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公开(公告)号：KR101675562B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020100042084
申请日：2010-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김호정
IPC: H03K17/0812 , H03K17/082 , H03K17/16 , G01R31/02
CPC classification number: H03K17/166 , H03K17/08122 , H03K17/0822 , H03K17/167 , H03K2217/0063 , H03K2217/0081
Abstract: 본발명은전원장치에관한것으로, 전원장치는제어단자및 출력단자를가지는스위칭소자, 및제어단자와출력단자사이의전압이임계전압이하가되도록제어단자에제공되는구동전압이목표레벨에도달하는데에걸리는상승시간을제어하는제어부를포함하고, 제어단자와출력단자사이의전압이임계전압보다크면제어단자와출력단자사이에누설전류가발생한다.
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公开(公告)号：KR101611416B1
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020090121938
申请日：2009-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C14/0054 , G11C14/009 , H03K3/356008 , H03K3/356182
Abstract: 본발명은비휘발성논리회로에관한것으로, 한쌍의래치(latch) 노드(node)를가지는래치부, 및기입인에이블(enable) 신호가활성화되면상기한 쌍의래치노드의데이터에따라서로다른제1 및제2 기입전압이각각인가됨으로써서로다른데이터의기입동작이수행되는한 쌍의비휘발성메모리셀을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160035503A
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：KR1020140127186
申请日：2014-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03H1/2294 , G03H1/0808 , G03H2210/30 , G03H2210/441 , G03H2210/45 , G03H2210/452 , G03H2210/454 , G03H2240/56 , G02B27/22 , G03H1/00
Abstract: 홀로그래픽 3차원영상표시장치및 홀로그래픽 3차원영상표시방법이개시된다. 개시된홀로그래픽 3차원영상표시장치는, 오리지널영상을복수의분할영역으로분할하는영상분할부와, 상기복수의분할영역각각을 3차원홀로그래픽영상으로표시하기위한회절프린지패턴정보를계산하는계산부를포함한다. 또한상기영상분할부는복수의분할영역의개수를조절할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于显示全息三维（3D）图像的装置和方法。 所公开的用于显示全息3D图像的装置包括：图像分割器，被配置为将原始图像分割成多个段;以及计算器，被配置为计算用于将每个段显示为3D全息图像的衍射条纹图案信息。 此外，图像分割器可以调节片段的数量。
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公开(公告)号：KR1020160030925A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020160027275
申请日：2016-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체장치, 이를포함하는반도체시스템, 및저항성메모리셀의프로그램방법이개시된다. 상기저항성메모리셀의프로그램방법은제1 기준저항값에기초하여메모리셀에저장되는데이터의제1 비트를기입하는단계; 및제2 기준저항값에기초하여상기데이터의제2 비트를기입하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件，包括该半导体器件的半导体系统以及用于编程可增加编程速度的电阻式存储器单元的方法。 用于编程电阻性存储器单元的方法包括以下步骤：基于第一参考电阻写入存储在存储器单元中的第一位数据; 以及基于第二参考电阻写入数据的第二位。
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公开(公告)号：KR1020160023490A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020140109968
申请日：2014-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/11
CPC classification number: G09G3/3266 , G02B27/017 , G02B2027/0178 , G03H1/02 , G03H1/2294 , G03H2001/0224 , G03H2225/21 , G09G3/34 , G09G2300/08 , G09G2310/0264
Abstract: 음향광학발생부, 광공급부및 웨이브변환부(wave transducer)를포함하는음향광학소자, 음향광학소자중 구동할음향광학소자를선택하는게이트구동부, 전선에연결되어, 선택된음향광학소자의음향광학발생부를제어하는전기광학변조기(Electro-Optic Modulator)에전기데이터를전송하는전기데이터구동부, 및도파관(waveguide)에연결되어, 선택된음향광학소자의웨이브변환부에웨이브데이터를전송하는웨이브데이터구동부를포함하는, 음향광학소자어레이가개시된다.
