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公开(公告)号：KR100855575B1
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：KR1020070038263
申请日：2007-04-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조성범
CPC classification number: G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C7/109 , G11C29/1201 , G11C29/48 , G11C29/56 , G11C2029/5602 , G11C11/4096 , G11C7/1084 , G11C2207/105
Abstract: A semiconductor memory device having a de-MUX circuit and a method for testing the same are provided to improve productivity by reducing test cost and improving test efficiency. According to a semiconductor memory device(350), a de-MUX circuit(200) transmits an address signal and a data signal to the inside separately when the address signal and the data signal are inputted through a common input/output pad. The de-MUX circuit comprises a data input part and an address input part. The data input part is connected between the common input/output pad and a data input buffer, and transmits the data signal to the data input buffer. The address input part is connected between the common input/output pad and an address input buffer, and transmits the address signal to the address input buffer. Transmission time of the address signal or the data signal becomes different according to the enable of an address flag signal informing the address input or the enable of a data flag signal informing the data input.
Abstract translation: 提供具有去MUX电路的半导体存储器件及其测试方法，以通过降低测试成本并提高测试效率来提高生产率。 根据半导体存储器件（350），当通过公共输入/输出焊盘输入地址信号和数据信号时，解复用电路（200）将地址信号和数据信号分别发送到内部。 解复用电路包括数据输入部分和地址输入部分。 数据输入部分连接在公共输入/输出焊盘和数据输入缓冲器之间，并将数据信号发送到数据输入缓冲器。 地址输入部分连接在公共输入/输出焊盘和地址输入缓冲器之间，并将地址信号发送到地址输入缓冲器。 根据通知地址输入的地址标志信号的使能或通知数据输入的数据标志信号的使能，地址信号或数据信号的传输时间变得不同。
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公开(公告)号：KR1020080036463A
公开(公告)日：2008-04-28
申请号：KR1020060103089
申请日：2006-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A semiconductor memory device and a test system of the same are provided to perform test by judging whether failure chips are caused by excessive stress or not accurately, by monitoring the level of a boosting voltage more stably rather than in burn-in test at a package state of the semiconductor memory device. A semiconductor memory device(100) generates a boosting voltage internally by receiving an external power supply voltage and receives a reference voltage from the outside, and outputs a comparison result output signal by comparing the level of the boosting voltage with the level of the reference voltage. A test equipment(200) generates the reference voltage and receives the comparison result output signal, and monitors whether an excessive test voltage is applied during package test process of the semiconductor memory device. The semiconductor memory device comprises a boosting voltage generator(11), a mode setting part(12) and a comparator(130). The boosting voltage generator generates the boosting voltage by receiving the external power supply voltage. The mode setting part generates a test mode setting signal in response to a signal applied from the outside. The comparator outputs the comparison result output signal through an output pin.
Abstract translation: 提供了一种半导体存储器件及其测试系统，通过以更稳定的方式监视升压电压的水平而不是在封装的老化测试中，通过判断故障芯片是否由过度的应力或不准确的引起来进行测试 半导体存储器件的状态。 半导体存储器件（100）通过接收外部电源电压并从外部接收参考电压而在内部产生升压电压，并且通过将升压电压的电平与参考电压的电平进行比较来输出比较结果输出信号 。 测试设备（200）产生参考电压并接收比较结果输出信号，并且监视在半导体存储器件的封装测试过程期间是否施加过多的测试电压。 半导体存储器件包括升压电压发生器（11），模式设置部分（12）和比较器（130）。 升压电压发生器通过接收外部电源电压产生升压电压。 模式设置部分响应于从外部施加的信号产生测试模式设置信号。 比较器通过输出引脚输出比较结果输出信号。
