보이드가 한정된 한 쌍의 핀들을 갖는 비휘발성 메모리소자 및 그 제조 방법
    41.
    发明公开
    보이드가 한정된 한 쌍의 핀들을 갖는 비휘발성 메모리소자 및 그 제조 방법 失效
    具有定义的空位之间的一对FINS的非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020070094444A

    公开(公告)日:2007-09-20

    申请号:KR1020060113041

    申请日:2006-11-15

    CPC classification number: H01L21/28273 H01L21/823437 H01L21/823475

    Abstract: A non-volatile memory device having a pair of fins and a method for manufacturing the same are provided to supply a body-bias to the fins by supplying a voltage to a body, while improving a short channel effect. A semiconductor substrate(110) has a body(102) and a pair of fins(105a,105b) protruding from the body. A bridge insulating layer(115) connects upper ends of the fins to confine voids(117) between the fins. A control gate electrode(140) covers at least a portion of outer surfaces of the fins, and extends over the bridge insulating layer. Gate insulating layers(125b) are interposed between the control gate electrode and the fins. Storage nodes(130b) are interposed between the gate insulating layers and the control gate electrode.

    Abstract translation: 提供一种具有一对翅片的非易失性存储装置及其制造方法,用于通过向身体提供电压来提供身体偏置,同时改善短的通道效果。 半导体基板(110)具有主体(102)和从主体突出的一对翅片(105a,105b)。 桥接绝缘层(115)连接翅片的上端以限制翅片之间的空隙(117)。 控制栅电极(140)覆盖翅片的外表面的至少一部分,并在桥绝缘层上延伸。 栅极绝缘层(125b)插入在控制栅电极和散热片之间。 存储节点(130b)插入在栅极绝缘层和控制栅电极之间。

    대류 정렬을 이용한 나노입자의 배열방법 및 그에 적용되는대류 정렬 장치
    42.
    发明公开
    대류 정렬을 이용한 나노입자의 배열방법 및 그에 적용되는대류 정렬 장치 有权
    通过对角组件形成纳米颗粒阵列的方法及其相应的组装装置

    公开(公告)号:KR1020070080681A

    公开(公告)日:2007-08-13

    申请号:KR1020060012033

    申请日:2006-02-08

    Abstract: A method for forming nano-particle array by convective assembly is provided to uniformly align nano-particles of the array on a large size substrate and a convective assembly apparatus for the same is provided. A method includes a coating step for forming a coating layer on nano-particles; a primary convection current aligning step and a secondary convection current aligning step. The primary convection current aligning step includes parallel moving a first substrate between colloidal solutions containing the coated nano-particles, and the secondary convection current aligning step includes topically heating the top of the colloidal solution and removing the solvent. The first substrate and the second substrate are disposed to face each other.

    Abstract translation: 提供了一种通过对流组装形成纳米颗粒阵列的方法,以将阵列的纳米颗粒均匀地排列在大尺寸基板上,并提供了用于其的对流组装装置。 一种方法包括在纳米颗粒上形成涂层的涂布步骤; 主对流电流对准步骤和次对流电流对准步骤。 主对流电流对准步骤包括在包含涂覆的纳米颗粒的胶体溶液之间平行移动第一衬底,并且次对流电流对准步骤包括局部加热胶体溶液的顶部并除去溶剂。 第一基板和第二基板被设置为彼此面对。

    카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치
    43.
    发明授权
    카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치 失效
    相机镜头组件的相机抖动补偿装置

