公开(公告)号：KR101741062B1

公开(公告)日：2017-05-29

申请号：KR1020110022979

申请日：2011-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568

Abstract: 균질소재의전극및 피구동체를이용하여플라즈마생성에소비되는고주파의전계강도분포를제어한다. 감압가능한처리용기(100) 내로처리가스를도입하여고주파전력의파워에의해플라즈마를생성하고, 상기플라즈마에의해웨이퍼(W)에원하는플라즈마처리를실시하는플라즈마처리장치는, 복수의미세한홀(A)이형성된유전체의기재(105a)와, 복수의미세한홀(A)에반입, 반출가능한복수의막대형상부재(B)를포함한피구동체로서의가변기구(200)와, 가변기구(200)를구동함으로써복수의미세한홀(A)에복수의막대형상부재(B)를반입, 반출시키는구동기구(215)를가진다.

公开(公告)号：KR101661222B1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：KR1020100028346

申请日：2010-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32908 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/1502 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069

Abstract: 이동전극및 통형상용기의일방의단벽(端壁) 간의공간에서의플라즈마의발생을억제할수 있는기판처리장치를제공한다. 기판처리장치(10)는, 웨이퍼(W)를수용하는통 형상의챔버(11)와, 이챔버(11) 내에서챔버(11)의중심축을따라이동가능한샤워헤드(23)와, 챔버(11) 내에서샤워헤드(23)에대향하는서셉터(12)와, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14)를접속시키는신축가능한벨로즈(31)를구비하고, 샤워헤드(23) 및서셉터(12)의사이에존재하는처리공간(PS)에고주파전력이인가되고처리가스가도입되고, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의측벽(13)은비접촉이며, 샤워헤드(23) 및덮개(14) 사이에존재하는상부공간(US)에제 1 캐패시터층(32) 및제 2 캐패시터층(33)이배설된다.

Abstract translation: 提供一种能够抑制移动电极的一个端壁（一个端壁）与管状容器之间的空间中的等离子体的产生的基板处理装置。 基板处理装置10具备收容晶片W的筒状的腔室11，能够沿腔室11内的中心轴在腔室11内移动的喷头23， 并且，在该喷头11上连接着与喷头23相对的基座12和喷头23的盖14和腔室11的伸缩性波纹管31， 喷头23与腔室11的侧壁13成为非接触状态，对喷头23与基座12之间存在的处理空间PS施加高频电力， 第一电容器层32和第二电容器层33设置在上电极23和盖14之间存在的上部空间US中。

公开(公告)号：KR1020150101391A

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：KR1020150024270

申请日：2015-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/02274

Abstract: (과제) 정전척으로부터의 파티클의 발생을 억제하며, 또한, 정전척의 피처리체에 대한 흡착력의 변화를 억제하는 것.
(해결수단) 피처리체를 유지하기 위한 정전척(18b)은, 유전체제의 기재(21), 및 보호막(23)을 구비하고 있다. 기재(21)는, 저면(Sa), 및 복수의 돌출부(Sb)로 구성되는 표면(S)을 갖고 있다. 복수의 돌출부(Sb)는, 저면(Sa)으로부터 돌출되도록 형성되어 있다. 이들 돌출부(Sb)의 각각은, 정상면(Sb1) 및 측면(Sb2)을 포함하고 있다. 정상면(Sb1)은 피처리체가 접촉하는 면이고, 측면(Sb2)은 저면(Sa)으로부터 정상면(Sb1)까지 신장되어 있다. 보호막(23)은, 산화이트륨으로 구성되어 있다. 이 보호막(23)은, 정상면(Sb1)이 노출되도록 복수의 돌출부(Sb)의 측면(Sb2) 상 및 저면(Sa) 상에 형성되어 있다.

