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公开(公告)号：KR1020170140137A
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020170168001
申请日：2017-12-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B3/025 , H01G4/1218 , H01G4/30
Abstract: 실시예들은일반식 KSrAgNbO로표시되고, 상기 x는 0 초과 1 이하인것을특징으로하는은이치환된스트론튬나이오베이트유전체조성물및 이를제조하는방법에관련된다. 또한다른실시예에서상기 K는 H로치환될수도있다.
Abstract translation: 实施方式涉及由通式KSrAgNbO表示的二取代的铌酸
盐铌酸盐介电组合物及其制备方法，其中x大于0且小于1。 在另一个实施例中，K可以是H降低的。-
公开(公告)号：KR1020170045593A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：KR1020150145368
申请日：2015-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 실시예들은일반식 KSrAgNbO로표시되고, 상기 x는 0 초과 1 이하인것을특징으로하는은이치환된스트론튬나이오베이트유전체조성물및 이를제조하는방법에관련된다. 또한다른실시예에서상기 K는 H로치환될수도있다.
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43.发明授权레이저를 이용한 박막 전지용 양극 제조 방법, 그 방법으로 제조된 박막 전지용 양극 및 이를 포함하는 박막 전지 有权使用由其制造的激光阴极制造薄膜电池的阴极的方法和包括该阴极的薄膜电池
公开(公告)号：KR101637938B1
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140153627
申请日：2014-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/0402 , H01M4/0404 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M10/659
Abstract: 박막전지용양극형성방법은, 기판상에양극활물질을증착하는단계; 및상기양극활물질상에레이저를조사하여상기양극활물질을결정화하는단계;를포함할수 있다. 양극활물질은상온에서기판상에증착될수 있고, 레이저를이용하여저온에서양극활물질을결정화함으로써가볍고가공이용이한고분자기판을사용할수 있게된다. 본발명의일 실시예에따른양극제조방법으로제조된양극을포함하는박막전지는높은방전용량등 우수한충·방전특성을갖는다.
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公开(公告)号：KR1020150091830A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020140012542
申请日：2014-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/134 , H01M4/64 , H01M4/1395
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/64 , H01M2004/027
Abstract: 본 발명은 음극 박막의 수명 및 용량 특성을 향상시킨 리튬 이온 이차 전지의 음극 박막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 리튬 이온 이차 전지의 음극 박막은 기판의 표면상에 형성된 실리콘과 알루미늄의 혼합층을 포함한다. 이때, 혼합층은 실리콘과 알루미늄이 비정질 형태로 혼합된 층일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改善的阳极薄膜的寿命周期和容量特性的锂离子二次电池的阳极薄膜。 根据本发明的锂离子二次电池的阳极薄膜包括在基板的表面上形成的硅和铝的混合层。 混合层可以是通过混合非晶型的硅和铝制成的层。
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公开(公告)号：KR101509533B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130025052
申请日：2013-03-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/1395 , H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 본발명은리튬이온이차전지용실리콘/알루미늄적층다층음극박막및 그제조방법에관한것으로, 보다상세하게는기판상에실리콘을증착시키는실리콘층증착단계; 및상기실리콘층상에알루미늄을증착시키는알루미늄층증착단계;를포함하되, 상기실리콘층증착단계및 알루미늄증착단계가교대로일회이상반복되는구성을가짐으로써, 제조되는리튬이온이차전지의높은방전용량과우수한충·방전특성을동시에실현하고또한, 장수명화를달성한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于锂离子二次电池的Si-Al多层阴极薄膜及其制造方法，更具体地说，涉及：在基板上沉积硅的硅层沉积步骤; 以及用于在硅层上沉积铝的铝层沉积步骤。 通过将硅层沉积步骤和铝层沉积步骤交替进行多次，锂离子二次电池具有高放电容量，优异的充电放电性能和长寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140139341A
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：KR1020130059870
申请日：2013-05-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495 , C04B35/453 , H01B3/10 , H01B17/56
CPC classification number: C04B35/495 , H01B3/12 , H01G4/1254 , H01G4/30 , H01L27/108
Abstract: 본 발명은 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학식 1(KSr
2
(1-x) Bi
(y/3)x Nb
3 O
10+δ (KSBNO) (상기 화학식 1에서 몰분율 x는 0Abstract translation: 本发明涉及具有高介电常数和低介电损耗的铌酸铌电介质组合物。 更具体地，提供了具有高介电常数和低介电损耗的铌酸铋电介质组合物，其具有如化学式1所示的组成：KSr_2（1-x）Bi_（y / 3）xNb_3O_10 +δ（KSBNO）（化学式1 ，摩尔分数x为0
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公开(公告)号：KR1020210002833A
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020190078603
申请日：2019-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 전극막의제조방법및 이를이용하는커패시터의제조방법을제공한다. 전극막제조방법은, 기판상에주석전구체및 산소소스를순차적으로제공하는제1 서브사이클(first sub-cycle)을수행하고, 제1 서브사이클을수행한기판상으로주석전구체, 탄탈륨전구체, 및산소소스를순차적으로제공하는제2 서브사이클을수행하고, 제1 서브사이클및 제2 서브사이클이하나의사이클(cycle)을구성하며, 사이클을반복수행하여, 기판상에탄탈륨이도핑된주석산화막을형성하는것을포함한다. 탄탈륨이도핑된주석산화막내 탄탈륨농도는제2 서브사이클에서제공되는주석전구체에의해결정된다.
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公开(公告)号：KR101932588B1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：KR1020170026311
申请日：2017-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 개시된 반도체 메모리 소자의 커패시터는, 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 배치되며 티타늄 산화물을 포함하는 유전막 및 상기 유전막 위에 배치되는 상부 전극을 포함한다. 상기 하부 전극은, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속은 백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 금속은, 루테늄(Ru) 및 이리듐(Ir)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020180099197A
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：KR1020170026311
申请日：2017-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10808 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/28556 , H01L28/75 , H01L28/91
Abstract: 개시된반도체메모리소자의커패시터는, 하부전극, 상기하부전극위에배치되며티타늄산화물을포함하는유전막및 상기유전막위에배치되는상부전극을포함한다. 상기하부전극은, 제1 금속및 제2 금속을포함하고, 상기제1 금속은백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및팔라듐(Pd)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함하고, 상기제2 금속은, 루테늄(Ru) 및이리듐(Ir)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함한다.
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公开(公告)号：KR101843959B1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR1020160107054
申请日：2016-08-23
Inventor： 권범진 , 백승협 , 김성근 , 김희숙 , 이상수 , 현도빈 , 김진상 , 김준수 , 이재우 , 임종필 , 이승민 , 문승언 , 이영국 , 김건환 , 유영재 , 김병각 , 송희석 , 조성윤 , 강영훈 , 배은진 , 안승건
Abstract: 본원발명은개선된발전성능을가지는웨어러블열전발전시스템을개시한다. 본원발명의웨어러블열전발전시스템은착용자의피부표면에접촉하고인체의열을흡수할수 있는기판, 상기기판상부에구성되는열전소재와전극을포함하여구성되는열전소자. 상기열전소자의상부에구성되는공기에노출되어열 교환을할 수있는히트싱크및 상기열전소자와연결되는전력관리회로(energy management integrated circuit: EMIC)를포함한다. 수 mm 이내두께의열전소자양단의온도차이를최대한의크기로지속적유지를위한요소기술과외부환경및 전자기기상태에맞춰출력전압을조절할수 있는전력관리기능을특징으로하는웨어러블열전발전시스템이다.
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