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公开(公告)号：KR1020020069608A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020010009862
申请日：2001-02-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: PURPOSE: An ion implantation method using pulse plasma is provided to effectively improve abrasion resistance and intensity of the surface of a sample, by applying a radio frequency(RF) pulse and a negative direct current(DC) high voltage to a plasma generating gas and by uniformly implanting ions into the surface of the sample. CONSTITUTION: The sample is positioned on a sample table(14) inside a vacuum bath(10). Gas to be transformed into plasma is supplied to the vacuum bath. An RF pulse is radiated to the gas. The negative DC high voltage is applied to the sample to implant plasma ions of a plasma state into the surface of the sample.
Abstract translation: 目的：提供使用脉冲等离子体的离子注入方法，通过对等离子体发生气体施加射频（RF）脉冲和负直流（DC）高电压，有效地提高样品表面的耐磨性和强度， 通过均匀地将离子注入到样品的表面中。 构成：将样品放置在真空浴（10）内的样品台（14）上。 将要转化为等离子体的气体供应到真空浴。 RF脉冲被辐射到气体。 将负DC高电压施加到样品以将等离子体状态的等离子体离子注入到样品的表面中。
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公开(公告)号：KR100217538B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960010740
申请日：1996-04-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05H1/00
Abstract: 본 발명은 진공조 내에 위치한 시료대 위에 판상의 고분자 시료를 위치시키고, 진공조 내에 가스를 도입하여 가스로부터 이온 플라즈마를 발생시키고, 부(-)의 고전압 펄스를 시료에 가하여, 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 고분자 시료의 표면에 주입되도록 하는 것이 특징인 고분자 소재의 표면 개질 방법 및 그를 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법을 따르면, 입사되는 이온의 에너지가 종래의 플라즈마를 이용한 고분자 표면 개질 방법에서의 이온 에너지보다 매우 높으므로 표면 개질 효율이 탁월하고 표면 이하 깊은 층까지 개질시 킬 수 있어 처리 후 시간에 따른 표면 특성 저하를 효과적으로 방지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 고분자 표면 개질 방법은 대면적의 시료를 단시간내에 용이하게 균일 처리할 수 있으며, 고전압 펄스를 조절하여 이온 에너지를 쉽게 변화시킬 수 있을 뿐 아니라 장치의 구조 또한 매우 단순화시키므로 대량 생산 장치에 유리하다.
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公开(公告)号：KR1020170096806A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：KR1020160018526
申请日：2016-02-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/58 , C23C14/14 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23C16/06 , C23C16/26 , C23C16/56
Abstract: 본발명은탄화귀금속박막을형성한후, 산소플라즈마를이용하여박막내 탄소원자를선택적으로제거하는산소플라즈마디얼로잉(O2 plasma de-alloying) 공정을통해다공성귀금속박막의제조방법에관한것으로서, 본발명에의하면, 다공성의귀금속박막구조를제작하는전 과정이건식공정으로만이루어짐으로써, 종래전기화학적분해법또는선택적용해법등 습식공정을사용하는경우에비해청결한공정이가능하고높은재현특성으로인해다공성박막의응용분야인촉매, 센서, 연료전지전극, 에너지저장장치등의다양한분야에이용될수 있으며, 대량생산이가능하다는장점을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及通过划船制备多孔贵金属薄膜（O 2等离子体脱合金化）工艺用氧等离子体径向以选择性地通过使用碳化物贵金属薄膜，氧等离子体，在形成后除去在碳源那些薄膜的方法 根据本发明，由于整个过程yigeonsik过程euroman，常规的电化学分解或诸如可用的和高纯度的过程再现特性选择溶液与使用湿法工艺由yirueojim以产生多孔膜的孔隙率的贵金属薄膜结构的情况相比 催化剂的应用，而在传感器的不同区域使用，例如燃料电池用电极，能量存储装置具有大规模生产的优点是可能的。
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公开(公告)号：KR1020170021540A
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020150116045
