公开(公告)号：GB2495828B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：GB201218439

申请日：2012-10-15

Applicant: IBM

Inventor： SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L31/0725

Abstract: A multi-junction III-V photovoltaic device is provided that includes at least one top cell comprised of at least one III-V compound semiconductor material; and a bottom cell in contact with a surface of the at least one top cell. The bottom cell includes a germanium-containing layer in contact with the at least one top cell, at least one intrinsic hydrogenated silicon-containing layer in contact with a surface of the germanium-containing layer, and at least one doped hydrogenated silicon-containing layer in contact with a surface of the at least one intrinsic hydrogenated silicon-containing layer. The intrinsic and doped silicon-containing layers can be amorphous, nano/micro-crystalline, poly-crystalline or single-crystalline.

公开(公告)号：DE102012221294A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102012221294

申请日：2012-11-21

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/02

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aktivmatrix-Leuchtdioden(LED)-Anordnung beinhaltet das Entfernen einer ursprünglich auf ein Basissubstrat aufgewachsenen Schicht eines anorganischen LED-Materials von diesem; und das Verbinden der entfernten Schicht des anorganischen LED-Materials mit einem Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Backplane-Array.

公开(公告)号：DE102013200547A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102013200547

申请日：2013-01-16

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06

Abstract: Es werden verbesserte Halbleitersubstrate bereitgestellt, die ein Material mit breiter Bandlücke zwischen dem Kanal und dem Isolator verwenden. Ein Halbleitersubstrat weist eine Kanalschicht, die ein III-V-Material aufweist; eine Isolatorschicht; und ein Material mit breiter Bandlücke zwischen der Kanalschicht und der Isolatorschicht auf, wobei ein Leitungsbandoffset (&Dgr;Ec) zwischen der Kanalschicht und dem breiten Bandlückenmaterial zwischen 0,05 eV und 0,8 eV liegt. Die Kanalschicht kann zum Beispiel In1-xGaxAs oder In1-xGaxSb aufweisen, wobei x von 0 bis 1 variiert. Das Material mit breiter Bandlücke kann zum Beispiel In1-yAlyAs, In1-yAlyP, Al1-yGayAs oder In1-yGayP aufweisen, wobei y von 0 bis 1 variiert.

公开(公告)号：GB2496970A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：GB201220562

申请日：2012-11-15

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62

Abstract: A method of forming an active matrix, light emitting diode (LED) array includes removing, from a base substrate, a layer of inorganic LED material 804 originally grown thereupon; and bonding the removed layer of inorganic LED material 804 to an active matrix, thin film transistor (TFT) backplane array 802. Also disclosed is the active matrix light emitting diode array produced from said method. The inorganic LED material 804 may be removed from the base substrate by a method of spalling, wherein at least one or more stress layers are formed on the inorganic LED material layer, a flexible handle layer is formed on the one or more stress layers, and applying a force to the flexible handle layer so as to separate the stress layer and at least a portion of the inorganic LED material layer from the base substrate. The inorganic LED material layer 804 may be bonded to the active matrix TFT backplane array 802 by a process of cold welding. The inorganic LED material layer 804 may be patterned once bonded to the active matrix TFT backplane array 802, where a further inorganic LED material layer 804b can be bonded to the backplane array 802 to produce an array of LED elements 804a,804b, wherein the further inorganic LED material layer 804b is produced by the same method as the first inorganic LED material layer 804a.

公开(公告)号：DE102012104140A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE102012104140

申请日：2012-05-11

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden eines Fotoelements beschrieben, welches das Bilden einer Absorptionsschicht eines ersten kristallinen Halbleitermaterials vom ersten Leitungstyp, das epitaxiale Abscheiden einer zweiten kristallinen Halbleiterschicht vom zweiten Leitungstyp, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist, und das Abscheiden einer dotierten amorphen oder nanokristallinen Passivierungsschicht vom zweiten Leitungstyp beinhaltet, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist. Der erste Leitungstyp kann p-leitend und der zweite Leitungstyp kann n-leitend sein, oder der erste Leitungstyp kann n-leitend und der zweite Leitungstyp kann p-leitend sein. Die Temperatur beim epitaxialen Abscheiden der zweiten kristallinen Halbleiterschicht überschreitet 500°C nicht. Es werden elektrisch mit der Absorptionsschicht und der zweiten kristallinen Halbleiterschicht verbundene Kontakte gebildet.

公开(公告)号：GB2346260A

公开(公告)日：2000-08-02

申请号：GB0001370

申请日：2000-01-24

Applicant: IBM

Inventor： AJMERA ATUL ,  LEOBANDUNG EFFENDI ,  RAUSCH WERNER ,  SCHEPIS DOMINIC ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L23/52 ,  H01L23/58 ,  H01L29/786

Abstract: A method of forming a contact to the substrate 3 of a silicon-on-insulator semiconductor device comprises forming an isolation trench (11, Fig 2) in the silicon layer 7, filling the trench with TEOS and forming a contact trench through the isolation trench such that the contact trench makes contact with the underlying substrate 3. The contact trench is filled with polysilicon 21 or tungsten and may be ring shaped to form a guard ring. The contact trench may be used to ground the substrate.