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公开(公告)号：KR1020010092085A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1020000014022
申请日：2000-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A method for measuring a line width of a fine pattern using a scanning electron microscope is provided to prevent data errors from a CD(Compact Disc) measuring process by correcting automatically a twisted angle in a wafer. CONSTITUTION: A wafer is loaded in a sample room of a scanning electron microscope(10). A twisted angle of the wafer to an X-axis and a Y-axis scanning direction of the scanning electron microscope is calculated(20). The X-axis and the Y-axis scanning directions of the scanning electron microscope are compared with the twisted angle of the wafer(30). The first electrons are emitted from an electron gun of the scanning electron microscope by applying a high voltage to the electron gun of the scanning electron microscope if the X-axis and the Y-axis scanning directions of the scanning electron microscope correspond to the twisted angle of the wafer(40). The emitted electrons are irradiated on the wafer through an anode, a focusing lens, a deflection coil, and an object lens(50). Various types of signals such as an X-ray, reflective electrons, and a cathode ray are generated by irradiating the focused electrons on the wafer(60). A fine pattern of the wafer is measured by detecting the secondary electrons from the emitted signals(70).
Abstract translation: 目的：提供使用扫描电子显微镜测量精细图案的线宽的方法，以通过自动校正晶片中的扭曲角度来防止CD（光盘）测量过程中的数据错误。 构成：将晶片装载在扫描电子显微镜（10）的样品室中。 计算晶片与扫描电子显微镜的X轴和Y轴扫描方向的扭转角度（20°）。 将扫描电子显微镜的X轴和Y轴扫描方向与晶片（30）的扭转角度进行比较。 如果扫描电子显微镜的X轴和Y轴扫描方向对应于扭转角度，则通过对扫描电子显微镜的电子枪施加高电压，从扫描电子显微镜的电子枪发射第一电子 的晶片（40）。 发射的电子通过阳极，聚焦透镜，偏转线圈和物镜（50）照射在晶片上。 通过在晶圆（60）上照射聚焦的电子来产生各种类型的信号，例如X射线，反射电子和阴极射线。 通过从发射信号（70）检测二次电子来测量晶片的精细图案。
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公开(公告)号：KR1020010027005A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990038560
申请日：1999-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K13/00
CPC classification number: C09K13/00 , B81C1/0092 , H01L21/02057
Abstract: PURPOSE: An organic compound used for manufacturing semiconductor element is provided by excluding the use of acidic compounds for etching the surface. The compound makes possible to etch only copper without affecting other coat materials. CONSTITUTION: An organic compound used for manufacturing semiconductor element is characterized by including 5wt%-50wt% of hydroxylamine, 10wt%-80wt% of at least one alkanol amine, which can be miscible with the hydroxylamine, and about 30wt% of a compound selected from the following three compounds of formulae (1), (2) and (3): in the compound of formula (1), R1 and R2 is a group selected from H, t-butyl, OH or COOH; in the compound of formula (2), R3 is a group selected from either OH or COOH; and in the compound of formula (3), which is an ethylene diamine tetracarboxylic acid, each R4, R5, R6, and R7 is a group selected from H or NH4 or ammonium salts.
Abstract translation: 目的：通过排除使用用于蚀刻表面的酸性化合物来提供用于制造半导体元件的有机化合物。 该化合物使得只能蚀刻铜而不影响其它涂层材料成为可能。 构成：用于制造半导体元件的有机化合物的特征在于包括5重量％-50重量％的羟胺，10重量％-80重量％的至少一种可与羟胺混溶的链烷醇胺，和约30重量％的选自 由式（1），（2）和（3）的三种化合物组成：式（1）化合物中R 1和R 2为选自H，叔丁基，OH或COOH的基团; 在式（2）的化合物中，R 3是选自OH或COOH的基团; 在作为乙二胺四羧酸的式（3）化合物中，R 4，R 5，R 6和R 7为选自H或NH 4或铵盐的基团。
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公开(公告)号：KR1019990046880A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065035
申请日：1997-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조용 웨이퍼내에 존재하는 유기물을 질산을 사용하여 용출시키고, 이를 통상의 티오씨미터(TOC meter)를 사용하여 웨이퍼내 총유기탄소함량을 측정하는 측정방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼내 총유기탄소함량의 측정방법은, 고체상의 웨이퍼를 질산에 침적시켜 웨이퍼로부터 유기물을 용출시키는 용출단계; 및 용출된 유기물을 포함하는 질산을 티오씨미터에 도입하여 총유기탄소함량을 측정하는 측정단계;로 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 질산을 사용하여 웨이퍼내의 유기물함량을 총유기탄소함량으로 측정할 수 있도록 함으로써 보다 간단하고도 효과적인 웨이퍼의 오염관리를 가능하게 하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980075659A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970011902
申请日：1997-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 별도의 전처리나 보조분석기기를 사용치 않고도 수중의 유기오염물의 정성분석 및 정량분석이 가능하도록 한 가스크로마토그래피를 이용한 수중 유기오염물 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 가스크로마토그래피를 이용한 수중 유기오염물 분석방법은, 유기오염물을 포함하는 물을 전처리나 보조분석기기를 사용치 않고 가스크로마토그래피를 물분석에 적합한 조건으로 셋팅하고, 인젝터를 통하여 직접 유기오염물을 포함하는 물의 샘플을 주입하여 직접 유기오염물을 정성분석 및 정량분석토록 함에 특징이 있는 것이다.
