公开(公告)号：KR100688499B1

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020040067433

申请日：2004-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재형 ,  정정희 ,  유차영 ,  김영선 ,  박영근 ,  남갑진 ,  김성태 ,  오세훈 ,  정은애 ,  최한메 ,  이승환 ,  최정식

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L29/92 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

Abstract: 유전막의 결정화로 인한 누설 전류를 방지할 수 있는 MIM 캐패시터 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 MIM 캐패시터는, 금속 물질로 된 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성되는 유전막, 상기 유전막 상부에 형성되는 금속 물질로 된 상부 전극을 포함한다. 상기 유전막은 그 내부에 상기 유전막과 상이한 물질로 된 결정화 방지막을 포함한다.
결정화 방지막, ALD, 하프늄 산화막, 알루미늄 산화막, 티타늄 질화막, 누설 전류

公开(公告)号：KR100644410B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050071636

申请日：2005-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤경렬 ,  박영근 ,  임기빈 ,  여재현 ,  정은애 ,  김영선

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: A method for forming a metal oxide layer and a method for manufacturing a semiconductor capacitor using the same are provided to obtain excellent electrical properties from the metal oxide layer and to secure a thin equivalent oxide thickness by performing a post-treatment under a low temperature after forming a zirconium oxide thin film. A thin film(20) containing zirconium oxide is formed on a semiconductor substrate(10). A post-treatment is performed on the thin film in a predetermined temperature range of 10 to 150 ‹C to control properly the compositional rate of zirconium and oxide and remove carbon from the thin film. The thin film is formed by using an ALD(Atomic Layer Deposition).

Abstract translation: 提供一种用于形成金属氧化物层的方法和使用该方法制造半导体电容器的方法，以从金属氧化物层获得优异的电学性质，并且通过在低温下进行后处理以确保薄的等效氧化物厚度 形成氧化锆薄膜。 在半导体衬底（10）上形成含有氧化锆的薄膜（20）。 在10至150℃的预定温度范围内对薄膜进行后处理以适当地控制锆和氧化物的组成比并从薄膜去除碳。 通过使用ALD（原子层沉积）形成薄膜。

公开(公告)号：KR100623177B1

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020050006547

申请日：2005-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  박영근 ,  여재현 ,  김윤석 ,  임하진 ,  최재형 ,  남갑진

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11521

Abstract: 높은 유전율을 갖는 유전체 구조물 및 이를 포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치가 개시된다. 기판 상에 터널 산화막 패턴을 형성한 후, 터널 산화막 패턴 상에 플로팅 게이트를 형성한다. 플로팅 게이트 상에 금속 실리콘 산화물로 이루어진 제1 유전층 패턴 및 금속 실리콘 산질화물로 이루어진 제2 유전층 패턴을 포함하는 유전체 구조물을 형성한 다음, 유전체 구조물 상에 컨트롤 게이트를 형성한다. 유전체 구조물이 적어도 하나의 금속 실리콘 산화물층 및 금속 실리콘 산질화물층을 구비하기 때문에, 상기 유전체 구조물은 높은 유전율을 가지면서도 열처리 공정 동안 거의 손상을 입지 않는 우수한 내열성을 가지며, 이러한 유전체 구조물을 구비하는 불휘발성 반도체 메모리 장치는 높은 캐패시턴스 및 낮은 누설 전류 등의 우수한 전기적 특성을 가진다.

公开(公告)号：KR1020060070007A

公开(公告)日：2006-06-23

申请号：KR1020040108624

申请日：2004-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  박영근 ,  최재형 ,  여재현 ,  최한메 ,  남갑진

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881 ,  H01L27/11531

Abstract: 향상된 유전율을 가지면서도 얇은 두께를 갖는 유전층을 구비하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 터널 산화막 패턴 및 플로팅 게이트를 순차적으로 형성한 후, 펄스 레이저 증착 공정을 이용하여 플로팅 게이트 상에 III족 전이 금속으로 도핑된 금속 산화물로 이루어진 유전층 패턴을 형성한다. 유전층 상에는 컨트롤 게이트가 형성된다. 스칸듐, 이트륨 또는 란탄과 같은 III족 전이 금속이 도핑된 금속 산화물을 사용하여 크게 향상된 유전율을 가지면서도 현저하게 감소된 두께를 갖는 유전층 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 펄스 레이저 증착 공정으로 표면 균일도 및 치밀성이 향상된 유전층 패턴을 형성하기 때문에, 유전층 패턴으로부터 발생되는 누설 전류를 크게 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100532509B1

