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公开(公告)号：KR102220553B1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：KR1020150033297
申请日：2015-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09G3/20 , G09G3/3225 , G09G3/36
Abstract: 복수의게이트라인들및 복수의데이터라인들에각각연결된복수의픽셀들을포함하는표시패널에있어서, 상기복수의픽셀들각각은, 상기데이터라인중 대응하는데이터라인및 제1 노드사이에연결되고, 상기게이트라인들중 대응하는게이트라인들을통해입력되는입력신호에응답하여상기데이터라인의데이터신호를상기제1 노드에전달하는제1 트랜지스터, 상기제1 노드에연결되고, 모드선택신호가반사모드를가리킬때, 상기제1 노드의신호에응답하여상기반사모드를구현하는반사소자회로, 상기제2 노드에연결되고, 상기모드선택신호가발광모드를가리킬때, 상기제1 노드의신호에응답하여상기발광모드를구현하는발광소자회로및 상기제1 노드에연결되는일단및 제어신호가인가되는타단을갖는커패시터를포함하되, 상기반사소자회로는, 상기제1 노드및 제2 노드사이에연결되고, 상기모드선택신호에응답하여동작하는제2 트랜지스터및 상기제2 노드에연결되는일단및 상기제어신호가공급되는타단을갖는반사소자를포함한다.
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公开(公告)号：KR102172254B1
公开(公告)日：2020-11-02
申请号：KR1020140113198
申请日：2014-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L29/786
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公开(公告)号：KR101783933B1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020100116736
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 강유전체트랜지스터, 강유전체트랜지스터와전기적으로결합된복수의스위칭소자, 및복수의스위칭소자를제어하기위한각각의제어신호를각각의스위칭소자에게전달하기위한복수의제어라인을포함하고, 강유전체트랜지스터의각 전극이플로팅(floating)되지않도록, 복수의스위칭소자가각각의제어신호에기초하여개별적으로제어되도록구성되는메모리셀이제공된다.
Abstract translation: 一个铁电晶体管，与该铁电晶体管电耦合的多个开关元件，以及多个控制线，用于将用于控制该多个开关元件的各个控制信号传输到各个开关元件， 控制多个开关元件以便基于各个控制信号单独控制以不浮动。
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公开(公告)号：KR1020170075618A
公开(公告)日：2017-07-03
申请号：KR1020160019707
申请日：2016-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의일 실시예에따른표시장치는제1 베이스기판, 상기제1 베이스기판위에배치되고, 복수의게이트라인들, 복수의데이터라인들, 및상기복수의게이트라인들및 상기복수의데이터라인들과전기적으로연결된복수의박막트랜지스터들을포함하는구동회로부, 상기구동회로부와상기제1 베이스기판사이에배치되고, 상기게이트라인들로게이트신호를출력하는게이트구동부, 상기복수의데이터라인들로데이터전압을출력하는데이터구동부, 및상기게이트구동부와상기데이터구동부의동작타이밍을제어하는인터페이스회로부를포함하는구동회로제어부, 및상기구동회로부위에배치되고, 상기구동회로부로부터수신된신호에응답하여영상을구현하는영상구현부를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的显示装置包括：第一基础基板;多条数据线，设置在第一基础基板上并包括多条栅极线，多条数据线， 栅极驱动单元，其设置在所述驱动电路单元和所述第一基础基板之间并向所述栅极线输出栅极信号;栅极驱动单元，其向所述多条数据线提供数据; 驱动电路控制部分，包括用于输出电压的数据驱动部分和用于控制栅极驱动部分和数据驱动部分的操作时序的接口电路部分; 以及用于实现图像处理单元的图像实现单元。
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公开(公告)号：KR1020170015098A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020160026258
申请日：2016-03-04
Applicant: 한국전자통신연구원 , 경희대학교 산학협력단
IPC: G09G3/32
Abstract: 본발명의실시예에따른게이트구동회로는 i번째변조회로(여기서 i는 2 이상의자연수) 및 i번째라인선택회로를포함한다. i번째변조회로는수신된제 1 내지제 3 제어신호들을기반으로 i번째변조전압을 i번째라인선택회로로출력한다. i번째라인선택회로는수신된 i번째변조전압의레벨에따라턴-온되거나턴-오프하는메모리트랜지스터를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160110794A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150034586
申请日：2015-03-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/0665 , H01L29/78606
