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公开(公告)号：KR1020050065885A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097045
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01P1/127 , H01H59/0009
Abstract: 본 발명은 전자 시스템에서 신호의 전달을 제어하기 위해 사용하는 정전기력으로 구동되는 자기유지 중앙지지대를 갖는 미세 전자기계적 스위치에 관한 것으로, 자기유지 중앙지지대를 삽입시켜 제조 공정과 동작과정에서 발생하는 이동판의 변형을 억제하고 상부전극의 접지선 접촉현상을 개선시킬 수 있으므로 신뢰성을 향상시킬 수 있게 되고, 종래 기술의 미세전자기계적 스위치에 비해 삽입손실은 기존 특성을 유지하면서 신호분리 특성을 크게 향상시킬 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020050065124A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096891
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/26
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1408 , H03D7/1433 , H03D7/1458 , H03D7/1475 , H03D7/1483 , H03D2200/0047
Abstract: DC-오프셋 및 2차 상호 변조 왜곡 성분을 제거할 수 있으며, 출력 고조파 성분 및 상호 변조 왜곡 성분을 감소시킬 수 있는 주파수 변환기를 개시한다. 개시된 본 발명의 주파수 변환기는, RF 신호와 LO 신호를 입력받아, RF 신호 및 LO 신호의 짝수 차수의 주파수 성분의 합 또는 차에 해당하는 주파수 성분을 출력하는 짝수 고조파 혼합기에 있어서, 차동 증폭기 형태로 구성된 한 쌍의 모스 트랜지스터로 구성되며, 상기 모스 트랜지스터의 게이트에 차동 위상차를 갖는 입력 신호(RF)가 입력되는 RF 입력 신호부, 및 상기 RF 입력 신호부에 각각 연결되며, 차동 증폭기 형태로 구성된 한 쌍의 모스 트랜지스터로 구성된 제 1 내지 제 4 주파수 변환부를 포함한다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 주파수 변환부의 모스 트랜지스터의 게이트에 차동 위상차를 갖는 LO(local oscillator)신호가 인가되고, 상기 제 3 및 제 4 주파수 변환부의 모스 트랜지스터의 게이트에 상기 차동 위상차와 직교의 위상차를 갖는 LO 신호가 인가된다.
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公开(公告)号：KR100467318B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020020031288
申请日：2002-06-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H1/20 , H01H2001/0057
Abstract: A microelectromechanical device that transmits an electric signal using mechanical contact between conductors is provided. The microelectromechanical device has a conductive oxide layer on at least one of contacting surfaces of the conductors. The conductor may be a signal line or a contact pad. According to the microelectromechanical device, the signal line or the contact pad is coated with the conductive oxide layer, thereby preventing the occurrence of micro-welding problem due to resistive heat. As a result, a reliability and a power handling of a microelectromechanical device can be improved.
Abstract translation: 提供了使用导体之间的机械接触传输电信号的微机电装置。 微机电器件在导体的至少一个接触表面上具有导电氧化物层。 导体可以是信号线或接触垫。 根据微机电装置，信号线或接触垫涂覆有导电氧化物层，由此防止由于电阻热而发生微焊接问题。 结果，可以改善微机电装置的可靠性和功率处理。
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公开(公告)号：KR1020040038555A
公开(公告)日：2004-05-08
申请号：KR1020020067556
申请日：2002-11-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01P1/127
Abstract: PURPOSE: A high frequency device using an MEMS(Micro Electronic Mechanical System) technique is provided to be capable of reducing an operation voltage and improving operation speed. CONSTITUTION: A high frequency device using an MEMS technique is provided with a substrate(50) and the first electrode(51) loaded on the substrate for forming an actuator. At this time, the first electrode is partially connected with the substrate. The high frequency device further includes the second electrode(54) spaced apart from the main surface of the substrate and partially overlapped with the first electrode for forming the actuator. The contact point between the first and second electrode is formed by the electrostatic attractive force induced between the first electrode and the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供使用MEMS（微电子机械系统）技术的高频器件，能够降低工作电压并提高操作速度。 构成：使用MEMS技术的高频器件设置有衬底（50）和负载在衬底上用于形成致动器的第一电极（51）。 此时，第一电极与衬底部分连接。 高频器件还包括与衬底的主表面间隔开并与用于形成致动器的第一电极部分重叠的第二电极（54）。 第一和第二电极之间的接触点由在第一电极和第二电极之间引起的静电引力形成。
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公开(公告)号：KR1020010010343A
公开(公告)日：2001-02-05
申请号：KR1019990029163
申请日：1999-07-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/30