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020040020765

申请日：2004-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정숙진 ,  이승환 ,  김성태 ,  김영선 ,  임재순 ,  박영근

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10867 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: SiGe를 이용한 트렌치 커패시터 및 그 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명의 트렌치 커패시터 형성방법에서는, 실리콘 기판 위에 SiGe층, Si층 및 개구부를 갖는 식각 마스크를 형성한다. 식각 마스크를 이용하여 Si층 및 SiGe층을 식각함으로써 제1 트렌치를 형성한 다음, SiGe층을 선택적으로 등방성 식각하여 SiGe층 안에 요홈을 형성한다. 요홈을 포함한 결과물 상에 절연막을 형성한 후, 절연막을 이방성 건식 식각하여 요홈 안에 절연막 칼라를 형성한다. 식각 마스크를 이용하여 실리콘 기판을 식각하여 제1 트렌치가 연장된 제2 트렌치를 형성한다. 식각 마스크를 제거한 다음, 제2 트렌치 바깥쪽을 감싸는 매립형 플레이트를 형성한다. 제2 트렌치 내벽에 유전막을 형성하고 저장 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020050095388A

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：KR1020040020765

申请日：2004-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정숙진 ,  이승환 ,  김성태 ,  김영선 ,  임재순 ,  박영근

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10867 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: SiGe를 이용한 트렌치 커패시터 및 그 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명의 트렌치 커패시터 형성방법에서는, 실리콘 기판 위에 SiGe층, Si층 및 개구부를 갖는 식각 마스크를 형성한다. 식각 마스크를 이용하여 Si층 및 SiGe층을 식각함으로써 제1 트렌치를 형성한 다음, SiGe층을 선택적으로 등방성 식각하여 SiGe층 안에 요홈을 형성한다. 요홈을 포함한 결과물 상에 절연막을 형성한 후, 절연막을 이방성 건식 식각하여 요홈 안에 절연막 칼라를 형성한다. 식각 마스크를 이용하여 실리콘 기판을 식각하여 제1 트렌치가 연장된 제2 트렌치를 형성한다. 식각 마스크를 제거한 다음, 제2 트렌치 바깥쪽을 감싸는 매립형 플레이트를 형성한다. 제2 트렌치 내벽에 유전막을 형성하고 저장 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR100459542B1

公开(公告)日：2004-12-03

申请号：KR1020020037912

申请日：2002-07-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교

Inventor： 박영근 ,  문강영 ,  강병창 ,  최병구

IPC: H04L12/28

Abstract: PURPOSE: A device for look-up an IP(Internet Protocol) address is provided to store prefixes in a trinary CAM(Content Addressable Memory) regardless of length order of the prefixes without retrieving feedbacks, thereby quickly updating a routing table as look-up the IP address by using the trinary CAM. CONSTITUTION: A trinary CAM(400) includes pairs consisting of data strings having prefixes of IP addresses and mask strings presenting length of the prefixes, has routing entries(402) where physical segments are stored one by one regardless of order of the prefix length, compares retrieval keys with the routing entries(402) to set match lines of the routing entries(402), and outputs the mask strings. If at least more than one match line is set, a priority encoder(404) compares the prefix length of the mask strings, determines one of the routing entries(402) corresponding to the longest mask string as an LPM(Longest Prefix Matching) entry, and outputs a physical address of the LPM entry based on a match line of the LPM entry.

