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公开(公告)号：KR101831150B1
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：KR1020150159168
申请日：2015-11-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은열전물성의재현성을향상시킴과함께열전소재의캐리어농도를선택적으로제어할수 있는냉간변형을이용한열전소재제조장치및 방법에관한것으로서, 본발명에따른냉간변형을이용한냉간변형을이용한열전소재제조방법은열전물질을용융, 냉각하여열전재료덩어리를제조하는단계; 열전재료덩어리에압력을가하는냉간변형을실시하여, 열전재료덩어리내부의캐리어농도를증가시키는단계; 및냉간변형이실시된열전재료를열간압출하여열전소재를제조하는단계;를포함하여이루어지는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020170135584A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160067736
申请日：2016-05-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/0665 , H01L21/02172 , H01L21/02598 , H01L21/0274 , H01L21/2026
Abstract: 단결정나노패턴의제조방법이제공된다. 상기단결정나노패턴의제조방법에의하면, 고에너지의집속전자빔을이용하여비정질의박막내에나노크기의결정패턴을간단하게제조할수 있다. 또한, 이종접합산화물의계면으로부터나노구조의결정패턴을성장시켜기판과에피택셜한나노결정구조를제조할수 있다. 그리고나노결정패턴을원자크기로제어하기위해서는부도체이종접합계면에전도성층을형성시키는것이유리하다.
Abstract translation: 提供了一种制造单晶纳米图案的方法。 根据用于制造单晶纳米图案的方法，可以使用高能聚焦电子束在非晶薄膜中容易地制造纳米级晶体图案。 另外，可以从异质结氧化物的界面生长纳米晶体图案以与衬底形成外延纳米晶体结构。 为了将纳米晶图案控制为原子尺寸，在非导电异质结界面处形成导电层是有利的。
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公开(公告)号：KR101780943B1
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020170095244
申请日：2017-07-27
Abstract: 본발명은스핀열전소자및 그제조방법에관한것으로서, YIG 재료를혼합하고, 졸-겔법에의해 YIG 파우더가형성되는단계; 상기 YIG 파우더를칼시네이션공정에의해 1차열처리하여결정화하는단계; 상기열처리된 YIG 파우더가프레싱공정에의해 YIG 필렛으로형성되는단계; 상기 YIG 필렛을신터링공정에의해 2차열처리하여자성특성을갖는열전층을제조하는단계; 및상기열전층상에전극층을형성하는단계;를포함하되, 상기 2차열처리하는단계에서, 상기 2차열처리온도는 1400℃로상기 1차열처리온도보다높은스핀열전소자의제조방법이다.
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公开(公告)号：KR101758146B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020150110995
申请日：2015-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명의실시예는혼합분말이되도록, 다결정의모재료와이종나노물질을용기에넣고분쇄하는단계및 혼합분말을소결시키는단계를포함하는이종나노입자를이용한열전물질제조방법에관련된다.
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公开(公告)号：KR1020170004113A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020150094016
申请日：2015-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은제1 기판, 상기제1 기판상에형성되는제1 박막층, 상기제1 박막층또는제1 기판에압력을가하는나노구조물및 상기압력에의해상기제1기판과상기제1박막층사이의전류변화를감지함으로써상기압력을측정하는압력측정부를포함하는나노압력센싱소자및 이를이용한압력센싱방법을개시한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160136109A
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020150069849
申请日：2015-05-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/316 , C23C14/34 , H01L21/02
Abstract: 본발명은음이온의화학양론제어를통해투명성및 높은전기전도도특성을갖는단결정구조의주석질산화물박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른주석질산화물단결정박막의제조방법은스퍼터링공정을통해기판상에 SnON(0.35
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公开(公告)号：KR101665309B1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020150037305
申请日：2015-03-18
IPC: H02S10/30 , H01L35/02 , H01L31/04 , H01L31/054 , H02S40/22 , H01L35/32 , H01L35/14 , H01L31/0304 , H01L35/30