Abstract translation: 本发明抑制了静电卡盘的颗粒的产生，并且抑制了静电卡盘的被处理物体的吸引力的变化。 用于保持加工对象的静电卡盘（18b）包括：介电物体的基材（21）和保护膜（23）。 基材（21）包括由下表面（Sa）和多个突出部分（Sb）制成的表面（S）。 突出部（Sb）从下表面（Sa）突出。 每个突出部分（Sb）包括顶表面（Sb1）和侧面（Sb2）。 上表面（Sb1）是被处理体接触的面，侧面（Sb2）从下表面（Sa）向顶表面（Sb1）扩展。 保护膜（23）由氧化钇制成。 在突出部分的侧面（Sb2）和下表面（Sa）上形成保护膜（23）以露出顶表面（Sb1）。

公开(公告)号：KR101486781B1

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020100028457

申请日：2010-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32568

Abstract: 설치 장소를 확보함에 있어서 레이아웃 상의 문제가 없고, 또한 가동하는 전극에 따라 확실히 가스를 공급할 수 있는 신뢰성이 높은 가스 유로 구조체 제공한다. 내부를 감압 할 수 있는 처리실(11)과, 처리실(11) 내에 배치된 대향 전극(24)을 재치 전극(12)에 대하여 이동 가능하게 지지하는 샤프트(26)와, 샤프트(26)가 처리실(11)의 벽면(13)을 관통하는 관통부에서 벽면(13)에 대한 대향 전극(24)의 변위를 흡수하고, 샤프트(26) 주변의 분위기로부터 처리실(11) 내를 씰링하도록 샤프트(26)의 외주부에 샤프트(26)와 동심 형상으로 배치된 고리 형상의 제 1 벨로우즈(31)와, 제 1 벨로우즈(31)의 외주부에 동심 형상으로 배치된 제 2 벨로우즈(32)를 가지고, 제 1 벨로우즈(31)와 제 2 벨로우즈(32)로 고리 형상의 가스 유로(35)를 형성한다.

公开(公告)号：KR1020110104447A

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020110022979

申请日：2011-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 균질 소재의 전극 및 피구동체를 이용하여 플라즈마 생성에 소비되는 고주파의 전계 강도 분포를 제어한다. 감압 가능한 처리 용기(100) 내로 처리 가스를 도입하여 고주파 전력의 파워에 의해 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 원하는 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치는, 복수의 미세한 홀(A)이 형성된 유전체의 기재(105a)와, 복수의 미세한 홀(A)에 반입, 반출 가능한 복수의 막대 형상 부재(B)를 포함한 피구동체로서의 가변 기구(200)와, 가변 기구(200)를 구동함으로써 복수의 미세한 홀(A)에 복수의 막대 형상 부재(B)를 반입, 반출시키는 구동 기구(215)를 가진다.

公开(公告)号：KR1020110104438A

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020110022505

申请日：2011-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케 ,  마츠야마쇼이치로 ,  무라카미코이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 균질 소재의 전극을 이용하여 플라즈마 생성에 소비되는 고주파의 전계 강도 분포를 제어한다. 내부에서 웨이퍼(W)를 플라즈마 처리하는 처리 용기(100)와, 처리 용기(100)의 내부에서 서로 대향하며, 그 사이에 플라즈마 공간을 형성하는 상부 전극(105) 및 하부 전극(110)과, 상부 전극(105) 및 하부 전극(110) 중 적어도 어느 하나에 접속되어 처리 용기(100) 내에 고주파 전력을 출력하는 고주파 전원(150)을 가지는 플라즈마 처리 장치로서, 상부 전극(105)에는, 원하는 유전체로부터 형성된 상부 기재(105a)에 시스의 두께의 2 배 이하의 직경을 가지는 중공의 세공(A)이 복수 형성되어 있는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020110090777A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：KR1020110006962

申请日：2011-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케 ,  무라카미코이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: B05B1/18 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23F1/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67098

Abstract: PURPOSE: A gas shower structure and a substrate processing apparatus are provided to prevent the contamination of particles based on the friction between a fixing member and a plate member while setting the compressive force of the base member and the plate member not depending on an assembly error. CONSTITUTION: In a gas shower structure and a substrate processing apparatus, a plate member includes a plurality of gas discharge holes(33). A base member(31) is laminated on the plate member. The plate member is interposed between a fixing member and the base member, and the fixing member presses the plate member on the base member. An elastic member is interposed between the side of the plate member and the fixing member, and it is restored when the fixing member is approached to the plate member. The plate member is pressed on the base member by the elastic force.