Abstract: PURPOSE: A gain controlled amplifier is provided to make a control width be wider and to prevent a degradation of a power characteristics using a two-stage active feedback circuit that uses a drain common field effect transistor. CONSTITUTION: An amplifier part(220) has the first input terminal(201) that inputs an exterior signal, the first to third capacitor(202,204,205) and the first and second field effect transistor(203,206). The amplifier part(220) amplifies and outputs the input signal with two-stage. A feedback part(230) has an output terminal to which the amplified signal is output and the second input terminal(209) which a bias is inputted to. The feedback part(230) has the forth and fifth capacitor(208,213) and the third field effect transistor(210) having a source and drain connected to a load(211,212). The feedback part(230) feedbacks a part of the signal output to the output terminal(207) to the amplifier part(220) when the high bias is inputted through the second input terminal(209).
Abstract translation: 目的：提供增益控制放大器，以使控制宽度更宽，并且可以使用使用漏极公共场效应晶体管的两级有源反馈电路来防止功率特性的劣化。 构成：放大器部分（220）具有输入外部信号的第一输入端（201），第一至第三电容（202,204,205）和第一和第二场效应晶体管（203,206）。 放大器部分（220）放大并输出具有两级的输入信号。 反馈部分（230）具有输出放大信号的输出端子和输入偏置的第二输入端子（209）。 反馈部分（230）具有第四和第五电容器（208,213），并且第三场效应晶体管（210）具有连接到负载（211,212）的源极和漏极。 当通过第二输入端子（209）输入高偏压时，反馈部分（230）将输出到输出端子（207）的信号的一部分反馈到放大器部分（220）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100261263B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019970040213
申请日：1997-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/739
Abstract: PURPOSE: A high power electronic device using an optical gate element is provided to cause electrons to move through vacuum or gas space to decide the movement of the electrons using only external electric field without the interference between the electrons and another particles, thereby enhancing the mobility of the electrons and obtaining fast operational performance. CONSTITUTION: An insulating layer(15) is divided into two portions about a space on a substrate(21). A discharge electrode(14) and a receiving electrode(19) are formed with a thin film shape separated from each other on the insulating layer(15) to discharge and receive electrons. A filling layer(18) are formed on the respective thin film type electrodes(14,19) so that the space between the electrodes(14,19) is filled with any gas or is vacuumed. An upper plate(13) has a light source(16) for irradiating light to the electrodes and an optical window(17) for controlling the light intensity of the light source(16), and covers the filling layer(18).
Abstract translation: 目的：提供使用光栅元件的大功率电子器件，使电子移动通过真空或气体空间，以仅使用外部电场来决定电子的移动，而不会在电子和另一个颗粒之间产生干扰，从而提高电流 的电子并获得快速的操作性能。 构成：绝缘层（15）围绕基板（21）上的空间分成两部分。 放电电极（14）和接收电极（19）形成为在绝缘层（15）上彼此分离的薄膜形状，以放电和接收电子。 在各个薄膜型电极（14,19）上形成填充层（18），使得电极（14,19）之间的空间被任何气体填充或被抽真空。 上板（13）具有用于向电极照射光的光源（16）和用于控制光源（16）的光强度的光学窗口（17），并且覆盖填充层（18）。
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公开(公告)号：KR1020000033136A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980049841
申请日：1998-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03D3/00
Abstract: PURPOSE: A single-balance active mixer os provided to decrease a power consumption and the area of chip by excepting the balun(balance/unbalance) circuit. CONSTITUTION: A single-balance active mixer comprises the parts of: a high-frequency single input terminal(201); an oscillating signal input terminal(205); output terminal(209) outputting intermediated frequency answered to the oscillating signal; a first and a second transistor in which gate stage is connect with high-frequency signal input terminal(201); a third transistor in which channel is connected between the output terminal and the oscillating signal input terminal; a fourth transistor in which channel is connected between the oscillating signal input terminal and the high frequency signal input terminal.