    公开(公告)号:KR100678268B1

    公开(公告)日:2007-02-02

    申请号:KR1020040083900

    申请日:2004-10-20

    Inventor: 구준모

    CPC classification number: H04N5/23287 G02B27/646 H04N5/2254 H04N5/23248

    Abstract: 본 발명은 카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치에 있어서, 일면에 이미지 센서가 설치된 보드; 상기 보드의 일측에 설치되어, 일평면상에서 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 상기 보드를 유동시키는 더블 액츄에이터(double actuator); 및 상기 보드가 제1 방향 또는 제2 방향으로 유동하는 것을 안내하면서, 상기 카메라 렌즈 어셈블리의 광축에 대하여 상기 보드가 회전하는 것을 방지하는 가이드 수단을 포함하는 카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치를 개시한다. 상기와 같이 구성된 카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치는 보드를 두 방향으로 유동시키는 액츄에이터를 보드의 일측에 모두 구성함으로써 카메라 렌즈 어셈블리의 소형화에 기여하게 되었다. 더욱이, 보드의 유동은 제1 방향과 제2 방향을 따르는 직선운동만 가능하게 하는 가이드 수단에 의해 이루어지기 때문에, 광축에 대하여 이미지 센서가 회전하는 것을 방지하여 제품의 신뢰성이 향상된다.
    카메라, 손떨림, 보정, 보이스 코일 모터, 가이드 수단

    Abstract translation: 本发明涉及用于照相机镜头组件的照相机抖动校正装置,其包括:基板,其具有安装在其一个表面上的图像传感器; 安装在所述板的一侧的双致动器,以使所述板在第一方向上在平面上以及在垂直于所述第一方向的第二方向上流动; 以及引导装置,用于引导板沿第一方向或第二方向流动并且防止板相对于照相机镜头组件的光轴旋转。 如上所述配置的照相机镜头组件的照相机抖动校正装置通过配置用于在基板的一侧上沿两个方向移动基板的致动器来有助于照相机镜头组件的小型化。 此外,由于板的流动由仅能够沿着第一方向和第二方向线性运动的引导装置形成,所以防止了图像传感器相对于光轴的旋转,并且产品的可靠性得到改善。

    강유전막 상에서 귀금속막의 증착률을 높일 수 있는 물질막제조방법, 이 방법을 이용한 강유전막 커패시터 제조 방법및 이 방법으로 형성된 강유전막 커패시터, 이러한강유전막 커패시터를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 그제조 방법
    44.
    发明授权
    강유전막 상에서 귀금속막의 증착률을 높일 수 있는 물질막제조방법, 이 방법을 이용한 강유전막 커패시터 제조 방법및 이 방법으로 형성된 강유전막 커패시터, 이러한강유전막 커패시터를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 그제조 방법 失效
    강유전막상에서귀금속막의증착률을높일수있는물질막제조방법,이방법을이용한강유전막커패시터제조방법및이방법으로형성된강유전막커패시터,이러한강유전막커패시터를포함하는반도체메모리장치및그제조방법

    公开(公告)号:KR100634548B1

    公开(公告)日:2006-10-13

    申请号:KR1020050063302

    申请日:2005-07-13

    Abstract: A method for manufacturing a material layer capable of increasing the deposition rate of a noble metal layer on a ferroelectric layer, a method for manufacturing a ferroelectric capacitor using the same, a semiconductor memory device having the ferroelectric capacitor, and a manufacturing method thereof are provided to increase electrostatic capacity of the ferroelectric capacitor by forming an upper electrode on a ferroelectric substance. A lower electrode(88) is formed. A ferroelectric layer(90) is formed on the lower electrode. The ferroelectric layer is exposed to a seed plasma. An upper electrode(92) is formed on a section of the ferroelectric layer exposed to the seed plasma. The upper electrode includes a source material of the seed plasma. The lower electrode is formed on a substrate where a trench having predetermined depth and width is formed, thereby covering a sidewall and a bottom of the trench. The width of the trench is narrower than 0.39 mum.

