公开(公告)号：KR1020090036429A

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：KR1020070101612

申请日：2007-10-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오기 ,  백용순 ,  이동훈 ,  이철욱 ,  심은덕 ,  김종회 ,  한영탁

IPC: G02B6/34

Abstract: A polarization insensitivity slab waveguide is provided to increase the reliability and performance of optical device by making a waveguide insensitive to material for the waveguide and a structure variable. In a polarization insensitivity slab waveguide, a light is projected from a waveguide area is reflected or diffracted at a diffraction grating and it is compensated. The waveguide area is composed of a first bottom cladding layer, a first core, and a top cladding layer. A polarized light compensation region comprises the bottom-clad layer, the first core layer, the top clad layer, and the second core layer.

Abstract translation: 提供极化不敏感的平板波导，通过使波导对于波导的材料不敏感并具有结构变量来增加光学器件的可靠性和性能。 在极化不敏感平板波导中，从波导区域投射的光在衍射光栅处被反射或衍射，并被补偿。 波导区域由第一底部包覆层，第一芯部和顶部包层组成。 偏振光补偿区域包括底包层，第一芯层，顶覆层和第二芯层。

公开(公告)号：KR1020060068367A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：KR1020040107030

申请日：2004-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  이철욱 ,  이동훈 ,  송정호 ,  심은덕 ,  김성복 ,  백용순

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/3434 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34373

Abstract: 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다.
터널링장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드

Abstract translation: 本发明中，在量子阱层和势垒层的有源层和包覆层隧穿到所述光学半导体元件的量子阱层和一个接一个比具有（隧穿势垒）的势垒的势垒层的材料的带隙能量被配置为光学半导体元件 在有源层中增加了电子和空穴等载流子的限制效应，以提供在高温和高工作电流下改善驱动特性的光学半导体器件。

公开(公告)号：KR1020060064466A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050042422

申请日：2005-05-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고현성 ,  오수환 ,  박상기 ,  이철욱 ,  박문호 ,  김기수

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S3/0675 ,  G02B6/29361 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/18397

Abstract: 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론

公开(公告)号：KR100541913B1

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：KR1020030028186

申请日：2003-05-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  박문호 ,  이지면 ,  김기수 ,  이철욱 ,  고현성 ,  박상기 ,  정영철 ,  김수현

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/06256 ,  H01S5/028 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/227

Abstract: 본 발명은 SG-DFB(Sampled Grating Distrituted Feedback) 구조부와 SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 구조부를 함께 집적하여 파장가변이 가능하도록 구성된 반도체 레이저에 관한 것으로, SG-DFB 구조부의 위상 제어 영역과 SG-DBR 구조부에 인가되는 전류에 따라서 굴절률을 변화시켜, 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 파장을 갖도록 구현할 수 있다. 이러한 파장가변 반도체 레이저는 비교적 간단한 구조로 구성되어 제작 및 대량 생산에 유리하고, 광대역 파장 가변이 가능하면서 출력 광효율이 우수한 효과가 있다.
파장가변 반도체 레이저, DFB, DBR, SG-DBR, SG-DFB, Laser Diode, Semiconductor Laser Diode

公开(公告)号：KR1020050065897A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097057

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상기 ,  박문호 ,  김기수 ,  오수환 ,  이지면 ,  이철욱

IPC: H01S5/125

CPC classification number: H01S5/06256 ,  H01S5/0425

Abstract: 본 발명은 공간적으로 코히어런트한 광이 통과하는 광 도파로와, 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이와, 변화된 광의 특정 파장을 선택하는 파장선택 광요소부를 포함하는 코히어런트 튜닝 장치를 제공한다. 이와 같은 구성을 통하여, 광통신 디바이스들에 대해 넓은 파장 밴드에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하게 되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100438891B1

公开(公告)日：2004-07-02

申请号：KR1020010081776

申请日：2001-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  오수환 ,  이철욱 ,  박문호

