公开(公告)号：KR1019970054985A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950053677

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  유병수 ,  박효훈 ,  박민수

IPC: H01S5/18

Abstract: 본 발명은 수직공진형 표면방출 레어저다이오드의 제작방법에 관한 것으로, 편광특성을 제어하기 위해 공진층을 〈110〉 또는 〈110〉방향으로 5°-45°의 각도를 갖도록 형성함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970054965A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950049256

申请日：1995-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  박효훈 ,  추혜용

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형 GaAs의 반도체 기판 상에 제1도전형의 제1거울층, 불순물이 도핑되지 않은 제1공간층, 불순물이 도핑되지 않은 이득층, 불순물이 도핑되지 않은 제2공간층, 제2도전형의 불순물이 도핑된 제2거울층 및 제2도전형의 불순물이 도핑된 캡층을 순차적으로 결정 성장 바법으로 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 소정 부분에 격자빈자리가 적은 제1보호층을 형성하는 공정과, 상기 제1보호층의 상부에 식각용 마스크로 포토레지스터를 형성하고 상기 제2공간층이 노출되도록 상기 캡층 및 상기 제2거울층을 건식 식각방법으로 제거하여 레이저 기둥을 형성하고 포토레지스트를 제거하는 공정과, 상술한 구조의 상부와 상기 반도체 기판의 하부 표면에 격자빈자리가 많은 제2보호층을 성하고 급속 열처리하여 상기 레이저 기둥 주위의 이득층과 제1 및 제2공간층이 상호 확산되어 블록킹영역을 형성하는 공정과, 상기 레이저 기둥 상부에 형성된 제1 및 제2보호층을 제거하고 노출된 캡층의 표면에 상부 전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판 하부의 제2보호층을 제거하고 노출된 반도체 기판 하부 표면의 소정 부분에 하부 전극을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 블록킹영역에 의해 캐리어가 확산되는 것을 방지하므로 양자 효율이 증가되어 낮은 문턱 전류와 단일 횡모드를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970049237A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950047435

申请日：1995-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박효훈 ,  김광준 ,  현경숙 ,  권오균 ,  송석호 ,  유병수 ,  추혜용

IPC: G06E1/00

Abstract: 본 발명은 표면방출 레이저, 광논리소자 및 마이크로렌즈 어레이들을 수직으로 조밀하게 배열시키므로서 광의 경로를 극소화시킨 병렬 광논리처리 시스템에 관한 것으로, 광원과 광논리소자가 있는 기판을 통해 빛이 직선적으로 지나갈 수 있는 경로를 제공하고, 또한 빛이 직선적으로 진행하며 작동될 수 있는 광논리소자를 이용하므로서 빛이 경로를 변경시키는 부품을 배제시켜 집적효율을 높인 병렬 광논리처리 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.

公开(公告)号：KR1019960014733B1

公开(公告)日：1996-10-19

申请号：KR1019920024320

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  박효훈

IPC: H01S5/18

Abstract: forming a mesa pattern(2) on a semiconductor substrate(1); forming an etching barrier layer(3), a n-cladding layer(4), an active layer(5), a p-cladding layer(6) and a p-contact layer(7) on the substrate(1); defining a lasing region(9) by forming an insulating film(8) for a dry etching mask after forming a photoresist pattern on the p-contact layer(7); forming the lasing region(9) by etching the wafer to the top of the etching barrier layer(3); forming a p-electrode(10) on the p-contact layer(7) of the lasing region(9) and a n-electrode(11) on the bottom of the substrate(1); and forming a mirror(12).

Abstract translation: 在半导体衬底（1）上形成台面图案（2）; 在基板（1）上形成蚀刻阻挡层（3），n包层（4），有源层（5），p包覆层（6）和p接触层（7）。 通过在p-接触层（7）上形成光致抗蚀剂图案之后，通过形成用于干蚀刻掩模的绝缘膜（8）来限定激光区域（9）。 通过将晶片蚀刻到蚀刻阻挡层（3）的顶部来形成激光区域（9）; 在激光区域（9）的p接触层（7）上形成p电极（10）和在基板（1）的底部上的n电极（11）; 并形成反射镜（12）。

公开(公告)号：KR100081813B1

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：KR1019910006553

申请日：1991-04-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성주 ,  심재기 ,  박경호 ,  유병수

IPC: H01L21/00

公开(公告)号：KR1019920020585A

公开(公告)日：1992-11-21

申请号：KR1019910006553

申请日：1991-04-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성주 ,  심재기 ,  박경호 ,  유병수

IPC: H01L21/00

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100440254B1

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：KR1020020031972

申请日：2002-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한원석 ,  유병수 ,  권오균 ,  노정래 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/18

Abstract: PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).

