公开(公告)号：KR101256556B1

公开(公告)日：2013-04-19

申请号：KR1020090084400

申请日：2009-09-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동영 ,  김해천

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q13/08 ,  H01Q9/04

CPC classification number: H01Q9/0442 ,  H01Q1/48 ,  H01Q9/0407

Abstract: 밀리미터파 대역 패치 안테나가 제공된다. 이 패치 안테나는 복수의 유전체층들이 적층된 다층 기판, 다층 기판의 중심 영역을 제외하고, 복수의 유전체층들 사이에 개재된 적어도 하나의 금속 패턴층, 다층 기판의 상부면 상에 배치되되, 중심 영역 내에 위치된 안테나 패치, 다층 기판의 상부면에 대향하는 하부면 상에 배치된 접지층, 및 유전체층을 관통하여 금속 패턴층과 접지층을 전기적으로 연결하되, 중심 영역을 에워싸는 복수의 비아들을 포함한다. 접지층 및 복수의 비아들에 의해 둘러싸인 다층 기판의 중심 영역은 공진기 역할을 한다.
밀리미터파, 패치, 안테나, 표면파, 광대역

公开(公告)号：KR1020120068599A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：KR1020100130291

申请日：2010-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안호균 ,  임종원 ,  윤형섭 ,  민병규 ,  이상흥 ,  김해천 ,  남은수

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/7783

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to control an insulation film property of the lower side of an electric field electrode by controlling the thickness of an insulation film on the lower side of each electric field electrode in a field effect transistor. CONSTITUTION: A source electrode, a drain electrode, and a gate electrode are formed on the upper side of a semiconductor substrate(20). A multilayer electric field electrode pattern with a different exposure layer with an opening unit is formed by depositing and patterning a multilayer photosensitive film on the upper side of an insulation film(27). An insulation film with a different step is formed by an insulation film etching process using an electric field electrode pattern as an etch mask. An electric field electrode(30a,30b,30c) is formed on the upper side of the insulation film by lifting off a metal layer after the metal layer is deposited by using the electric field pattern.

Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管及其制造方法，以通过控制场效应晶体管中每个电场电极下侧的绝缘膜的厚度来控制电场电极的下侧的绝缘膜性质 。 构成：在半导体衬底（20）的上侧形成源电极，漏电极和栅电极。 通过在绝缘膜（27）的上侧上沉积和图案化多层感光膜，形成具有开口单元的不同曝光层的多层电场电极图案。 通过使用电场电极图案作为蚀刻掩模的绝缘膜蚀刻工艺形成具有不同台阶的绝缘膜。 通过使用电场图案沉积金属层之后，通过剥离金属层，在绝缘膜的上侧形成电场电极（30a，30b，30c）。

公开(公告)号：KR1020120066362A

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：KR1020100127661

申请日：2010-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종원 ,  안호균 ,  강동민 ,  장우진 ,  김해천 ,  남은수

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/40 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve a high voltage property of the semiconductor device by increasing a breakdown voltage. CONSTITUTION: A source electrode(210) is separated from a drain electrode(220) on a substrate(200). An insulation layer(230) is formed on the substrate, the source electrode, and the drain electrode. A field plate electrode(240) is formed on the insulation layer. A gate electrode(250) is contacted with the field plate electrode. The gate electrode includes a first support unit(251), a second support unit(252), and a head unit(253).

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过增加击穿电压来提高半导体器件的高电压特性。 构成：源电极（210）与衬底（200）上的漏电极（220）分离。 在基板，源电极和漏电极上形成绝缘层（230）。 在绝缘层上形成场板电极（240）。 栅电极（250）与场板电极接触。 栅电极包括第一支撑单元（251），第二支撑单元（252）和头单元（253）。

公开(公告)号：KR1020120062346A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020100123566

申请日：2010-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤형섭 ,  민병규 ,  안호균 ,  이상흥 ,  김해천

IPC: H01L21/8252 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a high frequency device structure is provided to reduce initial reaction energy with a substrate material while diffusing Pt/Pd in a thermal process, thereby stably manufacturing a normally-off type high frequency device. CONSTITUTION: A Schottky barrier layer, an etch-stop layer(106), an ohmic layer(107), and an ohmic electrode are formed on a substrate. A first recess is formed in order to expose a part of the etch-stop layer. A second recess is formed in order to expose a part of the Schottky barrier slayer after forming a gate pattern on the first recess. A gate electrode(115) is formed by depositing a heat resistant metal film after forming a super lattice film by alternately depositing Pt and Pd on the second recess and the gate pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种高频器件结构的制造方法，以便在热处理中扩散Pt / Pd的同时降低与衬底材料的初始反应能量，从而稳定地制造常闭型高频器件。 构成：在衬底上形成肖特基势垒层，蚀刻停止层（106），欧姆层（107）和欧姆电极。 形成第一凹部以暴露部分蚀刻停止层。 形成第二凹部以便在第一凹部上形成栅极图案之后暴露一部分肖特基势垒屏障。 通过在第二凹部和栅极图案之间交替沉积Pt和Pd，在形成超晶格膜之后沉积耐热金属膜来形成栅电极（115）。

