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公开(公告)号：KR101631242B1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020150012590
申请日：2015-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04L63/1425 , G06F17/30598 , G06N99/005 , H04L63/1416 , H04L63/20 , H04L63/14 , H04L43/08
Abstract: 잠재디리클레할당을이용하는악성트래픽시그니처의자동화된식별방법및 장치가개시된다. 시그니처식별장치는입력데이터를가공하여적어도하나의네트워크플로우를생성하고, 적어도하나의네트워크플로우에대하여잠재디리클레할당을적용함으로서탐지규칙의시그니처를생성한다. 시그니처식별장치는클러스터링에의해분류된네트워크트래픽에대하여, 클러스터별 키워드의분포정보를이용하여악성트래픽의시그니처를자동으로식별한다.
Abstract translation: 公开了一种使用潜在Dirichlet分配自动识别恶意交通签名的方法和装置。 使用潜在Dirichlet分配过程来自动识别恶意交通签名的装置输入数据以生成至少一个网络流，并且将潜在的Dirichlet分配应用于网络流以生成检测规则的签名。 使用潜在Dirichlet分配自动识别恶意交通签名的装置使用通过聚类分类的网络流量的每个集群的关键字的分发信息来自动识别恶意交通签名。
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公开(公告)号：KR100174871B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950049249
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L43/00
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H29/28 , H01H61/02 , H01H2001/0042 , H01H2029/008 , H01H2061/006
Abstract: 본 발명은 랫칭형 열구동 마이크로 릴레이 소자에 관한 것으로, 특히 반도체 기판의 벌크내에 형성되는 릴레이 소자에 관한 것이다.
본 발명의 랫칭형 마이크로 릴레이 소자는 소정의 체적을 가지며 그 내부의 공기를 가열하는 히터(12)가 설치되어 있는 능동저장고(10)와, 상기 능동저장고(10)와 소정간격으로 이격되어 그 내부에 히터(42)가 설치되어 있으며 동일한 체적을 갖는 수동저장고(40)와, 상기 능동저장고(10)와 수동저장고(40) 사이에 공간으로 연장되어 접점금속인 액체금속(50)의 이동로로서 역할을 하는 채널(20)과, 서로 이격되어 상기 채널(20)의 소정영역에서 각각 채널의 내부에 일단이 삽입되어 외부로 진행하는 제1신호전극(30)과, 상기 제1신호전극(30)과 일정 간격으로 이격되어 동일한 형상으로 형성되어 있는 제2신호전극(32)과, 상기 채널의 내부에 실장되어 제1신호전극(30)과 제2신호전극(32)의 접점으로서의 역할을 하는 액체금속(50)과, 반도체 기판(100)의 상, 하측면에 접합 되어 있는 상, 하부 유리기판(120, 130)을 포함하여 구성된다.-
公开(公告)号：KR100160909B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950052658
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H1/00
Abstract: 본 발명은 자기력 구동 마이크로 릴레이 구조체 및 그 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기판의 상부면과 바닥면에 절연을 위해 열 산화막을 올린 후, 상기 바닥면 위에 도금의 전극이 될 얇은 금속층을 형성하는 제1단계와; 상기 금속층 위에 폴리이미드를 입혀 패턴을 전사하여 다수의 소정 부분의 금속층이 나타나도록 건식식각하는 제2단계와; 상기 나타난 금속층을 전극으로 하여 구리를 전해 및 무전해 도금으로 코일 바닥면을 제작하는 제3단계와; 상기 코일부분을 제외한 금속층을 제거한 후 산화막 또는 폴리이미드를 덮어 코일 부분인 구리를 보호하는 제4단계와; 후막의 자성체 코아를 형성하기 위해 마스크로 사용할 기판 상부면의 열 산화막을 코아의 패턴 형태로 건식식각한 후 습식 식각방법에 의해 소정 깊이 이상을 식각하는 제5단계와; 상기 제5단계의 식각된 코아 형성부분에 금속층을 입힌 후 자성체를 전기도금으로 제작하는 제6단계와; 상기 도금 전극으로 사용한 금속층을 건식식각으로 제거하고, 절연을 위해 상기 형성된 코아 상부에 소정크기의 산화막을 형성하는 제7단계와; 상기 기판 밑면의 구리코일을 웨이퍼 윗면으로 연결배선하기 위해 습식식각에서 마스크로 사용할 산화막을 건식식각한 후, 비등방성 식각을 하여 밑면의 구리코일 배선이 나타날 때까지 식각하고, 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채우는 제8단계와; 상기 제5단계와 제6단계의 수행 후에 형성된 후막의 분리된 자성체 상부에 형성된 산화막을 식각한 후 밑면 전극이 