公开(公告)号：KR102239052B1

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020180154994A

申请日：2018-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카미츠 모치즈키

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/682 ,  H01L21/683

Abstract: (과제) 반송 기구와 탑재대의 사이에서 기판을 수수하는 수수 위치를, 탑재대에 가공을 실시하는 일 없이 티칭하는 것이 가능한 반송 기구의 티칭 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 일 실시 형태의 티칭 방법은, 탑재대에 기판을 반송하는 반송 기구의 티칭 방법으로서, 바깥 주연부에 복수의 촬영 수단을 갖는 검사용 기판을, 상기 반송 기구와 상기 탑재대의 사이에서 상기 기판을 수수하는 수수 위치에 반송하는 반송 스텝과, 상기 수수 위치에서 상기 복수의 촬영 수단에 의해 상기 탑재대의 외주를 포함하는 일부분을 촬영하는 촬영 스텝과, 상기 복수의 촬영 수단에 의해 촬영된 화상에 근거하여, 상기 탑재대의 중심 위치를 산출하는 산출 스텝과, 상기 산출 스텝에서 산출된 상기 탑재대의 중심 위치와, 상기 수수 위치에서의 상기 검사용 기판의 중심 위치에 근거하여, 상기 수수 위치를 보정하는 보정 스텝을 갖는다.

公开(公告)号：KR20210037641A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020210037157A

申请日：2021-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스히로 다카키 ,  히로시 고미야 ,  치카라 노부쿠니 ,  게이고 사타케 ,  아츠시 아나모토

IPC: H01L21/02 ,  G05D11/13 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02041 ,  G05D11/138 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67253

Abstract: 본 발명은, 정확한 농도의 처리액을 기판에 공급하는 것을 목적으로 한다.
기판 액처리 장치는, 탱크(102)와, 순환 라인(104)과, 분기 라인(112)을 통해 순환 라인에 접속되고, 순환 라인을 흐르는 처리액을 이용하여 기판에 액처리를 실시하는 처리부(16)와, 적어도 2종류의 원료액의 각각의 공급원으로부터 공급되는 원료액을 제어된 혼합비로 혼합하여 처리액을 생성하는 처리액 생성 기구(206A, 206B, 208)와, 순환 라인을 흐르는 처리액의 농도 및 처리액 공급 라인을 흐르는 처리액의 농도를 측정하는 농도 측정 장치(212)(또는 212')와, 측정된 처리액의 농도에 기초하여 처리액 생성 기구를 제어하는 제어 장치(4)를 구비한다.

公开(公告)号：KR20210035218A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020217004556A

申请日：2019-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다쿠야 구보 ,  강송윤

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 기판은, 에칭층과 마스크를 구비한다. 마스크는, 에칭층의 제1 표면 상에 마련된다. 이 방법은, 제1 공정, 제2 공정 및 제3 공정을 구비한다. 제1 공정은, 마스크의 제2 표면에 제1 막을 형성한다. 제2 공정은, 에칭층의 제1 표면을 에칭함으로써, 에칭층의 재료를 갖는 제2 막을 제1 막 상에 형성한다. 제3 공정은, 제2 공정 후의 기판을 처리 가스의 플라스마에 노출시킴으로써, 제1 막 및 제2 막을 제거한다. 제1 막은, 전극 재료를 갖는다. 처리 가스는, 산소를 갖는다.

公开(公告)号：KR20210035072A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020207025237A

申请日：2019-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 치시오 고시미즈 ,  신지 구보타 ,  고지 마루야마 ,  다카시 도칸 ,  고이치 나가미

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01J2237/3347

Abstract: 피처리체를 배치하는 제1 전극과, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극을 갖는 플라즈마 처리 장치의 제어 방법으로서, 바이어스 파워를 상기 제1 전극에 공급하는 공정과, 부의 직류 전압을 상기 제2 전극에 공급하는 공정을 가지며, 상기 부의 직류 전압은, 제1 전압값을 취하는 제1 상태와, 절대값이 상기 제1 전압값보다 작은 제2 전압값을 취하는 제2 상태를 주기적으로 반복하고, 상기 제1 상태를, 상기 바이어스 파워의 고주파의 주기에 동기되는 신호의 각 주기 내의 부분 기간, 또는 상기 바이어스 파워의 전달 경로에서 측정된, 주기적으로 변동하는 파라미터의 각 주기 내의 부분 기간에 인가하며, 상기 제2 상태를 상기 제1 상태와 연속하여 인가하는 제1 제어 공정을 포함하는 제어 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR20210033426A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020200118591A

申请日：2020-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가즈나가 오노 ,  아츠시 고미 ,  다츠오 하타노 ,  야스히로 오타기리 ,  도모유키 후지하라 ,  유우키 모토무라

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  H01J37/3447 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/203

Abstract: 본 발명은, 타겟에 근접한 셔터를 폐쇄한 상태에서 프리스퍼터를 행하고 개방한 상태에서 본스퍼터를 행하는 처리를 반복할 때에, 셔터의 실드 라이프를 길게 할 수 있는 스퍼터 방법 및 스퍼터 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
타겟과, 타겟에 근접하여 설치된 셔터를 갖는 스퍼터 장치에 의한 스퍼터 방법은, 셔터의 차폐부에 의해 타겟을 차폐한 상태에서, 상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 방출시켜 프리스퍼터를 행하는 공정과, 프리스퍼터하는 공정 후, 셔터의 개구부를 타겟에 대응시킨 상태에서, 타겟으로부터 스퍼터 입자를 방출시켜, 성막 대상에 스퍼터 입자를 퇴적시키는 본스퍼터를 행하는 공정을 가지며, 프리스퍼터를 행하는 공정과, 본스퍼터를 행하는 공정을 반복하여 행할 때에, 프리스퍼터하는 공정의 셔터의 위치를 변화시켜, 셔터의 차폐부의 타겟에 대응하는 위치를 변화시킨다.