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 본발명은집광형태양전지모듈과수평형열전모듈의결합을통해집광형태양전지모듈에인가되는열을수평형열전모듈에효과적으로전달함과함께수평형열전모듈에의한기전력발생을최대화하여집광형태양전지모듈과수평형열전모듈각각에의한전기에너지생산을향상시킬수 있는광전열전융합발전소자및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른광전열전융합발전소자는집광형태양전지모듈및 수평형열전모듈을포함하여이루어지며, 상기수평형열전모듈은, 기판과, 상기기판의중심부에구비되는열 흡수층과, 상기열 흡수층의둘레를따라구비되며, 상기기판상에원형또는다각형의띠 형태로배치되는복수의열전셀과, 상기기판의주변부에구비된히트싱크를포함하여구성되며, 상기집광형태양전지모듈은, 태양광을집광하는집광장치와, 상기집광장치에의해집광된태양광을광전변환하는태양전지를포함하여구성되며, 상기태양전지는상기열 흡수층상에구비되며, 상기태양전지의열은상기열 흡수층을매개로상기수평형열전모듈로수직확산되며, 상기수평형열전모듈로전달된열은수평형열전모듈의기판을따라수평확산되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光电热融合发电元件及其制造方法。 光电热融合发电元件可以通过耦合收集型太阳能电池模块和水平热电模块，有效地将施加于集光型太阳能电池模块的热量传递给水平热电模块，并使水平热电产生的电动势最大化 模块，用于单独地通过集光型太阳能电池模块和水平热电模块来增强电能产生。 根据本发明，光电热融发电元件包括集光型太阳能电池模块和水平热电模块。 水平热电模块包括：基板; 布置在所述基板的中心的吸热层; 多个热电元件沿着吸热层的周边布置并且被布置在基板上的圆形或多边形条中; 以及布置在基板附近的散热器。 集光型太阳能电池模块包括：收集太阳光的光收集装置; 以及将由光采集装置收集的太阳光转换成光电能的太阳能电池。 太阳能电池布置在吸热层上。 太阳能电池的热量通过吸热层垂直扩散到水平热电模块。 传输到水平热电模块的热量沿着水平热电模块的衬底在水平方向上扩散。
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公开(公告)号：KR101572614B1
公开(公告)日：2015-11-30
申请号：KR1020140100441
申请日：2014-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는, 고유전율및 저유전손실을갖는나이오베이트유전체조성물및 이를사용하는나노시트박막을제공한다. KSrCuNbO(화학식 1) (상기식에서, x는 0
Abstract translation: 本发明提供了具有高介电常数和低介电损耗的铌酸盐电介质组合物，并由化学式1表示。此外，本发明提供了使用其的纳米片薄膜。 在化学式1中，x大于零且小于或等于0.7。
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公开(公告)号：KR1020150124901A
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020150058767
申请日：2015-04-27
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은고유전율과낮은유전손실특성을갖는칼슘구리티타늄산화물기반의유전체박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른칼슘구리티타늄산화물기반의유전체박막은유전체박막이 CaCuTiO(0
Abstract translation: 本发明涉及具有高介电常数和低介电损耗特性的钙 - 铜 - 氧化钛基电介质薄膜及其制造方法。 根据本发明，通过将电介质薄膜与CaxCuyTizO_12（0
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公开(公告)号：KR101450093B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130125975
申请日：2013-10-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1666
Abstract: The present invention relates to a resistance random access memory device with a hetero-junction oxide film structure which is capable of using two-dimensional electron gas generated from a hetero-junction oxide interface as a low electrode of the resistance random access memory device by applying the hetero-junction oxide film structure, and of maximizing Ion/Ioff by utilizing the depletion property of two-dimensional electron gas, and a method of fabricating the same. A resistance random access memory device with a hetero-junction oxide film structure according to the present invention includes an oxide substrate; an oxide thin film layer provided on the oxide substrate and including a material, a kind of which is different from that of the oxide substrate; and a two-dimensional electron gas layer formed on the oxide substrate and the oxide thin film by an upper electrode provided on the oxide thin film layer and the hetero-junction of the oxide substrate and the oxide thin layer.
Abstract translation: 本发明涉及具有异质结氧化物膜结构的电阻随机存取存储器件，其能够使用由异质结氧化物界面产生的二维电子气体作为电阻随机存取存储器件的低电极， 异相结合氧化物膜结构以及通过利用二维电子气的耗尽特性使Ion / Ioff最大化的方法及其制造方法。 根据本发明的具有异质结氧化物膜结构的电阻随机存取存储器件包括氧化物衬底; 氧化物薄膜层，其设置在所述氧化物基板上并且包括与所述氧化物基板不同的材料; 以及通过设置在氧化物薄膜层上的上电极和氧化物衬底和氧化物薄层的异质结在氧化物衬底和氧化物薄膜上形成的二维电子气层。
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