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公开(公告)号：KR100653652B1
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020040107030
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3403 , H01S5/34373
Abstract: 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링 장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다.
터널링 장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드-
公开(公告)号：KR100620912B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020030088260
申请日：2003-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/209 , H01S5/223 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S2301/18
Abstract: 본 발명은 BH(Buried Heterostructure) 레이저에서 능동 도파로 밖으로 흐르는 누설전류를 차단하기 위하여 상부 클래드의 폭을 작게하여 저항값을 증가시킨다. 전류차단층에 걸리는 전압이 감소되어 누설전류가 차단됨으로써 주입된 전류에 대한 광 출력의 비가 향상된다. 본 발명은 반도체층을 형성한 후 도파로 중심으로부터 일정한 폭만 남기고 식각하여 상부 클래드를 형성한다. 식각에 의해 전극과 전류차단층이 아주 얇은 폭의 반도체층으로 연결되는데, 이 연결 부위는 큰 전기적 저항값을 가지므로 전류차단층에 걸리는 전압을 감소시킨다. 따라서 전류차단층으로 흐르는 누설전류를 억제시킬 수 있다. 소자의 제작을 용이하게 하기 위하여 p형 반도체층을 성장시키기 전에 아주 얇은 식각정지층을 형성함으로써 선택적 식각 방법을 이용하여 p형 반도체층을 원하는 폭으로 식각할 수 있다.
BH, 레이저, 전류차단층, 메사 구조, 도파로, 누설전류-
公开(公告)号：KR100596510B1
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040094583
申请日：2004-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 완충층, 활성층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 보호층 상에 소정의 폭을 가지는 제1 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 식각 마스크로 이용하여 상기 완충층이 노출되도록 상기 보호층 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 식각된 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 완충층의 일부분을 피복하여 상기 활성층 및 상기 보호층보다 넓은 폭을 갖는 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크로 피복되지 않은 곳에만 선택적으로 제1 전류차단층 및 제2 전류차단층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 상기 결과물의 전체 상부면에 클래드층 및 콘택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함함으로써, 종래의 기술보다 추가적인 공정이 단순하여 전기적 특성의 향상뿐만 아니라 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 광소자, 선택적 성장, 전류차단층, 반절연성, p/n 동종접합면, 활성층, 마스크, 클래드층-
公开(公告)号：KR100596380B1
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020020079735
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 광학적 손실을 최소화할 수 있는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 레이저 소자는, 기판, 상기 기판상의 소정 부분에 형성되는 능동 도파로, 상기 능동 도파로 일측에 능동 도파로와 맞닿도록 형성되면서, 코어층을 포함하는 수동 도파로, 및 상기 능동 도파로 및 수동 도파로 상부에 형성되는 클래드층을 포함하며, 상기 수동 도파로의 코어층 상하에는 상기 코어층과 서로 다른 조성을 갖는 SCH(separated confinement heterostructure)층이 더 형성된다.
광도파로, 광결합 계수, 광결합 효율, SCH-
公开(公告)号：KR1020060007583A
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020040056417
申请日：2004-07-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 리지형 반도체 레이저를 제공한다. 본 발명은 활성층 상에 형성되고, 그 내부에 전류 주입 경로를 조절할 수 있는 W1의 폭의 개구부를 갖는 전류 주입 경로 조절용 패턴과, 상기 전류 주입 조절용 패턴 상에, 상기 W1의 폭의 개구부를 매몰하면서 광모드를 조절할 수 있고 상기 W1보다 큰 W2의 폭을 갖는 리지가 형성되어 있다. 이상과 같은 본 발명의 리지형 반도체 레이저는 전류가 공간적으로 퍼지는 정도와 광모드가 공간적으로 퍼지는 정도를 따로 조절하여 전류와 광모드의 공간적 분포를 최대한 일치시킴으로써 리지형 반도체 레이저의 특성을 향상시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100445917B1
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：KR1020020076212
申请日：2002-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: H04B10/40
Abstract: There are provided a bi-directional transceiver module and a method for driving the same. The bi-directional transceiver module includes a 1.3 mum Distributed Bragg Reflection Laser Diode (DBR LD) including an active layer which performs light-emission in response to a light at 1.3 mum and a DBR mirror formed near the active layer. The DBR mirror is formed to prevent an upstream signal emerging from the 1.3 mum DBR LD from being deleted by a PD. A monitoring PD and a PD for detecting an optical signal are integrated and mounted behind the DBR mirror using a butt-joint method. The 1.3 mum DBR LD, the monitoring PD, and the PD for detecting the optical signal are electrically isolated by insulated areas. To drive the bi-directional transceiver module, a forward bias (+) is applied to a p-electrode formed on the 1.3 mum DBR LD, a backward bias (-) is applied to p-electrodes formed on the monitoring PD and the PD for detecting the optical signal, and a n-electrode as a common electrode is grounded.