公开(公告)号：KR1020120061155A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：KR1020100107883

申请日：2010-11-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상흥 ,  김해천 ,  남은수

IPC: H03F1/34

CPC classification number: H03F3/08 ,  H03F1/34 ,  H03F3/3432 ,  H03F2200/121 ,  H03F2200/141 ,  H03F2200/18

Abstract: PURPOSE: A feedback amplifier is provided to have a wider dynamic range than before by providing a feedback amplifier which automatically controls a gain according to input current increase. CONSTITUTION: A feedback amplifier(200) is connected between an input terminal and an output terminal. The input terminal is electrically connected to power. A photo diode is connected between the input terminal and the power. A cathode current of the photo diode is used as an input current of the feedback amplifier. The feedback amplifier includes an amplification circuit part(210), an output circuit part(220), a feedback circuit part(230), and a bias circuit part(240). The feedback amplifier further includes a phase compensation circuit part(250). The amplification circuit part amplifies an input voltage inputted through the input terminal. The output circuit part outputs an output voltage through the output terminal. The bias circuit part applies a bias voltage to the feedback circuit part.

Abstract translation: 目的：通过提供反馈放大器，提供反馈放大器以具有比以前更宽的动态范围，该反馈放大器根据输入电流增加自动控制增益。 构成：反馈放大器（200）连接在输入端子和输出端子之间。 输入端子与电源电连接。 输入端子和电源之间连接一个光电二极管。 光电二极管的阴极电流用作反馈放大器的输入电流。 反馈放大器包括放大电路部分（210），输出电路部分（220），反馈电路部分（230）和偏置电路部分（240）。 反馈放大器还包括相位补偿电路部分（250）。 放大电路部分放大通过输入端输入的输入电压。 输出电路部分通过输出端子输出输出电压。 偏置电路部分向反馈电路部分施加偏置电压。

公开(公告)号：KR1020110063151A

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：KR1020090120101

申请日：2009-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성일 ,  이종민 ,  민병규 ,  윤형섭 ,  김해천 ,  남은수

IPC: H03F1/52 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F3/245 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/52 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/451

Abstract: PURPOSE: A power amplifying apparatus is provided to acquire high stability by adding resistors connected to bases of transistors. CONSTITUTION: A cutoff part(10) is connected between a signal input terminal(1b) and an amplification adjusting part(20). The cutoff part includes a plurality of capacitors(C1-Cn). The cutoff part intercepts a DC component supplied from the signal input terminal. The amplification adjusting part is connected between a bias input terminal(1a) and a circuit protecting part(30). The amplification adjusting part includes a plurality of resistors(R31-R3n). The amplification adjusting part transfers a DC bias voltage from the bias terminal to the circuit protecting part. The circuit protecting part is connected to the cutoff part, the amplification adjusting part and an amplifier(40). The amplifier amplifies the signal transferred from the circuit protecting part.

Abstract translation: 目的：提供功率放大装置，通过添加连接到晶体管基极的电阻来获得高稳定性。 构成：在信号输入端子（1b）和放大调整部件（20）之间连接有截止部分（10）。 截止部分包括多个电容器（C1-Cn）。 截止部分截取从信号输入端子提供的直流分量。 放大调整部连接在偏置输入端子（1a）和电路保护部件（30）之间。 放大调整部包括多个电阻（R31〜R3n）。 放大调整部将偏置端子的直流偏置电压传递到电路保护部。 电路保护部分连接到截止部分，放大调节部分和放大器（40）。 放大器放大从电路保护部分传送的信号。

公开(公告)号：KR1020110026654A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020090084400

申请日：2009-09-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동영 ,  김해천

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q13/08 ,  H01Q9/04

CPC classification number: H01Q9/0442 ,  H01Q1/48 ,  H01Q9/0407

Abstract: PURPOSE: A millimeter wave band patch antenna is provided to improve radiation efficiency and gains by forming a wall comprised of vias and a region surrounded with a ground layer to functions as a resonator. CONSTITUTION: A plurality of dielectric layers are laminated on a multilayer board(105). At least one metal pattern layer is interposed between dielectric layers except for the center of the multilayer board. An antenna patch(140) is position on the first surface of the multilayer board. A ground layer is positioned on a second surface of the multilayer board facing the first surface. A plurality of vias(130) surround the center and electrically connect the metal pattern layer to the ground layer. The center of the multilayer board surrounded with the plurality of vias and the ground layer functions as a resonator.

