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    자외선 감응 열가소성 수지 기반 자가 치유 복합체 및 그 제조 방법
    43.
    发明授权
    자외선 감응 열가소성 수지 기반 자가 치유 복합체 및 그 제조 방법 有权

    公开(公告)号：KR101752751B1

    公开(公告)日：2017-07-03

    申请号：KR1020150092916

    申请日：2015-06-30

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 안석훈 ,  박민 ,  박근영 ,  문병준 ,  손동익 ,  김명종 ,  정용채

    IPC: C08K3/02 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08 ,  C08L75/04 ,  C08L25/06

    Abstract: 자외선영역의빛 에너지를흡수한후 비복사에너지로방출하는나노물질이열가소성수지에분산된것이고, 상기열가소성수지는나노물질로부터방출되는비 복사에너지에의하여이동가능한자외선감응열가소성수지기반자가치유복합체및 그제조방법을제공한다. 해당복합체는반복적치유가가능하면서도제조과정이저렴하여상업화에유용하다. 또한, 자외선감응시 복합체 내부에서생성되는열 에너지가효과적으로열가소성수지에전달되어효율적인자가치유가일어나도록할 수있다. 아울러, 양호한용매분산성, 고분자매트릭스내에서의양호한분산성과고분자와의계면특성으로인하여균일한복합체를제공할수 있고이에따라자가치유특성을더욱향상할수 있으며, 또한, 전도성을부여하기가용이하다.

    핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 이용한 색 변환 발광소자와 그 제조방법
    46.
    发明授权
    핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 이용한 색 변환 발광소자와 그 제조방법 有权
    使用核壳结构的金属氧化物 - 富勒烯量子点的发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号：KR101633451B1

    公开(公告)日：2016-07-08

    申请号：KR1020150088584

    申请日：2015-06-22

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 손동익 ,  이규승 ,  심재호 ,  김수민 ,  안석훈 ,  김명종

    IPC: H01L33/04 ,  H01L33/50

    Abstract: 본발명은핵-껍질구조의금속산화물반도체-플러렌양자점을이용한색 변환발광소자와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는산화된플러렌에산화물반도체를화학적결합방법으로핵-껍질산화물반도체-플러렌을제조하고이를발광층으로적용하여발광소자를제조함으로써, 플러렌의밴드갭조절기능으로인해본래산화물반도체재료에서나타나는발광범위보다더 긴파장대의발광이나타나게되므로우수한발광특성을가지는핵-껍질구조의양자점을이용한발광소자에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用核 - 壳结构的金属氧化物 - 富勒烯量子点的颜色转换发光二极管及其制造方法。 更具体地，通过氧化富勒烯和氧化物半导体的化学组合制造核 - 壳结构的金属氧化物 - 富勒烯。 适用于发光层。 因此，制造发光器件。 因此，获得了由于富勒烯的带隙控制功能而在氧化物半导体材料中最初获得的发光范围的波长的发光。 因此，本发明涉及使用具有优异发光特性的核 - 壳结构量子点的发光二极管。

    화학적 박리를 이용한 그라핀의 제조방법
    49.
    发明授权
    화학적 박리를 이용한 그라핀의 제조방법 有权
    通过化学去角质生产石墨烯的方法

    公开(公告)号：KR101286106B1

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：KR1020110051557

    申请日：2011-05-30

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 최원국 ,  박동희 ,  권병욱 ,  손동익

    IPC: C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: C01B31/0446 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B32/23 ,  C01B2204/02

    Abstract: 본 발명은 산화 흑연과 금속 산화물 나노 입자 사이의 화학적 결합을 이용하여 순수한 그라핀을 제조하는 방법 및 그에 따라 제조되는 그라핀과 유사 금속 산화물-그라핀 핵-껍질 구조의 나노 입자를 그 특징으로 한다.
    본 발명의 그라핀의 제조방법은 사용되는 재료의 가격이 저렴하고, 산처리와 같은 간단한 공정을 통하여 화학적 결합을 유도 및 분리할 수 있으며, 저온에서 반응이 이루어질 수 있어 부대 공정 시설에 비용이 많이 들지 않는다. 또한, 공정의 처리 기간이 길지 않아 빠르면서도 대량으로 제조할 수 있으며, 순수하면서도 결함이 적은 그라핀을 제조할 수 있다.

    일체형 코어/쉘 구조의 고분자-양자점 복합체를 포함하는 태양전지 소자 및 이의 제조방법
    50.
    发明公开
    일체형 코어/쉘 구조의 고분자-양자점 복합체를 포함하는 태양전지 소자 및 이의 제조방법 有权
    包含聚合核心/壳聚合物 - 量子复合材料的太阳能电池装置及其制备

    公开(公告)号：KR1020100124446A

    公开(公告)日：2010-11-29

    申请号：KR1020090043450

    申请日：2009-05-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 최원국 ,  박동희 ,  손동익 ,  이상엽 ,  최지원

    IPC: H01L31/0445

    CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    Abstract: PURPOSE: A solar cell device including a polymer quantum dot composite of an integrated core/shell structure and a manufacturing method thereof are provided to minimize the interlayer interface of a multi layer thin film by forming an active layer as a thin film of a p-i-n type polymer-quantum dot composite. CONSTITUTION: A substrate, an anode, and a cathode are successively laminated. A semiconductor quantum dot absorbs ultraviolet-near infrared rays of 200 to 1100 nm among sunlight spectrum. Semiconductor nano particles have a band gap of 1.1 to 6.0 eV. The semiconductor quantum dot is made of IV, II-VI, III-V, I-III-VI group compounds and a mixture thereof.

    Abstract translation: 目的：提供一种包括集成核/壳结构的聚合物量子点复合体及其制造方法的太阳能电池器件，其通过形成作为针式薄膜的有源层来最小化多层薄膜的层间界面 聚合物 - 量子点复合材料。 构成：依次层压基板，阳极和阴极。 半导体量子点在太阳光谱中吸收200〜1100nm的紫外 - 近红外线。 半导体纳米颗粒具有1.1至6.0eV的带隙。 半导体量子点由IV，II-VI，III-V，I-III-VI族化合物及其混合物制成。

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