Abstract translation: 目的：提供用于查找IP（互联网协议）地址的设备，以将前缀存储在三元CAM（内容可寻址存储器）中而不管前缀的长度顺序如何，而不需要检索反馈，从而快速地将路由表更新为查询 通过使用三元CAM的IP地址。 组成：三元CAM（400）包括由具有IP地址的前缀的数据串和呈现前缀的长度的掩码串组成的对，具有路由条目（402），其中无论前缀长度的顺序如何，物理段被一个一个地存储， 将检索关键字与路由条目（402）进行比较以设置路由条目（402）的匹配行，并输出掩码字符串。 如果设置了至少一个以上匹配线，则优先级编码器（404）比较掩码串的前缀长度，将对应于最长掩码串的路由条目（402）中的一个确定为LPM（最长前缀匹配）条目 并且基于LPM条目的匹配线输出LPM条目的物理地址。

公开(公告)号：KR1020040003259A

公开(公告)日：2004-01-13

申请号：KR1020020037912

申请日：2002-07-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교

Inventor： 박영근 ,  문강영 ,  강병창 ,  최병구

IPC: H04L12/28

CPC classification number: H04L61/1552 ,  H04L61/2007

Abstract: PURPOSE: A device for look-up an IP(Internet Protocol) address is provided to store prefixes in a trinary CAM(Content Addressable Memory) regardless of length order of the prefixes without retrieving feedbacks, thereby quickly updating a routing table as look-up the IP address by using the trinary CAM. CONSTITUTION: A trinary CAM(400) includes pairs consisting of data strings having prefixes of IP addresses and mask strings presenting length of the prefixes, has routing entries(402) where physical segments are stored one by one regardless of order of the prefix length, compares retrieval keys with the routing entries(402) to set match lines of the routing entries(402), and outputs the mask strings. If at least more than one match line is set, a priority encoder(404) compares the prefix length of the mask strings, determines one of the routing entries(402) corresponding to the longest mask string as an LPM(Longest Prefix Matching) entry, and outputs a physical address of the LPM entry based on a match line of the LPM entry.

Abstract translation: 目的：提供用于查找IP（因特网协议）地址的设备，用于将前缀存储在三进制CAM（内容可寻址存储器）中，而不考虑前缀的长度顺序，而不检索反馈，从而快速更新路由表作为查找 通过使用三进制CAM的IP地址。 构成：三进制CAM（400）包括由具有IP地址前缀的数据串和呈现前缀长度的掩码列组成的对，具有路由条目（402），其中物理段被逐个存储，而不管前缀长度的顺序如何， 将检索密钥与路由条目（402）进行比较，以设置路由条目（402）的匹配行，并输出掩码字符串。 如果设置了至少多于一个匹配行，则优先编码器（404）比较掩码串的前缀长度，将与最长掩码串对应的路由条目（402）中的一个确定为LPM（最长前缀匹配）条目 ，并根据LPM条目的匹配行输出LPM条目的物理地址。

公开(公告)号：KR1019990031935A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970052835

申请日：1997-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영근

IPC: G11B27/10

Abstract: 본 발명은 기재생된 오디오 신호 또는 비디오 신호 및 오디오 신호를 아날로그/디지털 변환하여 저장하는 재생 데이터 메모리를 구비하여 원하는 반복 재생 횟수를 결정한 후, 각각의 반복 회 마다 원하는 재생 속도를 가변적으로 프로그램화할 수 있도록 한 비디오 테이프 레코더의 반복 학습 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 비디오 테이프 레코더를 통한 반복 학습 기능을 구현할 시에 기재생된 소정 구간의 재생 데이터를 저장하는 재생 데이터 메모리를 구비하게 함으로써 재생 메커니즘의 구동 시간에 의해 반복 재생 시간이 지연되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 반복 재생 횟수에 비례하여 재생 속도를 가변시킬 수 있도록 프로그램화할 수 있음에 따라 비디오 테이프 레코더를 이용하여 최대한의 학습 효과를 성취할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019970023065A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950036050

申请日：1995-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영근

IPC: G11B15/22

Abstract: 본 발명은 테이프 복사시 자동 속도 조절 방법에 관한 것으로서, 특히 더블 데크의 비디오 테이프 레코더 시스템에서 복사시 자동 속도 조절을 사용하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 위하여 복사 모드이면 모터의 회전 속도를 테이프에 기록되어 있는 제어 펄스로 나누어 테이프의 재생 속도를 검출하는 단계, 및 검출된 테이프의 재생 속도와 동일한 속도로 녹화 속도를 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 더블 데크의 비데오 레코더에서의 테이프 복사시 재생 데크의 테이프 속도와 동일하게 녹화 데크의 속도를 제어하여 테이프 속도 차이에 의해 발생하는 화질 불량을 개선할 수 있다.