    Abstract translation: 提供一种能够增加铁电层上的贵金属层的沉积速率的材料层的制造方法,使用该方法制造强电介质电容器的方法,具有该强电介质电容器的半导体存储器件及其制造方法 通过在铁电物质上形成上电极来增加铁电电容器的静电容量。 形成下电极(88)。 铁电层(90)形成在下电极上。 铁电层暴露于种子等离子体。 上电极(92)形成在暴露于种子等离子体的铁电层的一部分上。 上电极包括种子等离子体的源材料。 下电极形成在具有预定深度和宽度的沟槽的衬底上,由此覆盖沟槽的侧壁和底部。 沟槽的宽度比0.39μm窄。

    카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치

    公开(公告)号:KR1020060034884A

    公开(公告)日:2006-04-26

    申请号:KR1020040083900

    申请日:2004-10-20

    Inventor: 구준모

    CPC classification number: H04N5/23287 G02B27/646 H04N5/2254 H04N5/23248

    Abstract: 본 발명은 카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치에 있어서, 일면에 이미지 센서가 설치된 보드; 상기 보드의 일측에 설치되어, 일평면상에서 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 상기 보드를 유동시키는 더블 액츄에이터(double actuator); 및 상기 보드가 제1 방향 또는 제2 방향으로 유동하는 것을 안내하면서, 상기 카메라 렌즈 어셈블리의 광축에 대하여 상기 보드가 회전하는 것을 방지하는 가이드 수단을 포함하는 카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치를 개시한다. 상기와 같이 구성된 카메라 렌즈 어셈블리의 손떨림 보정 장치는 보드를 두 방향으로 유동시키는 액츄에이터를 보드의 일측에 모두 구성함으로써 카메라 렌즈 어셈블리의 소형화에 기여하게 되었다. 더욱이, 보드의 유동은 제1 방향과 제2 방향을 따르는 직선운동만 가능하게 하는 가이드 수단에 의해 이루어지기 때문에, 광축에 대하여 이미지 센서가 회전하는 것을 방지하여 제품의 신뢰성이 향상된다.
    카메라, 손떨림, 보정, 보이스 코일 모터, 가이드 수단

    Ir-Ru 합금 전극 및 이를 하부 전극으로 사용한강유전체 캐패시터
    46.
    发明公开
    Ir-Ru 합금 전극 및 이를 하부 전극으로 사용한강유전체 캐패시터 失效
    IR-RU合金电极和使用相同电极的电磁电容器

    公开(公告)号:KR1020060010631A

    公开(公告)日:2006-02-02

    申请号:KR1020040059399

    申请日:2004-07-28

    CPC classification number: H01L27/11502 H01L28/55 H01L28/65 Y10T29/417

    Abstract: 본 발명은 Ir-Ru 합금 전극 및 이를 하부 전극으로 사용한 강유전체 캐패시터에 관한 것이다. 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 강유전체층 및 상기 강유전체층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 강유전체 캐패시터에 있어서, 상기 하부 전극은, 상온에서 Ir 및 Ru가 다상인 형태이며, 바람직하게는 Ir : Ru 조성비(at% 비)가 약 70:30 내지 30:70의 사이 범위인 Ir-Ru 다상 합금을 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공하여, 강유전체층의 표면 거칠기를 감소시키고, 캐패시터의 피로 특성, 누설 전류 특성을 향상시킬 수 있다.

    브래그 회절격자를 구비한 광분파기 및 이를 이용한광통신 모듈
    47.
    发明公开
    브래그 회절격자를 구비한 광분파기 및 이를 이용한광통신 모듈 失效
    具有BRAG衍射光栅的光学分支过滤器满足0.2标准偏差的标准标准和使用其的光通信模块的不良影响

    公开(公告)号:KR1020050000708A

    公开(公告)日:2005-01-06

    申请号:KR1020030041193

    申请日:2003-06-24

    CPC classification number: H04B10/40

    Abstract: PURPOSE: An optical branching filter having a Brag diffraction grating and an optical communication module using the same are provided to minimize the cross-talk by using the Brag diffraction grating having wave selectivity. CONSTITUTION: An optical branching filter(100) includes first and second waveguides(110,120), an input waveguide(110a), a dummy waveguide(120a), and first and the second output waveguides(110b,120b). The first and the second waveguides are adjacently arranged each other to perform a mode coupling process. The input waveguide, the dummy waveguide, and the first and the second output waveguides are used for receiving and transmitting optical signals. First and second Brag diffraction gratings(111,121) are formed on the first and the second output waveguides in order to minimize cross-talk.