Abstract translation: 目的：提供一种气体淋浴结构和基板处理装置，以防止基于固定构件和板构件之间的摩擦而污染颗粒，同时设定基座构件和板构件的压缩力不依赖于组装误差 。 构成：在气体淋浴装置和基板处理装置中，板构件包括多个气体排出孔（33）。 底板（31）层叠在板件上。 板构件介于固定构件和基座构件之间，并且固定构件将板构件压在基座构件上。 弹性构件设置在板构件的侧面和固定构件之间，并且当固定构件接近板构件时，弹性构件被恢复。 板构件通过弹性力压在基座构件上。

公开(公告)号：KR1020100129684A

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：KR1020100047505

申请日：2010-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루 ,  쿠보타카즈히로 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: PURPOSE: A processing method and a memory medium are provided to sufficiently secure gas for recovering a low dielectric layer. CONSTITUTION: A processing device(1) includes a chamber(11) which receives a wafer(W). A loader(12) for horizontally supporting the wafer is installed inside the chamber. The loader is supported by a cylindrical supporting member which is extended from the bottom center to the upper side of the chamber. A resistance heating type heater(15) is buried in the loader.

Abstract translation: 目的：提供一种处理方法和存储介质以充分确保用于回收低介电层的气体。 构成：处理装置（1）包括容纳晶片（W）的室（11）。 用于水平支撑晶片的装载机（12）安装在室内。 装载机由从腔室的底部中心延伸到上侧的圆柱形支撑构件支撑。 电阻加热型加热器（15）埋在装载机中。

公开(公告)号：KR1020100109477A

公开(公告)日：2010-10-08

申请号：KR1020100028346

申请日：2010-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32908 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/1502 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus can prevent from being consumed with the plasma in which the other dielectric member generates in the first space. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus(10) comprises the container, movable electrode, opposing electrode, partition wall is included. A container accepts substrate. The movable electrode moves in the shape holder according to the central axis of the shape holder. The opposing electrode faces in the shape holder in the movable electrode.

Abstract translation: 目的：基板处理装置可以防止在第一空间中与其他电介质部件产生的等离子体一起消耗。 构成：基板处理装置（10）包括容器，可动电极，对置电极，分隔壁。 容器接受底物。 可移动电极根据形状保持器的中心轴线在形状保持器中移动。 相对电极面对可动电极中的形状保持器。

公开(公告)号：KR100893956B1

公开(公告)日：2009-04-20

申请号：KR1020037010739

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 네즈다카아키 ,  호리구치가츠미 ,  하야시다이스케 ,  츠카하라도시야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32623

Abstract: 플라즈마 처리 장치용 포커스 링은 피처리 기판(W)을 둘러싸도록 내측으로부터 순차적으로 내측 영역(12a), 중간 영역(12b) 및 외측 영역(12c)을 갖는다. 플라즈마에 노출되는 측에 있어서, 내측 영역(12a) 및 외측 영역(12c)의 표면은 유전체로 실질적으로 이루어지는 한편, 중간 영역(12b)의 표면은 도전체로 실질적으로 이루어진다. 중간 영역(12b)은, 중간 영역(12b)이 없는 경우에 피처리 기판(W)의 외주연부가 실질적으로 바로 위에 형성되는 플라즈마 밀도의 어떤 피크를 피처리 기판(W)의 외주연부보다 외측으로 이동시키도록 배치된다.