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公开(公告)号：KR100499166B1
公开(公告)日：2005-09-26
申请号：KR1019980010595
申请日：1998-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J37/26
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조설비의 부속품을 비파괴분석할 수 있는 환경주사전자현미경 및 이를 이용한 반도체 제조설비 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 환경주사전자현미경은, 지지대에 의해서 지지되며, 상부에 분석대상물이 위치되는 샘플홀더가 구비되는 환경주사전자현미경에 있어서, 상기 샘플홀더 일측에 상기 샘플홀더의 직경을 외측으로 확장할 수 있는 직경확장수단이 더 구비되어 있으며, 상기 환경주사전자현미경을 이용한 반도체 제조설비 분석방법은, 일련의 반도체장치 제조공정이 진행된 웨이퍼를 샘플링하는 웨이퍼 샘플링단계, 상기 샘플링된 웨이퍼를 분석하는 웨이퍼 분석단계, 상기 웨이퍼 분석단계의 수행에 의한 결과값을 기준으로 반도체장치 제조설비의 분석대상 부품을 결정하는 분석대상 부품 결정단계 및 상기 분석대상 부품을 환경주사전자현미경을 사용하여 분석하는 환경주사전자현미경 분석단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 제조설비의 부품을 비파괴분석함으로서 반도체 제조설비의 부품 상에 존재하는 파티클이 공정과정에 오염원으로 작용하는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.-
45.发明公开시그너쳐 퓨즈의 데이터를 노멀 리드 동작을 통해 독출할수 있는 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의시그너쳐 퓨즈의 데이터를 노멀 리드 동작을 통해독출하는 방법 失效通过正常读取操作读取签名保险丝的数据的半导体存储器件和用于通过半导体存储器件中的正常读取操作来读取签名保险丝的数据的方法
公开(公告)号：KR1020040069824A
公开(公告)日：2004-08-06
申请号：KR1020030006366
申请日：2003-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조성범
IPC: G11C7/00
CPC classification number: G11C29/027 , G11C11/401 , G11C29/12 , G11C2029/4402
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device capable of reading the data of a signature fuse through normal read operation and a method for reading the data of a signature fuse through normal read operation in a semiconductor memory device are provided to read through a normal read operation at the test mode after the data of the signature fuse is recorded on the memory cell. CONSTITUTION: A semiconductor memory device(200) capable of reading the data of a signature fuse through normal read operation includes a memory cell array(260) provided with a plurality of memory cells, an input buffer(230) and an output buffer(280). The input buffer(230) writes the data of the signature fuse on each of the memory cells while the test mode of the semiconductor memory device(200) is performed. The output buffer(280) reads the data of the signature fuse recorded through the normal read operation of the semiconductor memory device(200). And, the data of the signature fuse is the data of '0' or the data of '1' based on the cut of the signature fuse.
Abstract translation: 目的：提供一种能够通过正常读取操作读取签名保险丝的数据的半导体存储器件，以及通过半导体存储器件中的正常读取操作读取签名保险丝的数据的方法，以读取通过在半导体存储器件中的正常读取操作 签名保险丝的数据被记录在存储单元上之后的测试模式。 构成：能够通过正常读取操作读取签名保险丝的数据的半导体存储器件（200）包括设置有多个存储器单元的存储单元阵列（260），输入缓冲器（230）和输出缓冲器（280） ）。 当执行半导体存储器件（200）的测试模式时，输入缓冲器（230）将签名熔丝的数据写入每个存储单元。 输出缓冲器（280）读取通过半导体存储器件（200）的正常读取操作记录的签名熔丝的数据。 并且，基于签名保险丝的切断，签名保险丝的数据是“0”的数据或“1”的数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000025416A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980042497
申请日：1998-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A method for removing particles through an improvement of a dome surface structure is provided to remove particles of a dome surface by using a small size of bead when performing a bead blast process of a dome surface. CONSTITUTION: A method for removing particles through an improvement of a dome surface structure comprises the step of performing a bead blast process for increasing a surface area of a quartz dome. The method for removing particles comprises the steps of: performing a chemical cleaning for the dome(12) surface; performing an annealing process; performing a moisture spray process; performing a ultrasonic wave cleaning; and performing a heating process.