Abstract translation: 目的：提供一种抗引导型表面发射激光器及其制造方法，以在单模下实现低电流的高功率，因为​​输出光尺寸小并且几乎不发散，从而降低了制造成本 它们。 构成：一种防引导型表面发射激光器包括下布拉格镜面层（102），谐振层（103），射束宽度控制层（113）和上布拉格反射镜层（109）。 形成在谐振层（103）顶部的束宽控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105） 周边部分和中央部分之间的差异以及在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间形成的第三薄膜（107）。 下布拉格镜像层（102）形成在半导体衬底上，并且谐振层（103）形成在下布拉格镜像层（102）的顶部上。 在光束宽度控制层（113）顶部形成的上布拉格镜层（109）在第二薄膜（105）的边缘部分和中心部分之间的边界处具有台阶。

公开(公告)号：KR100427583B1

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：KR1020020002494

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  한원석 ,  권오균 ,  신재헌 ,  유병수 ,  노정래

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18308 ,  H01L33/145 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/2063

Abstract: The present invention relates to a method of fabricating vertical-cavity surface emitting lasers being watched as a light source for long wavelength communication. The present invention includes forming a layer having a high resistance near the surface by implanting heavy ions such as silicon (Si), so that the minimum current injection diameter is made very smaller unlike implantation of a proton. Further, the present invention includes regrowing crystal so that current can flow the epi surface in parallel to significantly reduce the resistance up to the current injection part formed by silicon (Si) ions. Therefore, the present invention can not only effectively reduce the current injection diameter but also significantly reduce the resistance of a device to reduce generation of a heat. Further, the present invention can further improve dispersion of a heat using InP upon regrowth and thus improve the entire performance of the device.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造垂直腔表面发射激光器的方法，该激光器被视为用于长波长通信的光源。 本发明包括通过注入诸如硅（Si）的重离子在表面附近形成具有高电阻的层，使得与质子的注入不同，最小电流注入直径非常小。 此外，本发明包括再生晶体，使得电流能够平行地流过epi表面，以显着降低直到由硅（Si）离子形成的电流注入部分的电阻。 因此，本发明不仅能够有效地减小电流注入直径，而且还能够显着降低器件的电阻以减少热量的产生。 此外，本发明在再生长时可以进一步改善使用InP的热量的分散，从而改善装置的整体性能。

公开(公告)号：KR100349663B1

公开(公告)日：2002-08-22

申请号：KR1019990057254

申请日：1999-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  유병수 ,  백종협 ,  신재헌

IPC: H01S5/20

Abstract: 본발명은전류주입및 열선층을이용하여편광을제어하는표면방출레이저및 그의제조방법에관한것으로, 이를위한본 발명의표면방출레이저는반도체기판상에형성된하부거울층, 공진활성층, 상부거울층을포함하고, 상기상부거울층을포함한공진활성층식각후 매립되거나불순물이온주입에의한절연층, 상기상부거울층에형성되며레이징을위한전류를공급받는제1상부금속층, 상기절연층에의해상기제1상부금속층과격리되고상기반도체기판에대해서로수직방향으로편광을제어하는제2상부금속층, 상기반도체기판의저면에형성되어상기제1상부금속층과동시에레이징전류를주입받는제1하부금속층, 상기반도체기판의저면에상기제1하부금속층과일정거리를두고형성되어상기제2상부금속층과동시에편광제어전류를주입받는제2하부금속층을포함하여이루어진다.

公开(公告)号：KR100340037B1

公开(公告)日：2002-06-15

申请号：KR1020000047840

申请日：2000-08-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  권오균 ,  유병수

IPC: H01S5/18

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 개선된 전류 감금 구조를 가진 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전류 주입 직경이 감소함에 따라 저항이 급격히 증가하는 문제가 없고, 낮은 임계 전류를 실현할 수 있으며, InAlGaAs, InAlAs, InP로 구성된 1.3 ∼ 1.55 ㎛ 장파장용 수직 공진 표면광 레이저에서 적용할 수 있으며, 제작 공정이 간단하고 안정적이어서 실제 소자의 양산에 적용될 수 있음을 물론, 열 방출 효율을 증대시킬 수 있는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 하부 거울층을 포함하는 하부 구조와, 전류 감금층 및 그 상부에 제공되는 상부 거울층을 포함하는 레이저 기둥을 구비하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저에 있어서, 상기 하부 구조 최상부에 제1 InP층이 배치되며, 상기 레이저 기둥의 상기 상부 거울층 하부에 제2 InP층이 배치되며, 상기 제1 및 제2 InP층 사이에 배치되는 상기 전류 감금층의 직경이 상기 레이저 기둥의 직경보다 작게 제공되는 것을 특징으로 한다.