公开(公告)号：KR1020100058760A

公开(公告)日：2010-06-04

申请号：KR1020080117279

申请日：2008-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상기 ,  김갑중 ,  김인규 ,  김경옥

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0338 ,  G01B11/27 ,  G03F9/7069 ,  G03F9/7088 ,  H01L21/0337 ,  G03F9/708

Abstract: PURPOSE: A method of forming a semiconductor device unconstrained by optical limit and an apparatus for fabricating thereof are provided to minimize an aligning error with an accuracy of less than 1nm by implementing an aligning process using a laser beam. CONSTITUTION: An etching object film(110) is formed on a substrate(100). A hard mask film is formed on the etching object film. A first mask pattern(135) is formed on the hard mask film. A first spacer(138) is formed on a side wall of the first mask patterns. The hard mask pattern(127) is formed by etching the hard mask film. A second spacer is formed on the sidewall of the second mask patterns.

Abstract translation: 目的：提供一种形成不受光学极限约束的半导体器件的方法及其制造装置，通过实施使用激光束的对准处理来最小化精度低于1nm的对准误差。 构成：在基板（100）上形成蚀刻对象膜（110）。 在蚀刻对象膜上形成硬掩模膜。 第一掩模图案（135）形成在硬掩模膜上。 在第一掩模图案的侧壁上形成第一间隔物（138）。 通过蚀刻硬掩模膜形成硬掩模图案（127）。 在第二掩模图案的侧壁上形成第二间隔物。

公开(公告)号：KR100779073B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：KR1020050061951

申请日：2005-07-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상기 ,  오수환 ,  최광성 ,  박문호 ,  백용순 ,  오광룡

IPC: H04B10/2581

Abstract: 본 발명은 넓은 파장가변 특성을 갖는 레이저와 TDM data 구조를 결합하고 여기에 필요한 광 부품을 적절히 활용함으로써 근거리 광 통신망인 WDM-PON 시스템에 채널교환기능을 추가하고 잠재적인 전송속도를 크게 확대한다. 또한 광원과 AWG의 파장천이가 있을 경우 Loop-Back 네트워크구조를 이용하여 추가적인 우회 회선 없이 파장을 추적하고 전달되는 신호의 크기를 최적화 한다. 그리고 전기적으로 파장을 변화시키는 파장가변 레이저를 이용하여 OLT(Optical line terminal)의 온도 안정화에 필요한 온도 제어기(TEC, thermo-electric controller)의 수를 최소화 한다.
파장 가변 레이저, 채널 교환, WDM-PON

公开(公告)号：KR100753814B1

公开(公告)日：2007-08-31

申请号：KR1020050064178

申请日：2005-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박문호 ,  박상기 ,  오수환 ,  김성복 ,  오광룡 ,  백용순 ,  김경옥

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/06

Abstract: 본 발명은 단일집적 반도체 광대역 광원 제작에 관한 것이다. 제작된 반도체 레이저는 전자흡수(Electro Absorption; EA) 변조기(Modulator)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier;SOA)와 발광다이오드(Light Emitting Diode;LED)의 세 구성요소가 InP 기판위에 단일집적되어 있다. 변조기와 SOA와 LED 사이는 이온주입으로 전기적 절연되었으며, 각 전극에서 변조기와 SOA와 LED에 독립적으로 전류를 주입하게 되어 있다. 특히, 이온주입에 의한 전류차단층 형성과 전극간의 전기적 절연이지만 광학적으로 연결된 구조를 만드는 것이 소자성능에 중요하다. 본 발명은 동일한 활성층의 SOA와 LED를 단일집적으로 제작하여, LED 영역에서 생성된 광대역광이 SOA에서 증폭되고 변조기에서 변조되어 단일집적된 광대역 광원소자를 만드는 것이다.
반도체 레이저 다이오드, 광증폭기, SOA, 변조기, LED

公开(公告)号：KR100701121B1

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：KR1020050042422

申请日：2005-05-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고현성 ,  오수환 ,  박상기 ,  이철욱 ,  박문호 ,  김기수

IPC: H01S3/10

Abstract: 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론

公开(公告)号：KR100598438B1

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：KR1020030097057

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상기 ,  박문호 ,  김기수 ,  오수환 ,  이지면 ,  이철욱

IPC: H01S5/125

CPC classification number: H01S5/06256 ,  H01S5/0425

Abstract: 본 발명은 공간적으로 코히어런트한 광이 통과하는 광 도파로와, 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이와, 변화된 광의 특정 파장을 선택하는 파장선택 광요소부를 포함하는 코히어런트 튜닝 장치를 제공한다. 이와 같은 구성을 통하여, 광통신 디바이스들에 대해 넓은 파장 밴드에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하게 되는 효과가 있다.
코히어런트 튜닝, 파장가변형 광통신 디바이스, 파장가변형 레이저,

公开(公告)号：KR100403673B1

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020010078667

申请日：2001-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상기 ,  김종배 ,  조두희 ,  최용규 ,  김경헌 ,  이번

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G02F1/3558 ,  C03C25/1063 ,  C03C25/22 ,  C03C25/52 ,  G02B6/02 ,  G02B6/2826 ,  G02F1/0115

Abstract: 광섬유 표면 상의 상호 절연된 두 도전막 형성방법이 개시된다. 본 발명에서는, 기판에 형성된 그루브에 광섬유를 접착한 다음, 사진식각공정으로 광섬유 상에 도전막이 형성될 부위만 개구하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 포토레지스트 패턴 상에 도전막을 형성한 다음 리프트 오프하면, 그루브에서 광섬유가 분리되는 동시에 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴 상에 형성된 도전막이 제거되고, 광섬유 표면에는 원하는 패턴대로 형성된 도전막만 남는다. 도전막이 형성된 면의 반대면에 대해서도 위와 같은 방법으로 도전막을 형성하여 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성할 수 있다. 본 발명이 개시하는 방법에 따라 광섬유 상에 도전막을 형성한 다음, 이를 이용하여 폴링을 하게 되면, 변조기, 가변필터 및 스위치와 같은 광전소자, 전기장 센서, 및 주파수 변환기나 분산 보상기와 같은 비선형 광섬유 광학 소자에 널리 응용될 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种在光纤表面上形成彼此电隔离的两个导电膜的方法。 根据该方法，使用光刻胶作为胶将光纤附着到硅衬底上的凹槽中。 通过光刻工艺形成光纤表面上的导电膜的光致抗蚀剂图案。 在图案化区域上湿法蚀刻掉一些量的纤维，这是提升沉积在不必要区域上的金属膜所需的，在晶片的整个区域上沉积金属膜。 通过加热的剥离液去除光刻胶，仅在光纤的图案区域上留下金属薄膜，并将光纤从晶片的凹槽中分离出来。光纤另一侧的第二金属薄膜可以通过与 第一金属膜除了纤维的沉积表面必须颠倒地连接到凹槽之外。 使用两个导电膜的极化光纤可应用于制造光电和光纤通信设备中使用的元件，例如调制器，可调谐滤波器和开关，电场传感器以及非线性光纤设备，例如变频器 ，一个色散补偿器。