될 금을 리프트 오프 방법으로 제작하고, 후막의 알루미늄 또는 폴리이미드를 채워 넣은 희생층을 형성하여 전극접점 부위를 형성하는 제9단계와; 상기 희생층 위에 릴레이의 윗면 전극이 될 금과 전기적 절연을 위한 산화막을 올리는 제10단계를 포함하여 이루어지며 실리콘 웨이퍼의 벌크 마이크로 머시닝 기술, 전기도금 기술 및 반도체 공정기술을 이용하여 기존의 릴레이보다 소형이고, 집적회로 공정과 호환성이 있는 자기 구동 마이크로 릴레이 구조체 구조에 관한 것으로, 수백 ㎒에서 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이(array)구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR100160908B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950052659
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H51/00
Abstract: 본 발명은 리드형 자기구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판을 이방성 에칭을 통해 수백 ㎛를 수직에칭한 후, 절연을 위한 열 산화막을 형성하고 질화막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 위에 아래 코일 전극을 형성하기 위한 금속을 증착하고 패턴화한 다음, 절연을 위한 산화막을 증착하는 제2단계와; 상기 제2단계의 산화막 위에 아래 자성체 코아를 무전해 도금으로 형성시키고 중간 산화막과 희생층으로서 제거될 아래 폴리이미드를 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 중간 산화막과 폴리이미드 상부에 윗 자성체 코아와 윗 폴리이미드를 증착한 후 패턴하고, 코일 지지대로서의 산화막을 증착하는 제4단계와; 상기 희생층인 아래 폴리이미드를 제거하고 식각구멍으로 산화막을 건식식각으로 패턴화하는 제5단계와; 코일을 측면으로 둘러싸기 위해 건식식각으로 아래 코일전극까지 채널을 형성시킨 후 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채운 후, 상기 윗 코일전극을 건식식각하는 제6단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 ㎑정도의 빠른 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 반도체 제조시설을 통항 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100138874B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940036334
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 고화질의 액티브 매트릭스 액정표시장치(active matrix LCD)에서 패널의 픽셀 스위치(pixel switch) 또는 주변 구동집적회로(drive IC)에 유용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(polysilicon thin film transistor)를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 박막 트랜지스터의 채널영역인 다결정 실리콘박막의 형성을 위한 비정질 실리콘의 고상결정화 공정을 고압의 산소분위기에서 수행함으로써, 결정핵 생성 및 결정립 공정을 짧은 시간내에 유도하여 전체적인 고상결정화 열처리 시간을 단축함과 동시에 균일한 결정립을 가진 양질의 다결정 실리콘으로 이루어진 채녈영역을 형성한다.-
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公开(公告)号：KR1019970054597A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950049249
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L43/00
Abstract: 본 발명은 랫칭형 열구동 마이크로 릴레이 소자에 관한 것으로, 특히 반도체 기판의 벌크내에 형성되는 릴레이 소자에 관한 것이다. 본 발명의 랫칭형 마이크로 릴레이 소자는 소정의 체적을 가지며 그 내부의 공기를 가열하는 히터(12)가 설치되어 있는 능동저장고(10)와, 상기 능동저장고(10)와 소정간격으로 이격되어 그 내부에 히터(42)가 설치되어 있으며 동일한 체적을 갖는 수동저장고(40)와, 상기 능동저장고(10)와 수동저장고(40) 사이에 공간으로 연장되어 접점금속인 액체금속(50)의 이동로로서 역할을 하는 채널(20)과, 서로 이격되어 상기 채널(20)의 소정영역에서 각각 채널의 내부에 일단이 삽입되어 외부로 진행하는 제1신호전극(30)과, 상기 제1신호전극(30)과 일정간격으로 이격되어 동일한 형상으로 형성되어 있는 제2신호전극(32)과, 상기 채널의 내부에 실장되어 제1신호전극(30)과, 제2신호전극(32)의 접점으로서 역할을 하는 액체 금속(50)과, 반도태 기판(100)의 상,하 측면에 접합 어 있는 상,하부 유리기판(120,130)을 포함하여 구성된다