Abstract translation: 目的：提供一种毫米波带贴片天线，以通过形成由通孔和被地层包围的区域形成的壁来提高辐射效率和增益，起到谐振器的作用。 构成：在多层基板（105）上层叠多个电介质层。 除了多层板的中心之外，介电层之间插入至少一个金属图案层。 天线贴片（140）位于多层板的第一表面上。 接地层位于多层板的面向第一表面的第二表面上。 多个通孔（130）围绕中心并将金属图案层电连接到接地层。 用多个通孔和接地层包围的多层板的中心用作谐振器。

公开(公告)号：KR100922576B1

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：KR1020070126316

申请日：2007-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동영 ,  문재경 ,  김해천 ,  유현규

IPC: H01P3/08

Abstract: 본 발명은 밀리미터파 대역 전송 특성을 향상시키기 위한 초고주파 전송 장치에 관한 것으로, 다층 기판의 내부에 배치된 스트립 전송 선로; 상기 다층 기판의 외부에 상기 스트립 전송 선로와 동일 평면상에 배치되어 상기 스트립 전송 선로와 전기적으로 연결되는 마이크로 스트립 전송 선로; 및 상기 마이크로 스트립 전송 선로로부터 스트립 전송 선로 쪽으로 확장되도록 상기 마이크로 스트립 전송 선로의 하부 평면상에서 위치되는 신호 정합용 그라운드를 포함하며 구성되며, 이에 의하여 스트립 전송 선로와 마이크로 스트립 전송 선로의 접합 영역에서의 전계 성분 변화를 완화시켜 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 한다.
초고주파 전송, 밀리미터파 대역, 전송 특성, 스트립 전송 선로, 마이크로 스트립 전송 선로

公开(公告)号：KR100922575B1

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：KR1020070125466

申请日：2007-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종원 ,  안호균 ,  지홍구 ,  장우진 ,  문재경 ,  김해천 ,  유현규

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462

Abstract: 본 발명은 소스 저항, 기생 캐패시턴스 및 게이트 저항을 감소시켜 소자의 안정성 및 고주파 특성을 향상시킬 수 있는 티형 게이트 전극을 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것으로서, 상기 반도체 소자는, 기판 위에 소스 전극, 드레인 전극, 티형 게이트 전극을 형성하는데 있어서, 상기 티형 게이트 전극의 머리부 하단에 위치한 지지부의 측면에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어지는 제1,2 보호막을 적층하여 형성하고, 또한, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 측면에 상기 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어진 상기 제2 보호막을 형성함으로써, 소자의 활성 영역을 보호하고, 게이트-드레인, 게이트-소스 간의 기생 캐패시턴스를 감소시킨다.
부정형 고 전자 이동도 트랜지스터, 티형 게이트, 기생 캐패시턴스, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막

公开(公告)号：KR1020090060901A

公开(公告)日：2009-06-15

申请号：KR1020070127884

申请日：2007-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  김동영 ,  임종원 ,  안호균 ,  김해천 ,  유현규

IPC: H01P1/10

CPC classification number: H03K17/063 ,  H01P1/15 ,  H03K17/693 ,  H03K2017/066

Abstract: A switching circuit for a control circuit of a millimeter wave band is provided to improve isolation by simplifying a circuit design and a layout by a symmetrical structure of a switch cell. A switching circuit(100) for a control circuit of a millimeter wave band includes switch cells(110,120), capacitors(140,150), and bias pads(105,106). The switch cells are arranged on a signal port route. The switch cells are matched in a concern frequency. The switch cells include one or more transistors and a plurality of ground via holes. The transistors are vertically connected to an input/output transmission line. A plurality of ground via holes is symmetrically arranged in a top part and a bottom part of the input/output transmission line. The capacitors are used for a bias stabilization of the switch cells. The bias pads are parallel connected to the capacitors in order to control the switch cells.

Abstract translation: 提供了一种用于毫米波段的控制电路的切换电路，通过简化电路设计和通过开关单元的对称结构布置来提高隔离度。 用于毫米波段的控制电路的开关电路（100）包括开关单元（110,120），电容器（140,150）和偏置焊盘（105,106）。 交换机单元布置在信号端口路由上。 开关电池在关注频率下匹配。 开关单元包括一个或多个晶体管和多个接地通孔。 晶体管垂直连接到输入/输出传输线。 多个接地通孔对称地布置在输入/输出传输线的顶部和底部。 电容器用于开关电池的偏置稳定。 偏置焊盘并联连接到电容器，以便控制开关单元。