Abstract:
본 발명은, 크기가 2 내지 5㎛이고, 중량 퍼센트로 99.9% 이상의 순도를 가지는 텅스텐 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하여 3 차원 성형체를 만드는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계와; 얻어진 상기 텅스텐 골격 구조의 밑면 위에 동 판재를 올려놓고 1250℃에서 2 시간 동안 수소 분위기에서 구리 용침을 수행하는 단계;로 제조되는 마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기로, 별도의 가공 공정 없이 열방산 특성이 우수하고 열팽창 계수가 GaAs와 유사하며, 스트립 와이어 연결이 가능한 용기를 제공하고, 그의 제조 방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은, 크기가 2 내지 5㎛이고, 중량 퍼센트로 99.9% 이상의 순도를 가지는 텅스텐 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하여 3 차원 성형체를 만드는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계와; 얻어진 상기 텅스텐 골격 구조의 밑면 위에 동 판재를 올려놓고 1250℃에서 2 시간 동안 수소 분위기에서 구리 용침을 수행하는 단계;로 제조되는 마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기로, 별도의 가공 공정 없이 열방산 특성이 우수하고 열팽창 계수가 GaAs와 유사하며, 스트립 와이어 연결이 가능한 용기를 제공하고, 그의 제조 방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 (a) 하기 조성을 갖는 조립 분말을 제공하는 단계 TiN- p M 2 C- q C- r Ni- s Mec (여기서, p는 5 내지 20 중량%, q는 0 내지 1.5 중량%, r은 15 내지 30 중량%, s는 0 내지 5 중량%이고, 다만 q와 s는 동시에 0 중량%는 아니고, MeC는 VC, WC, TaC 및 NbC 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 탄화물이다.); b) 상기 조립 분말을 가압 성형하는 단계; 및 c) 분말 성형체를 소결시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 잔류 기공이 없는 TiN 고용체의 고상 입자와 Ni 고용체 기지(matrix)만으로 구성된 소결체의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract:
This W-Cu alloy is produced by the processes of (1) infiltration of copper in tungsten frame, repeatedly, (2) rapid heating of infiltrated W-Cu alloy at higher 1150deg.C than melting temperature 1083deg.C of copper for the holding time of over 5min, and (3) rapid cooling up to 800deg.C, for decreasing direct contact between tungsten particles, removing the residual porosity and homogenizing micro structure by contraction and expansion. This alloy comprises 65 to 85wt.% Cu and the balance of tungsten frame. The copper as the starting material is the powder of electrolytic copper of higher oxygen content or the ingot of oxygen-free copper of lower oxygen content.
Abstract:
The molten infiltrating of forming media of WC-3-5% Co, that of Co powder on sintered material of this for 1hr at 1200≦̸C, that of C-25% WC mixed powder, that of Co-25% WC-0.1% C mixed powder, that of Ni- 25% WC mixed powder, that of WC-25.3% Fe-6.7% Ni-3.3%Co mixed powder or molten infiltrating media of these materials sintered for 1hr at 1200≦̸C in a vacuum sintering furnace at 1350-1500≦̸C can remove residual pores and change the composition of binding.
Abstract:
본 발명은 가시광 투과도 및 광 발광 특성이 우수한 코팅 조성물 및 이를 이용하여 제조된 파장변환 박막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 코팅 조성물은 용매, 폴리실라잔 및 파장 변환제를 포함하고, 가시광 투과도가 수용액 대비 50% 이상인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 가시광 투과도 및 광발광 특성이 우수한 파장변환 박막을 제조할 수 있다.