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    투명전극
    42.
    发明授权
    투명전극 有权

    公开(公告)号：KR101892542B1

    公开(公告)日：2018-08-28

    申请号：KR1020160078002

    申请日：2016-06-22

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 김준호 ,  성태연

    IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01B1/02 ,  C03C17/23 ,  C03C17/09 ,  B82B3/00

    Abstract: 본발명은투명전극에관한것으로서, 본발명에따른투명전극은기판(1) 상(on)에형성되는하부산화물층(10), 하부산화물층(10) 상에형성되고, 두께방향을따라관통된다수의미세기공(21)을구비하는금속기공층(20), 및금속기공층(20) 상에형성하는상부산화물층(30)을포함한다.

    IGZO/금속/IGZO 다층박막 구조를 포함하는 투명 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
    44.
    发明授权
    IGZO/금속/IGZO 다층박막 구조를 포함하는 투명 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
    透明薄膜晶体管及其制造方法，包括IGZO /金属/ IGZO薄膜多层结构

    公开(公告)号：KR101830494B1

    公开(公告)日：2018-02-21

    申请号：KR1020160011375

    申请日：2016-01-29

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 김준호 ,  성태연

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

    Abstract: 본발명은 IGZO/금속/IGZO의 3층구조를갖는플렉시블투명전극을포함하는투명박막트랜지스터및 그제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 기판의상면에게이트전극층, 절연층, 채널층및 소스및 드레인전극이적층형성되는투명박막트랜지스터로서, 상기채널층은 IGZO층으로이루어지고, 상기소스및 드레인전극은 IGZO층및 금속층이상하적층된 2층구조로이루어지며, 상기소스및 드레인전극의상기금속층이상기채널층과접하도록배치됨으로써, 상기채널층과상기소스및 드레인전극이 IGZO/금속/IGZO의 3층구조를이루는것을특징으로하는투명박막트랜지스터및 그제조방법에관한것이다. 본발명에서는, 우수한광투과도, 낮은면저항값및 양호한유연성등의특성들을가지면서도, 상온증착공정에의해서제조되어고온열처리가필요없이폴리머기판에그대로제조가가능한플렉시블투명전극을사용하여투명박막트랜지스터를제공할수 있다. 또한, 기존의산화물반도체물질의열적손상을방지하기위해열처리공정을수행하지않은상태로성막되는비정질구조의산화물소스-드레인전극은그 전기적특성및 광학적특성의한계를나타내기때문에대면적화및 투명디스플레이의스위칭기능에제한을갖게되는등의문제가있었지만, 본발명을통하여기존의비정질구조의산화물보다전기적, 광학적특성이뛰어난비정질구조의투명전극을제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明中，更具体地，栅电极层，绝缘层，沟道层和在所述衬底的上表面上的源涉及一种透明薄膜晶体管及其制造方法，其包括具有所述IGZO /金属/ IGZO的三层结构的柔性透明电极 和具有漏极电极的透明薄膜晶体管被层叠以形成由IGZO层的沟道层，源电极和漏电极是由IGZO层和金属层奇怪的层叠两层结构中，源电极和漏电极的金属层的 通过被放置在与所述移相器沟道层接触，本发明涉及一种透明的薄膜晶体管及其制造方法，其特征在于，所述沟道层和所述源电极和漏电极，在形成IGZO /金属/ IGZO的三层结构。 在本发明中，优异的透光率，低的薄层电阻和良好的同时具有柔软性的特性，常温下蒸气沉积通过使用柔性透明电极的过程的透明度产生可以被制造成不具有高温热处理的聚合物基体需要的TFT 可以提供。 另外，非晶结构被沉积以不执行退火工艺条件，以防止对现有的氧化物半导体材料的氧化物源的大面积和透明显示器的热损伤，因为漏极电极，以指示它的电性能和光学性能的限度 但在具有限制开关功能的问题，所述电氧化物比传统的无定形结构，通过本发明，可以提供一种高度无定形的结构和光学性质的透明电极。

    투명 박막 트랜지스터
    45.
    发明授权
    투명 박막 트랜지스터 有权

    公开(公告)号：KR101826429B1

    公开(公告)日：2018-02-08

    申请号：KR1020160078019

    申请日：2016-06-22

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 김준호 ,  성태연

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28

    Abstract: 본발명은투명박막트랜지스터에관한것으로, 본발명의실시예에따른투명박막트랜지스터는채널층(40) 상에소스전극(50) 및드레인전극(60)이형성되는투명박막트랜지스터에있어서, 채널층(40)은산화물반도체로형성되고, 소스전극(50) 및드레인전극(60)은각각채널층(40) 상에형성되는금속층(51, 61), 및금속층(51, 61) 상에형성되는산화물층(53, 63)을포함한다.

    압전 하베스팅 소자
    46.
    发明授权
    압전 하베스팅 소자 有权
    压电式收割元件

    公开(公告)号：KR101809376B1

    公开(公告)日：2017-12-14

    申请号：KR1020160116169

    申请日：2016-09-09

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 김준호 ,  성태연

    IPC: H01L41/083 ,  H02N2/18 ,  H01L41/047 ,  H01L41/187 ,  H01L41/193

    Abstract: 본발명은압전하베스팅소자에관한것으로서, 본발명의실시예에따른압전하베스팅소자는기판(100), 기판(100)의상부로부터이격배치되는상부전극층(300), 금속층(220), 금속층(220)의상부및 하부각각에하나씩형성된한 쌍의산화물층(210, 230)을포함하고, 기판(100)의상부에배치되는하부전극층(200), 및하부전극층(200)과상부전극층(300) 사이에배치되고, 페로브스카이트형구조체로형성된압전층(400)을포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的压电集线器装置包括衬底100，与衬底100的上表面间隔开的上电极层300，金属层220， 下电极层200和下电极层200设置在基板100的上侧并且包括形成在基板220的上部和下部上的一对氧化物层210和230， 300和由钙钛矿型结构形成的压电层400。

    산화물/금속/산화물 다층박막 구조를 갖는 투명 전극 및 그 제조방법
    47.
    发明授权
    산화물/금속/산화물 다층박막 구조를 갖는 투명 전극 및 그 제조방법 有权
    //具有氧化物/金属/氧化物多层结构的透明电极及其制备方法

    公开(公告)号：KR101707330B1

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：KR1020150146857

    申请日：2015-10-21

    Applicant: 고려대학교 산학협력단

    Inventor： 성태연 ,  김준호

    IPC: H01L33/42 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

    Abstract: 본발명은산화물/금속/산화물다층박막구조를갖는투명전극및 그제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 금속층; 및상기금속층의상면및 하면에각각적층된산화물층을포함하는 UV-LED용투명전극으로서, 상기금속층의두께는 11 nm 내지 19 nm이며, 상기금속층의두께 : 상기각각산화물층의두께는 1 : 0.1 ~ 1의비율로적층된것을특징으로하는 UV-LED용투명전극및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 자외선영역으로부터가시광선영역에이르기까지높은투과도를지니면서도, 낮은면저항값을갖고, 상온증착공정에의해서제조되어고온열처리가필요없이다양한재질의기판에그대로제조가가능한 UV-LED용투명전극을제공할수 있다.

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