Abstract: 본발명은기판, 상기기판상의제 1 게이트전극, 상기제 1 게이트전극상의제 1 절연층, 상기제 1 절연층상의채널층, 상기제 1 절연층상에배치되되, 상기채널층을사이에두고상호이격되는소스전극및 드레인전극, 상기소스전극과상기드레인전극과상기채널층을덮는제 2 절연층, 상기제 2 절연층상의제 2 게이트전극, 및상기제 1 절연층과상기채널층사이의터널링절연층을포함할수 있다. 상기제 1 및제 2 게이트전극들각각은평면적관점에서상기채널층과오버랩될수 있다. 상기터널링절연층은그의하부에상기제 1 절연층과접하는나노파티클들을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供一种透明氧化物半导体器件，其能够在低温下进行处理，并且可以在柔性基板上进行加工。 氧化物半导体器件包括：衬底; 基板上的第一栅电极; 第一栅电极上的第一绝缘层; 第一绝缘层上的沟道层; 源极和漏极布置在第一绝缘层上，并且通过在其间插入沟道层而相互分离; 覆盖源电极，漏电极和沟道层的第二绝缘层; 第二绝缘层上的第二栅电极; 以及在所述第一绝缘层和所述沟道层之间的隧道绝缘层。 在平面视图中，第一和第二栅电极中的每一个可以与沟道层重叠。 隧道绝缘层包括与隧道绝缘层下部的第一绝缘层接触的纳米颗粒。
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公开(公告)号：KR1020160103233A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020150025283
申请日：2015-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018507
Abstract: 레벨시프터회로는전원단자와출력단자사이에연결되고, 입력단자로부터제1 게이트에전달되는입력신호및 제2 게이트전달되는신호에응답하여, 상기전원단자로부터인가되는전원전압을상기출력단자에전달하는제1 트랜지스터및 상기출력단자에연결되고, 게이트에전달되는게이트신호에응답하여접지전압을상기출력단자에전달하는제2 트랜지스터를포함한다.
Abstract translation: 电平移位器电路包括第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管连接到电源端子和输出端子，并响应于从输入端子传输到第一栅极的输入信号，将从电源端子施加的电源电压传送到输出端子，并将信号传送到 第二门 第二晶体管连接到电源端子，并响应于传送到门的栅极信号将接地电压传送到输出端。 因此，本发明可以通过在电平移位器电路中形成作为双栅极晶体管的主晶体管来提高耗尽模式或增加模式中的功率效率。
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公开(公告)号：KR101395086B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020100053968
申请日：2010-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 본 발명은 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 저장 수단으로서 강유전체 트랜지스터를 구비한 비휘발성 비파괴 판독형 랜덤 억세스 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명은 메모리 셀에 있어서, 드레인에 기준 전압이 인가되는 강유전체 트랜지스터; 스캔 신호에 응답하여 상기 강유전체 트랜지스터의 소스를 제1라인에 연결시키는 제1스위치; 및 스캔 신호에 응답하여 상기 강유전체 트랜지스터의 게이트를 제2라인에 연결시키는 제2스위치를 포함한다. 본 발명에 따르면, 랜덤 억세스가 가능하며, 리드 동작시 비파괴형으로 동작하는 메모리 장치를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101201891B1
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：KR1020090026068
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/78391 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.
투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체-
公开(公告)号：KR1020120078557A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020110046955
申请日：2011-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3674 , G09G2310/08 , H01L29/7869 , H03K19/01742
Abstract: PURPOSE: A scan driver is provided to prevent malfunction caused due to turn-off of transistor by being composed of a transistor with a depletion mode characteristic. CONSTITUTION: An input switch(710) controls an input of an output signal of stage according to a first clock. A pull-up unit(720) transmits a first output signal clock to an output node. A pull-down unit(740) constantly maintains a node voltage between the input switch and pull-up unit. A pull-down unit(730) constantly maintains a voltage of the output node.
Abstract translation: 目的：提供扫描驱动器，以防止由于具有耗尽模式特性的晶体管组成的由于晶体管截止而引起的故障。 构成：输入开关（710）根据第一时钟控制载物台的输出信号的输入。 上拉单元（720）将第一输出信号时钟发送到输出节点。 下拉单元（740）在输入开关和上拉单元之间始终保持节点电压。 下拉单元（730）始终保持输出节点的电压。
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