    Abstract translation: 目的:提供具有布拉格衍射光栅的光分路滤波器和使用该分支滤波器的光通信模块,以通过使用具有波选择性的布拉格衍射光栅来最小化串扰。 构成:光分路滤波器(100)包括第一和第二波导(110,120),输入波导(110a),虚拟波导(120a)以及第一和第二输出波导(110b,120b)。 第一和第二波导彼此相邻地布置以执行模式耦合处理。 输入波导,虚拟波导和第一和第二输出波导用于接收和发送光信号。 第一和第二布拉格衍射光栅(111,121)形成在第一和第二输出波导上,以便使串扰最小化。

    이미지 센서 및 이의 형성 방법
    48.
    发明公开
    이미지 센서 및 이의 형성 방법 审中-实审
    图像传感器及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020140108940A

    公开(公告)日:2014-09-15

    申请号:KR1020130022858

    申请日:2013-03-04

    Abstract: The present invention provides an image sensor and a manufacturing method thereof. The image sensor according to the embodiment of the present invention includes a substrate, a photoelectric conversion unit which is formed on the substrate, a gate electrode which is arranged on the photoelectric conversion unit, and a pixel separating unit which is arranged on the substrate and separates pixel regions. The pixel separating unit to separate the pixel regions includes a deep device isolation film and a channel stop region.

    Abstract translation: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。 根据本发明的实施例的图像传感器包括基板,形成在基板上的光电转换单元,布置在光电转换单元上的栅电极和布置在基板上的像素分离单元, 分离像素区域。 用于分离像素区域的像素分离单元包括深度器件隔离膜和通道停止区域。

    이미지 센서 및 이의 형성 방법
    49.
    发明公开
    이미지 센서 및 이의 형성 방법 审中-实审
    图像传感器及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020140105970A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:KR1020130019826

    申请日:2013-02-25

    CPC classification number: H01L27/14612 H01L27/1463 H01L27/1464 H01L27/14689

    Abstract: The present invention relates to an image sensor and a method of forming the same. The image sensor according to one embodiment of the present invention includes a device isolation layer and a channel stop region. According to one embodiment of the present invention, the device isolation layer includes a pixel separation part which separates each pixel region.

    Abstract translation: 图像传感器及其形成方法技术领域本发明涉及一种图像传感器及其形成方法。 根据本发明的一个实施例的图像传感器包括器件隔离层和通道停止区域。 根据本发明的一个实施例,器件隔离层包括分离每个像素区域的像素分离部分。

    비휘발성 메모리 소자의 동작 방법
    50.
    发明授权
    비휘발성 메모리 소자의 동작 방법 有权
    非易失性存储器件的操作方法

    公开(公告)号:KR101393312B1

    公开(公告)日:2014-05-12

    申请号:KR1020080045060

    申请日:2008-05-15

    CPC classification number: G11C16/0483 G11C16/10 G11C16/3418 G11C16/3427

    Abstract: 채널 부스팅을 이용하지 않고 신뢰성 있게 동작 가능한 비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법이 제공된다. 낸드 -타입의 비휘발성 메모리 소자는 복수의 비트 라인들 및 복수의 워드 라인들에 결합된 복수의 메모리 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 비트 라인들 가운데 프로그램을 위한 선택 비트 라인과 프로그램 방지를 위한 비선택 비트 라인들을 설정한다. 상기 복수의 워드 라인들 가운데 스트링 선택 라인에 최인접한 워드 라인을 포함하는 적어도 하나의 방지 워드 라인에 방지 전압을 인가한다. 상기 복수의 워드 라인들 가운데 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가한다. 이에 따라, 상기 복수의 메모리 트랜지스터들 가운데 상기 비선택 비트 라인들 내의 메모리 트랜지스터들의 프로그램을 방지하면서 상기 선택 비트 라인 내의 상기 선택된 워드 라인에 결합된 메모리 트랜지스터를 프로그램할 수 있다.

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