IPC: G02B26/06

Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to optionally compensate the loss of optical absorption to be generated when the divided light beams are phase modulated by adjusting the ratio of the optical division during the optical division. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator includes an input optical division region(105), an optical converging output region(101) and an optical phase modulation region(103) formed between the input optical division region(105) and the optical converging output region(101). The semiconductor optical modulator includes a substrate, a bottom electrode formed on the bottom surface of the semiconductor, an active layer, a cladding layer and a top layer. An optical wave guide(250) is formed in the form of ridge on the top of the cladding layer so as to guide the optical light beam.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体光学调制器，用于可选地补偿当通过调整光学分割期间的光学分割的比率对分割的光束进行相位调制时产生的光学吸收的损失。 一种半导体光调制器，其特征在于，在输入光分割区域（105）与光会聚输出区域（105）之间形成输入光分割区域（105），光会聚输出区域（101）和光相位调制区域（103） 101）。 该半导体光调制器包括衬底，形成在半导体底面上的底部电极，有源层，包层和顶层。 光波导（250）在包层顶部形成为脊的形式，以引导光学光束。

公开(公告)号：KR101756106B1

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020100125778

申请日：2010-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  김남제 ,  임영안 ,  한상필 ,  고현성 ,  이철욱 ,  이동훈

IPC: H01S5/12

Abstract: 다중분포귀환레이저소자를제공한다. 이소자는제1 분포귀환영역, 변조영역, 제2 분포귀환영역및 증폭영역을포함하는기판을포함한다. 활성층이제1 분포귀환, 변조, 제2 분포귀환및 증폭영역들의기판상에배치된다. 제1 회절격자가제1 분포귀환영역내에배치되어, 제1 분포귀환영역의활성층과커플된다. 제2 회절격자가제2 분포귀환영역내에배치되어, 제2 분포귀환영역의활성층과커플된다. 또한, 이소자는제1 회절격자에열을공급하는제1 마이크로히터및 제2 회절격자에열을공급하는제2 마이크로히터를포함한다.

公开(公告)号：KR101746508B1

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：KR1020100127117

申请日：2010-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김남제 ,  박경현 ,  임영안 ,  고현성 ,  한상필 ,  이철욱 ,  이동훈

IPC: H01S1/00

CPC classification number: H01S5/06258 ,  G02F1/3534 ,  G02F2/002 ,  G02F2203/13 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/4087

Abstract: 본발명은테라헤르츠파를생성및 검출하기위한테라헤르츠파발생기에관한것이다. 본발명에따른테라헤르츠파발생기는적어도두 개파장의레이저광을생성하고, 생성된레이저광을비팅(Beating)하여출력하는이중모드반도체레이저소자, 그리고상기이중모드반도체레이저소자와동일칩 상에형성되며, 상기비팅된레이저광에여기되어연속테라헤르츠파를생성하는포토믹서를포함한다.

公开(公告)号：KR1020170049703A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020150149610

申请日：2015-10-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  권오기 ,  이철욱 ,  임영안

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

Abstract: 본발명은고출력및 광송신서브어셈블리및 상기고출력및 광송신서브어셈블리를냉각하는방열부를포함하는고출력레이저모듈을구현하여 1W 이상의고출력에서도동작가능하며신뢰성이향상된다.

Abstract translation: 本发明实现了一种高输出激光模块，其包括用于冷却高输出和光传输子组件的高输出和光传输子组件和散热单元，使得其即使在1W或更高的高输出功率下也能够工作并且其可靠性得到改善。

公开(公告)号：KR1020150139694A

公开(公告)日：2015-12-14

申请号：KR1020140067632

申请日：2014-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오기 ,  오수환 ,  이철욱

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/125 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/162 ,  H01S5/22

Abstract: 회절격자의구현이쉽고, DBR 영역에서의광흡수현상을최소화한분포브래그반사기리지레이저다이오드및 이의제조방법이개시된다. 이를위해, 본발명에따른분포브래그반사기리지레이저다이오드는기판상부에형성된하부클래드층; 상기하부클래드층상부에형성된활성코어층; 상기활성코어층의상부에형성되며, 상호이격하여축방향으로연장형성된복수개의리지도파로; 및상기활성코어층의상부에형성되며, 상기복수개의리지도파로의사이에형성되는회절격자부를포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 公开了一种用于实现衍射栅格并最小化DBR区域中的光吸收现象的分布式布拉格反射器脊激光二极管及其制造方法。 为此，根据本发明的分布式布拉格反射器脊激光二极管包括形成在基板的上部的下包层; 活性芯层，形成在下包层的上部; 脊状波导，其形成在活性芯层的上部并且彼此分离以沿轴向延伸; 以及形成在有源芯层的上部并形成在脊状波导之间的衍射栅极部。