公开(公告)号：KR102232633B1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020200048786A

申请日：2020-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카시 가미오 ,  도시아키 후지사토

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명은, 챔버 내에 배치된 스테이지의 외연부에서의 파티클의 발생을 억제하는 것을 목적으로 한다. 챔버 내에 배치된 스테이지와, 상기 스테이지의 외연부에 설치되고, 상기 챔버 내를 상기 스테이지의 상부의 처리 공간과 상기 스테이지의 하부의 보텀 공간으로 구획하는 커버 부재를 갖는 처리 장치로서, 상기 커버 부재는, 상기 스테이지의 표면과 면 접촉하는 제1 돌출부와, 상기 제1 돌출부와 이격해서 상기 스테이지의 표면과 면 접촉하는 제2 돌출부와, 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부와의 사이에서 상기 커버 부재와 상기 스테이지에 의해 형성된 버퍼 공간으로부터 가스를 배기하는 배기로를 갖는 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR102229762B1

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020167021739A

申请日：2015-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가즈히로 구보타 ,  마사노부 혼다

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/31116 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334

Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기와, 처리 공간과 비처리 공간으로 처리 용기 내부를 구획하는 부재로서, 라디칼을 투과하며 또한 이온을 포착하는 이온 포착 부재와, 처리 공간에 배치된 배치대와, 비처리 공간에 제1 처리 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 처리 공간에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 제1 처리 가스를 플라즈마화하는 고주파 전력을 공급함으로써, 비처리 공간에 있어서 라디칼 및 이온을 생성하는 제1 고주파 전원과, 제2 처리 가스를 플라즈마화하는 고주파 전력을 배치대에 공급함으로써, 이온 포착 부재에 의해 처리 공간에 투과되는 라디칼과는 별도로, 처리 공간에 있어서 라디칼 및 이온을 생성하는 제2 고주파 전원과, 제2 고주파 전원으로부터의 고주파 전력보다 주파수가 낮은 고주파 전력을 배치대에 공급함으로써, 처리 공간에 있어서 생성되는 이온을 피처리체에 인입하는 제3 고주파 전원을 구비한다.

公开(公告)号：KR20210031608A

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020200110796A

申请日：2020-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마사시 이케가미

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32697 ,  B23Q3/15 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H02N13/00

Abstract: (과제) 간이하게 링 부재의 흡착력의 저하를 억제하는 것.
(해결 수단) 플라즈마 처리의 대상이 된 기판 및 기판의 주위를 둘러싸도록 링 부재가 탑재되는 탑재대의 내부의, 적어도 링 부재에 대응하는 영역에 마련된 전극에 대하여, 플라즈마 처리의 처리 단위마다, 상이한 극성의 전압을 인가한다.

公开(公告)号：KR102229996B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020190156211A

申请日：2019-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신지로 와타나베

IPC: G01R3/00 ,  G01R1/073 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R31/2601 ,  G01R1/07342 ,  G01N21/8851 ,  G01R1/07307 ,  G01R1/07364 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2886 ,  G01R35/00 ,  G01N2021/8887 ,  G01R31/287

Abstract: 프로브 카드의 수명을 고정밀도로 관리한다.
프로브 카드 관리 시스템은, 검사 장치와 복수의 관리 장치를 구비한다. 각각의 검사 장치는, 카메라와, 검사부와, 송신부를 갖는다. 검사부는, 카메라에 의해 촬영된 프로브 바늘의 바늘끝 화상으로부터, 각 프로브 바늘의 바늘끝의 상태를 측정하고, 측정 결과에 기초하여, 피검사체에 마련된 복수의 테스트 패드의 각각에 프로브 바늘의 바늘끝을 접촉시켜, 복수의 프로브 바늘의 바늘끝을 통하여 피검사체에 전기 신호를 공급함으로써 피검사체를 검사한다. 송신부는, 측정 결과 및 프로브 카드에 의해 행하여진 검사의 실행 횟수를 관리 장치로 송신한다. 관리 장치는, 임계값 특정부와, 통지부를 갖는다. 임계값 특정부는, 프로브 카드마다, 측정 결과 및 실행 횟수에 기초하여, 프로브 카드의 수명으로 다 되는 실행 횟수의 임계값을 특정한다. 통지부는, 프로브 카드마다, 현재까지의 실행 횟수와 임계값을 외부에 통지한다.

公开(公告)号：KR102229995B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020190002736A

申请日：2019-01-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케시 이타타니 ,  히데아키 야마사키

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32559 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67248

Abstract: 본 발명은, 성막 처리 후의 기판 상의 파티클의 개수를 저감시키는 것이 가능한 프리코팅 방법을 제공한다. 일 실시 형태의 프리코팅 방법에서는, (i) 챔버 내의 내부 공간에 제1 가스가 공급된다. 이어서, 내부 공간에 제2 가스가 공급된다. 이어서, 내부 공간에 제3 가스가 공급된다. 제1 가스 중의 금속 원료 가스의 유량에 대한 수소 함유 가스의 유량의 비율은, 제2 가스 중의 금속 원료 가스의 유량에 대한 수소 함유 가스의 유량의 비율 및 제3 가스 중의 금속 원료 가스의 유량에 대한 수소 함유 가스의 유량의 비율보다도 높고, 제1 가스 중의 금속 원료 가스의 유량은, 제2 가스 중의 금속 원료 가스의 유량 및 제3 가스 중의 금속 원료 가스의 유량보다도 적다.