Abstract translation: 目的：提供单平衡有源混频器，以减少平衡/不平衡（平衡/不平衡）电路之外的功耗和芯片面积。 构成：单平衡有源混频器包括以下部分：高频单输入端（201）; 振荡信号输入端（205）; 输出终端（209），输出响应于振荡信号的中间频率; 第一和第二晶体管，其中栅极级与高频信号输入端（201）连接; 第三晶体管，其中通道连接在输出端和振荡信号输入端之间; 第四晶体管，其中通道连接在振荡信号输入端和高频信号输入端之间。
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公开(公告)号：KR100249818B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970071608
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
Abstract: 본 발명은 광전효과를 이용한 광게이트 트랜지스터를 이용하여 입사되는 여러가지 주파수의 광신호를 입력하여 그 주파수 차이에 해당하는 신호를 전기 신호로 출력할 수 있는 광 신호 혼합기에 관한 것으로, 현재의 광통신 기술에서 사용중인 광 신호는 그 사용 주파수가 수백 테라 헬츠 이상의 빛을 사용한다. 이러한 빛을 이용하기 위해서는 빛의 세기를 변조하여 광 신호를 발생시키고 광섬유를 통하여 장거리를 전송하게 된다. 이러한 광 신호를 다시 전기 신호로 변조하기 위해서는 여러 가지의 광 신호 검출기가 이용되는데 이러한 광 검출기의 신호를 전기적 신호로 변환하는 소자는 '광다이오드' 또는 '광트랜지스터' 가 대표적이다. 그러나 광의 변조 신호의 주파수가 크게 높아 지기 위해서는 수백 기가 헬츠 이상의 고속 동작 특성을 갖는 광 검출기가 필요하게 된다. 광게이트 트랜지스터(미국 특허: 5389796)는 Einstein에 의하여 창안된 '광전효과'를 이용하여 소자의 방출전극에서 입사되는 광에너지에 의하여 방출되는 전자를 수전전극으로 전송하여 전류를 구동하는 소자로 고속의 동작 특성을 갖는다. 본 특허는 광게이트 트랜지스터를 이용하여 입사되는 여러가지 주파수의 광신호를 입력하여 그 주파수 차이에 해당하는 신호를 전기 신호로 출력할 수 있는 광 신호 혼합기에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100218672B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960039064
申请日：1996-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J9/025
Abstract: 본 발명은 스퍼터링 공정을 이용한 진공 소자의 구조 및 제조 방법에 관한 것으로, 등방성 및 이방성 식각법으로 실리콘 필라를 형성하여 방출 전극을 형성하고 게이트 절연막을 형성한 후 게이트 전극을 스퍼터링법을 이용하여 형성함으로써 게이트 전극이 방출 전극에 쉽게 인접할 수 있게 형성되고, 방출 전극과 게이트 전극간의 거리를 쉽게 조절할 수 있을 뿐 아니라 게이트 전극과 방출 전극간의 간격을 조절하면 원하는 저전압의 구동을 실현할 수 있고, 반도체 공정을 이용하므로 균일하고 안정된 진공소자를 제작할 수 있는 진공 소자의 구조 및 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1019980034433A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052474
申请日：1996-11-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
3극형 전계방출소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
600℃ 이하의 저온에서 모든 공정을 진행시킬수 있고 실리콘 캐소드 팁의 탑 부위를 뾰족하게 형성하여, 저가격 및 대면적하에서 전계방출 효율을 향상시키고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
등방성 식각 및 비등방성식각을 연속적으로 실시하여 기둥이 있고 잘린 원추 형상의 제1 실리콘 패턴을 형성한 다음, 습식식각에 의해 기둥이 있고 끝이 뾰족한 원추 형상의 제2 실리콘 패턴을 형성함으로써 캐소드 팁을 형성하고, 게이트 형성 시 에치백 공정을 사용한다.
4. 발명의 중요한 용도
전자원 장치
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