따라서, 샘플로서의 물의 전처리없이, 또한 보조분석기기를 사용치 않고 직접 수중에 포함된 유기오염물을 사용이 간편한 가스크로마토그래피로 분석할 수 있도록 하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980066825A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002554
申请日：1997-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박동진
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명에 의한 워터 내의 IPA(isopropyl alchol) 분석방법은, 개스 크로마토그래피의 FID(flame ionization detector)에 카보-왁스 칼럼을 장착한 뒤, 이를 이용하여 워터가 함유된 IPA를 분석하도록 이루어져, 1) 워터를 함유한 IPA 분석시, 워터를 제거하지 않아도 되므로 기기 분석전에 실시하던 전처리 작업이 단순화되어져 분석 시간 및 분석 비용을 절감할 수 있게 되고, 2) 카보-왁스 칼럼와 같은 극성 칼럼을 사용하므로, 워터가 가지는 피크가 GC에서는 검출되지 않으므로 방해 피크가 생기지 않게 되어 IPA의 정밀한 분석이 가능하게 되며, 3) HPLC보다 고감도를 가지므로 미량의 IPA도 분석이 가능하다는 잇점을 갖는다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019940018831A
公开(公告)日：1994-08-19
申请号：KR1019930000417
申请日：1993-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B20/12
Abstract: 본 발명은 영상노래반주용 디스크기록매체와, 그 재생방법 및 영상노래반주장치에 관한 것으로, 특히 한장의 디스크에 2000여곡의 곡프로그램과 가사, 그리고 각 곡의 정서 및 가사의 의미에 맞는 배경화면을 위한 500여자의 화면 데이타를 동시에 수록하고 이를 재생하는 방법 및 영상노래반주장치를 제공한다. 따라서, 본 발명은 소형경량이고, 값이 저렴하면서 디스크를 갈아주는 불편함이 없이 곡과 가사에 알맞는 비디오화면을 즐길 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090007123A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：KR1020070070778
申请日：2007-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/575
Abstract: A security booting method OTP(One-time Programmable memory) and a semiconductor memory system using the method are provided to reduce the capacity and write time of the OTP memory. An external memory(150) includes a kernel, a public key, and a first booting information authenticating public key and produces the test secret key for verifying a SBL(Second Boot Loader). An internal memory(120) verifies the integrity of the secondary boot loader. A FBL(First Boot Loader) produces the test secret key. The OTP memory(130) includes the second booting information which is generated by using the public key and secret key. The primary boot loader uses the first booting information of the external memory and the second booting information of the OTP memory.
Abstract translation: 提供了使用该方法的安全启动方法OTP（一次性可编程存储器）和半导体存储器系统，以减少OTP存储器的容量和写入时间。 外部存储器（150）包括内核，公共密钥和认证公钥的第一引导信息，并且产生用于验证SBL（第二引导加载程序）的测试密钥。 内部存储器（120）验证辅助引导加载程序的完整性。 FBL（第一引导加载程序）生成测试密钥。 OTP存储器（130）包括通过使用公共密钥和秘密密钥生成的第二引导信息。 主引导加载程序使用外部存储器的第一引导信息和OTP存储器的第二引导信息。
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公开(公告)号：KR1020070001360A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056791
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , G01N23/2251
Abstract: A method for detecting defects from a semiconductor substrate is provided to detect automatically the defects of the substrate by using the comparison between a predetermined histogram of a substrate image and a reference histogram. A pattern image is obtained from a semiconductor substrate(S120). The pattern image is composed of a plurality of pixels with different grey levels. The pattern image is transformed into a predetermined histogram(S130). The existence of defects on the semiconductor substrate is determined by comparing the predetermined histogram with a reference histogram(S140). The reference histogram is obtained from a normal pattern image.
Abstract translation: 提供一种用于从半导体衬底检测缺陷的方法，通过使用衬底图像的预定直方图和参考直方图之间的比较来自动检测衬底的缺陷。 从半导体衬底获得图案图像（S120）。 图案图像由具有不同灰度级的多个像素组成。 将图案图像变换为预定的直方图（S130）。 通过将预定直方图与参考直方图进行比较来确定半导体衬底上的缺陷的存在（S140）。 从正常模式图像获得参考直方图。
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