭缝方向的垂直方向上发散离子束流。本发明通过特有的离子源扩展方式，能够在相匹配的束流传输系统结构下，避开了加大束流强度的瓶颈，从而可成倍地增大离子束在工件上的流强，提高注入离子束的带状分布均匀性，减少带状离子束的束流调整时间和束流强度损耗。

公开(公告)号：CN102419278A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110249509.6

申请日：2011-07-06

Applicant: 卡姆特有限公司

Inventor： D·伯格斯拉夫斯基 ,  C·史密斯

IPC: G01N1/28

CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01N1/32 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/24455 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3151

Abstract: 本发明涉及制备样品的系统和方法，该方法可以包括操纵掩模和样品，因此将样品的不同侧面暴露给离子减薄机。操纵可以包括在保持样品和掩模之间的空间关系不变的同时，旋转掩模和样品。

公开(公告)号：CN101410545B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200780010873.9

申请日：2007-03-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 高桥幸弘 ,  滨本辉文 ,  新出谦一

IPC: C23C14/22 ,  G02B1/11

CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/221 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  C23C16/30 ,  G02B1/11 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

Abstract: 离子枪系统(60)，其具备：照射离子束的离子枪(14)；向该离子枪供给电力的电源装置(61)；将2种气体分别导入离子枪的2个质量流量调整器(64、65)；与电源装置连接，作为对从该电源装置向离子枪供给的供给电力进行控制的离子枪控制单元的控制装置(12)；和与质量流量调整器连接，作为对从该质量流量调整器向离子枪的导入气体流量进行控制的质量流量控制单元的控制装置(12)；其中作为质量流量控制单元的控制装置(12)具备在离子枪稳定运转的范围内阶段性地变更2种气体各自的导入流量的设定值，以变更为其他设定值的功能，由此能够缩短成膜时间。

公开(公告)号：CN100594257C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200610004409.6

申请日：2006-02-10

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 李民镛

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/56 ,  H01J25/50 ,  H01J37/317 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01J37/3172 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/3171 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种非均一离子注入设备，包括：宽离子束产生器，用于产生宽离子束，该宽离子束包含照射在晶片被分成多个区中的至少二个区上的多个宽离子束；及晶片驱动单元，用于当以该宽离子束产生器所产生的宽离子束被照射在晶片上时垂直地往复移动该晶片。至少该宽离子束之一具有剂量不同于至少另一宽离子束的剂量。

公开(公告)号：CN101438368A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200680047932.5

申请日：2006-12-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉塞尔·J·罗 ,  乔纳森·G·英格兰 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森

IPC: H01J3/14

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J37/15 ,  H01J37/18 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/1503 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/188 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。

公开(公告)号：CN101410929A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010801.4

申请日：2007-03-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约瑟·C·欧尔森 ,  摩根·艾文斯

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317 ,  H01J37/302 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/026 ,  H01J37/1477 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/30488 ,  H01L21/265

Abstract: 一种具有可变扫描频率的离子植入机包括离子束产生器，其产生离子束；扫描器，其沿至少一方向以一扫描频率对所述离子束进行扫描；及控制器。所述控制器根据所述离子植入机的操作参数控制所述扫描频率，所述操作参数至少部分取决于所述离子束的能量，若所述能量高于能量阀(threshold)值，则所述扫描频率高于扫描频率阀值，若所述能量低于所述能量阀值，则所述扫描频率低于所述扫描频率阀值。

公开(公告)号：CN101233597A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680028442.0

申请日：2006-06-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： J·范德波特 ,  黄永灿

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供了一种用于减轻在离子注入期间的污染的系统、方法以及装置。本发明提供了离子源、终点台以及设置在离子源与终点台之间的质量分析器，其中离子束由离子源形成且经由质量分析器而行进至终点台。离子束收集组件包括：粒子收集器、粒子吸引器以及与质量分析器连接的屏蔽。其中，可操作粒子吸引器的电位，以将污染粒子吸引并限制在粒子收集器中，并且其中可操作该屏蔽，以将粒子吸引器的电位与质量分析器中离子束的电位屏蔽。

公开(公告)号：CN101061563A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580039355.0

申请日：2005-09-08

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： M·葛瑞夫 ,  A·芮

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/30488

Abstract: 在连续注入工艺中，以产生与工件的尺寸、形状和/或其他尺寸相仿的扫描图案的方式将离子注入工件。当工件往复通过的离子束未明显“过冲”工件时，就可以提高效率和产量。然而，扫描图案可略大于该工件，以在少量“过冲”内适应在往复地反转方向时与该工件的方向、速度和/或加速度相关联的惯性效应。这有助于以比较固定的速度移动工件通过离子束，从而基本上实现更均匀的离子注入。

公开(公告)号：CN103367087B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310104256.2

申请日：2013-03-28

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： T.米勒 ,  S.克罗格 ,  J.兹布拉内克

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/045 ,  H01J37/243 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/0805 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31749

Abstract: 一种用于关闭和恢复离子束系统中的离子束的改进的方法和设备。优选实施例提供了一种用于改善对聚焦离子束源的功率控制的系统，其利用自动检测带电粒子射束系统何时空闲（即射束本身未在使用中），并且之后使射束电流自动降低至在离子柱中的任何孔径面处发生很少或不发生离子铣削的程度。优选实施例包括控制器，其可操作成在检测到带电粒子射束系统的离子源的空闲状态时修改施加到提取器电极的电压和/或降低施加到源电极的电压。

公开(公告)号：CN103811255B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201310498683.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 月原光国 ,  椛泽光昭

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/30472

Abstract: 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置（100）具备用于从离子源（102）向注入处理室（106）输送离子的射束线装置（104）。注入处理室（106）具备对射束照射区域（105）机械式地扫描被处理物（W）的物体保持部（107）。射束线装置（104）能够在适合输送用于向被处理物（W）进行高剂量注入的低能量/高电流射束的第1注入设定结构（S1）或适合输送用于向被处理物（W）进行低剂量注入的高能量/低电流射束的第2注入设定结构（S2）下作动。在第1注入设定结构（S1）和第2注入设定结构（S2）中，射束线中成为基准的射束中心轨道自离子源（102）至注入处理室（106）相同。