申请日：2015-08-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은그래핀을기판상에전사(transfer)시키는과정없이탄화금속막을이용하여그래핀을제조하는방법에관한것으로, 그래핀을성장시키고자하는대상물상에, 탄화금속막을형성하여제1 구조체를준비하는단계와제1 구조체를열처리함으로써, 상기탄화금속막양측표면에그래핀을형성하여제2 구조체를형성하는단계와탄화금속막과그 상부표면에성장된그래핀을제거하는단계를구비하는탄화금속막을이용하여그래핀을제조하는방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明是使用薄膜金属碳化物是一种方法，而不传输（传送）销在基板上制造的销，就在目标对象到图像生长所述销和椅子的过程中，形成的涂层的金属碳化物第一结构部件 通过对金属碳化物膜进行热处理，在金属碳化物膜的两个表面上形成石墨烯，并且去除生长在金属碳化物膜及其上表面上的石墨烯，从而形成第二结构 本发明提供使用金属碳化物膜制造石墨烯的方法。
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Patent Agency Ranking46.发明授权이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법, 이로부터 제조된 CIS계 광활성층 박막 및 상기 박막을 포함하는 박막 태양전지 有权CIS CIS制备CIS基膜的方法，由其制备的基于CIS的膜和包括CIS基膜的薄膜太阳能电池
公开(公告)号：KR101582121B1
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：KR1020140040122
申请日：2014-04-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은이종적층형 CIS계광활성층박막의제조방법, 이로부터제조된 CIS계박막및 상기박막을포함하는박막태양전지에관한것으로전착된 CIS계박막을 5 내지 20 ℃/분의승온속도로 25 ℃에서 400 내지 580 ℃까지온도를상승시켜열처리함으로써제조되는 CIS계광활성층박막의제조방법으로서, a) CIS계화합물을구성하는원소들의전구체가용해된전해질용액내에작업전극을침지시킨후 상기작업전극에환원전압또는전류를인가하여 CIS계박막을전착하는단계; b) 전착된 CIS계박막을황(S) 함유기체분위기에서 150 내지 320 ℃에서제1 열처리함으로써상기 CIS계박막표면에황(S)을흡착시키는단계; 및 c) 표면에황(S)이흡착된 CIS계박막을셀레늄(Se) 함유기체분위기에서승온하여제2 열처리하는단계;를포함함으로써, CIS계광활성층박막의표층부의일부셀레늄이황으로치환되며내부는치밀한 CIS계박막을그대로유지하므로광활성층의유효밴드갭및 발생전류는변화없이그대로유지하면서전압상승효과를이뤄태양전지의광전변환효율을향상시킬수 있다.
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47.发明公开이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법, 이로부터 제조된 CIS계 광활성층 박막 및 상기 박막을 포함하는 박막 태양전지 有权用于制备基于CIS的膜的方法，其制备的基于CIS的膜和包括基于CIS的膜的膜太阳能电池
公开(公告)号：KR1020150115312A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020140040122
申请日：2014-04-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은이종적층형 CIS계광활성층박막의제조방법, 이로부터제조된 CIS계박막및 상기박막을포함하는박막태양전지에관한것으로전착된 CIS계박막을 5 내지 20 ℃/분의승온속도로 25 ℃에서 400 내지 580 ℃까지온도를상승시켜열처리함으로써제조되는 CIS계광활성층박막의제조방법으로서, a) CIS계화합물을구성하는원소들의전구체가용해된전해질용액내에작업전극을침지시킨후 상기작업전극에환원전압또는전류를인가하여 CIS계박막을전착하는단계; b) 전착된 CIS계박막을황(S) 함유기체분위기에서 150 내지 320 ℃에서제1 열처리함으로써상기 CIS계박막표면에황(S)을흡착시키는단계; 및 c) 표면에황(S)이흡착된 CIS계박막을셀레늄(Se) 함유기체분위기에서승온하여제2 열처리하는단계;를포함함으로써, CIS계광활성층박막의표층부의일부셀레늄이황으로치환되며내부는치밀한 CIS계박막을그대로유지하므로광활성층의유효밴드갭및 발생전류는변화없이그대로유지하면서전압상승효과를이뤄태양전지의광전변환효율을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及不同层叠型CIS系光敏层薄膜及其制造的CIS系光敏薄膜的制造方法以及包含该薄膜的薄膜太阳能电池。 通过以5〜20℃/分钟的升温速度从25℃升温至400〜580℃，对电沉积的CIS系薄膜进行热处理，从而制造CIS系的光活性层薄膜。 制造方法包括：a）将工作电极浸渍在电解质溶液中，其中构成CIS系化合物的元素的前体溶解，向工作电极施加还原电压或电流，并电沉积CIS 基薄膜; b）首先在含硫（S）气体气氛中，在150〜320℃下电解沉积的CIS基薄膜，并在CIS基薄膜的表面上吸收硫（S）的步骤; 以及c）通过增加含硒（Se）的气体气氛中的温度来二次热处理其中S吸收在表面上的CIS基薄膜的步骤。 因此，本发明的方法可以在保持有源带隙和光活性层的诱发电流的同时，提高成功的电压增加效果的同时提高太阳能电池的光电转换效率，因为内部保持基于密集的CIS基薄膜，而一些 基于CIS的光敏层薄膜的表面层的硒被S替代。
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公开(公告)号：KR101466975B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130076213
申请日：2013-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/324 , H01L21/326 , H01L27/1277