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公开(公告)号：KR1019970051604A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052682
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 랫칭형 자기력 구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판의 바닥면에 습식 식각에서 마스크로 사용하기 위한 열산화막과 질화막을 순차적으로 형성한 후, 구조체 형태로 건식 식각하는 제1단계와; 상기 제1단계의 수행 후, 비등방성 용액으로 십 ㎛ 정도로 습식 식각을 하고 상기 구조체 부분의 절연을 위해 산화막을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 마이크로 릴레이의 전극을 만들기 위해 얇은 금속층을 입힌 후, 전기도금으로 후막의 전극을 형성하고, 건식 식각으로 나머지 얇은 금속층을 제거하는 제3단계와; 상기 제3단계의 전기도금 방법으로 코일을 형성한 다음, 폴리이미드를 덮은 후 패턴을 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계의 수행 후, 상기 구조 위에 자기코아와 희생층을 각각 올린 후, 패턴을 형성하는 제5단계와; 상기 자기 코아의 절연과 저장고의 제작을 위해 폴리이미드를 올리고 상기 희생층 제거를 위한 구멍을 제작한 후, 자기 코아의 전극을 전기도금으로 제작하고 상기 희생층을 제거하여 틈을 만드는 제6단계와; 상기 제6단계의 수행 후, 실리콘 기판 뒷면의 질화막과 산화막을 건식 식각한 후 비등방성 습식 식각을 이용하여 수은 주입구를 제작하는 제7단계와; 상기 제7단계의 수행 후, 밀봉과 절연을 위해 폴리이미드를 올리고 코일을 제작한 후, 릴레이 구조체에 압력을 이용하여 수은을 주입한 다음 글라스를 실리콘 기판에 자외선 접착제로 밀봉하는 제8단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 MHz에서 반복 스위칭 동작과 함께 액체 접점으로 인해 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019970051558A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052658
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H1/00
Abstract: 본 발명은 자기력 구동 마이크로 릴레이 구조체 및 그 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기판의 상부면과 바닥면에 절연을 위해 열 산화막을 올린 후, 상기 바닥면 위에 도금의 전극이 될 얇은 금속층을 형성하는 제1단계와; 상기 금속층 위에 폴리이미드를 입혀 패턴을 전사하여 다수의 소정 부분의 금속층이 나타나도록 건식식각하는 제2단계와; 상기 나타난 금속층을 전극으로 하여 구리를 전해 및 무전해 도금으로 코일 바닥면을 제작하는 제3단계와; 상기 코일부분을 제외한 금속층을 제거한 후 산화막 또는 폴리이미드를 덮어 코일 부분인 구리를 보호하는 제4단계와; 후막의 자성체 코아를 형성하기 위해 마스크로 사용할 기판 상부면의 열 산화막을 코아의 패턴 형태로 건식식각한 후 습식 식각방법에 의해 소정 깊이 이상을 식각하는 제5단계와; 상기 제5단계의 식각된 코아 형성부분에 금속층을 입힌 후 자성체를 전기도금으로 제작하는 제6단계와; 상기 도금 전극으로 사용한 금속층을 건식식각으로 제거하고, 절연을 위해 상기 형성된 코아 상부에 소정크기의 산화막을 형성하는 제7단계와; 상기 기판 밑면의 구리코일을 웨이퍼 윗면으로 연결배선하기 위해 습식식각에서 마스크로 사용할 산화막을 건식식각한 후, 비등방성 식각을 하여 밑면의 구리코일 배선이 나타날 때까지 식각하고, 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채우는 제8단계와; 상기 제5단계와 제6단계의 수행 후에 형성된 후막의 분리된 자성체 상부에 형성된 산화막을 식각한 후 밑면 전극이 될 금을 리프트 오프 방법으로 제작하고, 후막의 알루미늄 또는 폴리이미드를 채워 넣은 희생층을 형성하여 전극접점 부위를 형성하는 제9단계와; 상기 희생층 위에 릴레이의 윗면 전극이 될 금과 전기적 절연을 위한 산화막을 올리는 제10단계를 포함하여 이루어지며 실리콘 웨이퍼의 벌크 마이크로 머시닝 기술, 전기도금 기술 및 반도체 공정기술을 이용하여 기존의 릴레이보다 소형이고, 집적회로 공정과 호환성이 있는 자기 구동 마이크로 릴레이 구조체 구조에 관한 것으로, 수백 ㎒에서 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이(array)구성이 용이하다는 장점이 있다.
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