Abstract translation: 目的：提供一种通过改进圆顶表面结构去除颗粒的方法，用于当进行圆顶表面的喷砂处理时，通过使用小尺寸的珠来去除圆顶表面的颗粒。 构成：通过改进圆顶表面结构去除颗粒的方法包括执行用于增加石英圆顶的表面积的珠粒喷射过程的步骤。 除去颗粒的方法包括以下步骤：对圆顶（12）表面进行化学清洗; 进行退火处理; 进行水分喷雾处理; 执行超声波清洗; 并进行加热处理。
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公开(公告)号：KR1020000012948A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980031543
申请日：1998-08-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/32477
Abstract: PURPOSE: A dielectric window of an etching apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to improve productivity of semiconductor devices by suppressing attachment of a polymer to the insulating window. CONSTITUTION: The window covers a top of a process chamber to fix a boundary between the process chamber and an induction coil for disposing an electric field on an outside top of the process chamber to supply the electric field for forming a plasma in the process chamber. On the basis of distribution of plasma formed in the process chamber, a dielectric window disposed on a low-concentrated position is thinner than on a high-concentrated position.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的蚀刻装置的电介质窗口，以通过抑制聚合物与绝缘窗的附着来提高半导体器件的生产率。 构成：窗口覆盖处理室的顶部，以固定处理室和感应线圈之间的边界，用于在处理室的外部顶部设置电场，以提供用于在处理室中形成等离子体的电场。 基于在处理室中形成的等离子体的分布，设置在低浓度位置的介质窗比在高浓度位置上更薄。
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公开(公告)号：KR1019990076004A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980010595
申请日：1998-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J37/26
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조설비의 부속품을 비파괴분석할 수 있는 환경주사전자현미경 및 이를 이용한 반도체 제조설비 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 환경주사전자현미경은, 지지대에 의해서 지지되며, 상부에 분석대상물이 위치되는 샘플홀더가 구비되는 환경주사전자현미경에 있어서, 상기 샘플홀더 일측에 상기 샘플홀더의 직경을 외측으로 확장할 수 있는 직경확장수단이 더 구비되어 있으며, 상기 환경주사전자현미경을 이용한 반도체 제조설비 분석방법은, 일련의 반도체장치 제조공정이 진행된 웨이퍼를 샘플링하는 웨이퍼 샘플링단계, 상기 샘플링된 웨이퍼를 분석하는 웨이퍼 분석단계, 상기 웨이퍼 분석단계의 수행에 의한 결과값을 기준으로 반도체장치 제조설비의 분석대상 부품을 결정하는 분석대상 부품 결정단계 및 상기 분석대상 부품을 환경주사전자현미경을 사용하여 분석하는 환경주사전자현미경 분석단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 제조설비의 부품을 비파괴분석함으로서 반도체 제조설비의 부품 상에 존재하는 파티클이 공정과정에 오염원으로 작용하는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990074455A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980008058
申请日：1998-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명에 의한 반응로의 반응 (in-line) 모니터링장치는 반응로와 RGA(residual gas analyzer) 사이에 설치된 가스샘플링매니폴더(gas sampling manifolder)의 오염을 최소화하기 가스라인에 제 1, 2 오리피스(orifice)를 병렬 설치하고 반응로의 압력에 따라 제 1, 2 오리피스를 선택적으로 사용하기 위해 3웨이밸브를 상기 제 1, 2 오리피스의 양단에 설치하고, 상기 가스라인 내의 압력을 낮추어 RGA의 효율적인 분석을 이룩하도록 보조펌프를 사용하며, 상기 보조펌프로서 로터리베인펌프(rotary vane pump)를 사용할 때 오일트랩을 설치한다.
따라서, 본 발명은 가스샘플링매니폴더의 오염을 최소화하여 RGA의 분석 신뢰성을 향상시킨다.-
公开(公告)号：KR1019980066025A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970001327
申请日：1997-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정에 사용되는 가스 및 가스공급용 기구를 용이하게 분석할 수 있는 반도체 공정용 가스 분석장치에 관한 것이다.
본 발명은, 서로 상이한 순수가스를 공급하는 복수의 순수가스공급원, 상기 복수의 순수가스공급원과 각각 연결되는 복수의 정화장치 및 상기 정화장치와 각각 연결되고, 상기 순수가스공급원에서 방출되는 순수가스와 동일한 특정농도의 표준가스를 방출하여 상기 정화장치를 통과한 순수가스를 희석시켜 상기 순수가스에 대한 기지농도를 갖는 표준가스의 불순물 농도를 측정하기 위한 분석설비에 공급하는 복수의 표준가스공급원을 구비하여 이루어진다.
따라서, 분석공정을 용이하게 진행할 수 있는 효과가 있다.
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