Abstract: 본 발명은 결정화도가 향상된 박막의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 박막에 관한 것이다. 보다 상세하게는 결정화 촉매 금속 원소와 자기장을 동시에 적용함으로써 결정화도가 향상된 박막을 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 박막에 관한 것이다. 본 발명은 결정화 촉매 금속을 이용하여 비정질 박막을 결정화하는 방법에 있어서 비정질 박막의 열처리시 자기장을 동시에 인가하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 본 발명에 의하면, 열처리시 자기장을 인가함으로써 열처리시 자기장을 인가하지 않은 경우와 비교하여 결정화도가 높은 박막을 제조할 수 있다. 또한 결정화 촉매 금속 원소의 잔류량을 현저히 줄일 수 있다. 또한, 결정화 촉매 금속 원소의 이온 주입 조건을 조절함으로써 박막의 결정 사이즈를 조절할 수 있다. 또한 열처리 온도를 낮출 수 있으므로 플렉서블 기판(Flexible substrate)을 사용하는 경우에도 적용이 가능하다. 또한 열처리 온도가 낮고 열처리 시간도 단축할 수 있으므로 생산 비용을 줄일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有改善的结晶度的薄膜的方法和由该薄膜制造的薄膜，更具体地说，涉及通过施加结晶催化剂金属元素和磁场制造具有改善的结晶度的薄膜的方法 以及由其制造的薄膜。 根据本发明提供的使用结晶催化剂金属的非晶态薄膜的结晶方法，当进行非晶薄膜的热处理时，同时施加磁场。 根据本发明，通过在热处理期间施加磁场，与不施加磁场的情况相比，可以制造具有更高结晶度的薄膜。 此外，结晶催化剂金属元素的剩余量可以显着降低。 此外，可以通过调节结晶催化剂金属元素的离子注入的条件来调节薄膜的晶体尺寸。 此外，由于可以降低热处理温度，所以该方法可以应用于使用柔性基板的情况。 另外，由于热处理温度低，能够降低热处理时间，所以能够降低制造成本。
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公开(公告)号：KR1020140012471A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020120079437
申请日：2012-07-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: The present invention relates to an amorphous silicon solar cell that includes an upper/lower electrode and an interfacial electrode applying an electric field between light absorption layers without a doping process. Because a doping process is not carried out, a harmful doping gas is not used. Also, because a window layer for receiving light is used as a metallic oxide which has high light transmission and a function of transferring holes, the loss of light reaching a light absorption layer can be minimized and the photocurrent density improved.
Abstract translation: 非晶硅太阳能电池技术领域本发明涉及一种非晶硅太阳能电池，其包括上下电极和界面电极，其在没有掺杂工艺的光吸收层之间施加电场。 由于不进行掺杂工艺，所以不使用有害的掺杂气体。 此外，由于用于接收光的窗口层被用作具有高透光度和传递空穴的功能的金属氧化物，所以可以使到达光吸收层的光的损失最小化并且光电流密度提高。
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公开(公告)号：KR1020140012224A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020120077782
申请日：2012-07-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18 , H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/18 , H01L51/42
Abstract: The present invention relates to a tandem solar cell combined with an amorphous silicon solar cell and an organic solar cell. A transparent conducting intermediate layer is formed at an interface between the amorphous silicon solar cell and the organic solar cell. The loss of light absorption due to the introduction of the transparent conducting intermediate layer is minimized and the interface resistance of the inner part of the tandem solar cell is greatly reduced. Thereby, a solar cell of high efficiency can be manufactured. [Reference numerals] (10) Conductive substrate; (20) P-type amorphous silicon; (30) I-type amorphous silicon; (40) N-type amorphous silicon; (50) Transparent conducting intermediate layer; (60) Hole transport layer; (70) Organic photoactive layer; (80) Electron transport layer; (90) Electrode
Abstract translation: 本发明涉及与非晶硅太阳能电池和有机太阳能电池组合的串联太阳能电池。 在非晶硅太阳能电池和有机太阳能电池之间的界面处形成透明导电中间层。 由于引入透明导电中间层而导致的光吸收损失最小化，并且串联太阳能电池的内部部分的界面电阻大大降低。 由此，可以制造高效率的太阳能电池。 （附图标记）（10）导电基板; （20）P型非晶硅; （30）I型非晶硅; （40）N型非晶硅; （50）透明导电中间层; （60）空穴传输层; （70）有机光敏层; （80）电子传输层; （90）电极
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