Abstract translation: 提供了一种双向收发器模块及其驱动方法。 双向收发器模块包括1.3μm分布式布拉格反射激光二极管（DBR LD），该分布式布拉格反射激光二极管包括响应于1.3μm的光执行发光的有源层和形成在有源层附近的DBR反射镜。 DBR反射镜形成为防止来自1.3mum DBR LD的上游信号被PD删除。 用于检测光信号的监测PD和PD被集成并且使用对接方法安装在DBR反射镜后面。 1.3 mum DBR LD，监测PD和用于检测光信号的PD通过绝缘区域电隔离。 为了驱动双向收发器模块，向形成在1.3μmDBR LD上的p电极施加正向偏压（+），向形成在监测PD和PD上的p电极施加反向偏压（ - ） 用于检测光信号，并且作为公共电极的n电极接地。
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公开(公告)号：KR101797624B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020110053198
申请日：2011-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/005 , B82Y20/00 , G02B6/305 , G02B6/4206 , H01L33/0045 , H01L33/20 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01S5/02216 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/06226 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/141 , H01S5/2213 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/34306 , H01S2301/176
Abstract: 본발명은고속으로동작되는수퍼루미네센트다이오드및 그의제조방법과그를구비하는파장가변외부공진레이저를개시한다. 그의다이오드는, 활성영역과광모드크기변환영역으로정의되는기판과, 상기활성영역에형성된활성도파로와상기활성도파로에연결되어상기광모드크기변환영역에형성된접합도파로및 수동도파로를포함하는도파로들과, 상기활성도파로상에형성된전극과, 상기전극과상기도파로들양측의상기기판상에형성된평탄층과, 상기전극에전기적으로연결되고, 상기활성도파로외곽의상기평탄층 상에형성된패드를포함한다.
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公开(公告)号：KR101754280B1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020110042251
申请日：2011-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/1028 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/2222 , H01S2301/16
Abstract: 반도체광 소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체광 소자는반도체기판의제1 모드변환영역, 광증폭영역, 제2 모드변환영역및 광변조영역상에각각배치된제1 모드변환코어, 광증폭코어, 제2 모드변환코어및 광변조코어; 및적어도광 증폭코어의측벽및 상부면을덮는전류차단부를포함한다. 제1 모드변환코어, 광증폭코어, 제2 모드변환코어및 광변조코어는일 방향을따라순차적으로배열되어서로버트결합(butt joint)되고, 전류차단부는차례로적층된제1, 제2 및제3 클래딩패턴들을포함한다. 제2 클래딩패턴은제1 도전형의도펀트로도핑되고, 제1 및제3 클래딩패턴들은제2 도전형의도펀트로도핑된다.
Abstract translation: 提供了一种半导体光学器件及其制造方法。 伊凡导体光学元件是第一模式转换区域，所述光放大区域，所述第二模式改变区域和各自布置在所述第一模式中的光调制的区域交换核心，光放大器芯，所述第二模式切换芯和半导体基板的光调制 核心; 以及电流阻挡部分，其至少覆盖光放大核心的侧壁和上表面。 第一模式转换核心，光学放大核心，第二模式转换核心和光学调制核心沿一个方向顺序布置以对接，并且电流中断部分包括第一，第二和第三包层 它包括一个图案。 第二包层图案掺杂有第一导电类型的掺杂剂，第一和第三包层图案掺杂有第二导电类型的掺杂剂。
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公开(公告)号：KR101695700B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020100130537
申请日：2010-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 본발명은아발란치포토다이오드의제조방법에관한것으로, 본발명의제조방법은, 기판의전면에광흡수층, 그래이딩층, 전기장완충층및 증폭층을순차적으로성장시켜에피탁시웨이퍼(Epitaxy wafer)를형성하는단계; 상기증폭층상에확산조절층을형성하는단계; 상기확산조절층상에확산조절층을보호하는보호층을형성하는단계; 상기보호층에서부터상기증폭층의소정깊이까지에칭하여에칭부를형성하는단계; 상기보호층을패터닝하여제1패터닝부를형성하는단계; 상기에칭부및 상기제1패터닝부에확산물질을확산시켜상기증폭층에접합영역과가드링영역을형성하는단계; 상기확산조절층및 상기보호층을제거하고, 상기증폭층상에상기접합영역과연결되는제1전극을형성하는단계; 및상기기판의후면에제2전극을형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명은재현성이확보되고신뢰성이우수한아발란치포토다이오드를제공할수 있다.
Abstract translation: 一种方法包括：依次在衬底表面上生长光吸收层，分级层，电场缓冲层和放大层，形成外延晶片; 在放大层上形成扩散控制层; 形成用于保护扩散控制层上的扩散控制层的保护层; 通过从保护层蚀刻到放大层的预定深度来形成蚀刻部分; 通过图案化所述保护层来形成第一图案形成部分; 通过使扩散材料扩散到所述蚀刻部分和所述第一图案形成部分，在所述放大层处形成接合区域和保护区域; 去除扩散控制层和保护层，并形成连接到放大层上的结区的第一电极; 以及在所述基板的后表面上形成第二电极。
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