Abstract translation: 公开了一种声光元件阵列。 声光元件阵列包括声光器件，其包括声光产生部分，光供应部分，波传感器，选择要被驱动的声光器件的栅极驱动部分，电数据驱动部分 其连接到电线并将电数据传输到控制所选择的声光器件的声光发生部分的电光调制器，以及波数据驱动部分，其连接到波导并将波数据传输到 所选择的声光器件的波变换部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101539297B1
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：KR1020090000365
申请日：2009-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/4074 , G11C11/407 , G11C5/14 , H01L27/10
Abstract: 반도체장치, 이를포함하는반도체시스템, 및반도체장치의전압공급방법이개시된다. 상기반도체장치는적어도두 개의반도체메모리장치들; 및상기반도체메모리장치들각각에선택적으로전압을공급하는전압공급제어기를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150034901A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020130114707
申请日：2013-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H04L27/01
CPC classification number: H04L25/03885 , H04L7/0337 , H04W52/0287 , Y02D70/122
Abstract: 샘플링을수행하는각 비교기전단에서신호의센시티비티(sensitivity) 차이를생성한후 두개의비교기가같은출력을내보낼때까지등화계수를적응적으로제어하는적응형등화기및 그제어방법을개시한다.
Abstract translation: 公开了一种自适应均衡器及其控制方法，其能够自适应地控制均衡系数，直到在每个比较器的前端产生信号的灵敏度差之后两个比较器输出相同的输出以执行采样操作。 通过仅使用简单的比较器实现数字均衡器控制电路而不使用模数转换器来降低系统的复杂性和功耗。 由此，能够提高系统的动作。
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公开(公告)号：KR101504632B1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020090025494
申请日：2009-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김호정
CPC classification number: G06F3/0658 , G06F3/0619 , G06F3/0688 , G06F11/108
Abstract: RAID를 적용한 SSD 컨트롤러가 개시된다. 상기 SSD 컨트롤러는 다수의 채널들과, 호스트와 데이터를 주거나 받고 RAID 레벨 정보에 기초하여 다수의 RAID 레벨들 중에서 하나의 RAID 레벨을 선택하기 위한 RAID 컨트롤러와, 상기 RAID 컨트롤러에 접속되고 선택된 어느 하나의 RAID 레벨에 따라 상기 데이터를 처리하기 위하여 상기 다수의 채널들 각각에 접속된 다수의 비휘발성 메모리 칩들 각각을 액세스하기 위한 액세스 컨트롤러를 포함한다.
RAID, SSD, 비휘발성 메모리-
公开(公告)号：KR1020140045167A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020120111379
申请日：2012-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/407 , H01L29/66977 , H01L29/772 , H01L29/872 , H01L29/88
Abstract: A method array using a graphene switching device is disclosed. The disclosed memory array includes multiple graphene switching devices which are arranged in a matrix shape, multiple word lines which are connected to the gate electrode of the graphene switching device of each column, multiple bit lines which are connected to the drain electrode of the graphene switching device of each row, and multiple source line which are connected to the source electrode of the graphene switching device of each column. The graphene switching device includes a schottky barrier between the drain electrode and a channel in a drain electrode direction from the source electrode.
Abstract translation: 公开了一种使用石墨烯切换装置的方法阵列。 所公开的存储器阵列包括以矩阵形状布置的多个石墨烯切换装置，连接到每列的石墨烯切换装置的栅电极的多条字线，连接到石墨烯切换的漏电极的多个位线 每行的设备，以及连接到每列的石墨烯切换装置的源电极的多源线。 石墨烯开关装置包括在漏电极和源电极的漏电极方向的沟道之间的肖特基势垒。
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公开(公告)号：KR1020130024406A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020110087847
申请日：2011-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울시립대학교 산학협력단
IPC: H03K19/173 , G06F9/06
CPC classification number: H03K19/17756
Abstract: PURPOSE: A logic device and an operation method are provided to improve efficiency. CONSTITUTION: A logic device(LGD) includes a function block(FB). The function block includes a first storage block(SB1), a second storage block(SB2), and a function controller(FCTR). The first function control unit receives a first setup selection signal and a first setup command signal which sets a first function. The first function control unit sets a first function in a first storage block based on a first setup command signal by selecting a setup storage block of a first operation section based on the first setup selection signal.
Abstract translation: 目的：提供逻辑设备和操作方法，以提高效率。 构成：逻辑器件（LGD）包括功能块（FB）。 功能块包括第一存储块（SB1），第二存储块（SB2）和功能控制器（FCTR）。 第一功能控制单元接收第一设置选择信号和设置第一功能的第一设置命令信号。 第一功能控制单元基于第一设置命令信号，通过基于第一设置选择信号选择第一操作部分的设置存储块来设置第一存储块中的第一功能。
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