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    41.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10200897B4

    公开(公告)日：2007-04-19

    申请号：DE10200897

    申请日：2002-01-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS

    IPC: G03F7/039 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40

    Abstract: A scintillating structure for aligning an electron or ion beam using a detector while exposing a wafer, which may be a wafer or mask, is described. The structure is formed by a resist including a polymer with carboxylic acid groups, anhydride groups, and an acid-sensitive group, for instance tert.-butylester; a photoreactive compound which releases an acid upon irradiation with UV light, electrons, or ions; a solvent; and at least one scintillating substance such as anthracene, naphthaline and/or 1,4-bis-(5-phenyl-2-oxazolyl)-benzol. After a developing and silylating step, the cross-linked structure is inert with respect to solvents of additional resists that are applied over the structure. The scintillating structure is thus not dissolved, which improves the quality of online controlled electron or ion beam writing.

    High resolution photoresist process especially for the production of semiconductors using radiant heating of the resist layer
    44.
    发明专利
    High resolution photoresist process especially for the production of semiconductors using radiant heating of the resist layer 未知

    公开(公告)号：DE102004042300A1

    公开(公告)日：2006-03-30

    申请号：DE102004042300

    申请日：2004-08-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS

    IPC: G03F7/40

    Abstract: A high resolution photoresist process, especially for the production of semiconductors with structures smaller than 50 nm uses radiant heating applied to the upper surface of the resist rather than thermal contact. This applies the heat direct to the resist without thermal lag through the substrate. The heating is applied to dry the resist and/or as a post exposure bake. Suitable thermal sources include IR lasers. The heating is applied for 5 to 180 seconds to generate a temperature of between 120 and 140 deg. C in the resist, with the substrate moved under the heating area at a set speed.

    47.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10208448A1

    公开(公告)日：2003-09-11

    申请号：DE10208448

    申请日：2002-02-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS ,  SEBALD MICHAEL

    IPC: G03F1/76 ,  G03F7/40 ,  G03F7/00

    Abstract: The invention relates to a process for the production of photomasks. A film of a photoresist, as used for structuring semiconductor substrates, for example a CARL resist, is applied to a chromium-coated quartz glass substrate. The photoresist layer is written on by means of a focused electron beam, heated and then developed. The now structured resist is treated with an amplification agent and thus increases in its etch resistance to an oxygen plasma. During etching of the bare chromium sections, the silicon introduced into the photoresist is converted into silicon dioxide, which forms a protective layer on the chromium layer. Thus, the structure written in by means of the electron beam can be transferred without loss into the chromium layer.

    Package mit selektivem Korrosionsschutz einer elektrischen Verbindungsstruktur
    48.
    发明专利
    Package mit selektivem Korrosionsschutz einer elektrischen Verbindungsstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102019120051B4

    公开(公告)日：2025-03-06

    申请号：DE102019120051

    申请日：2019-07-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DANGELMAIER JOCHEN ,  ELIAN KLAUS

    IPC: H01L23/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495

    Abstract: Ein Package (100) aufweisend:• einen Träger (114);• eine elektronische Komponente (102), welche auf dem Träger (114) montiert ist; und• eine Einkapselung (106), welche zumindest einen Teil der elektronischen Komponente (102) und nur einen Teil des Trägers (114) einkapselt, so dass ein anderer freiliegender Teil (115) des Trägers (114) in Bezug auf die Einkapselung (106) freiliegend ist;• wobei der freiliegende Teil (115) des Trägers (114) eine elektrische Verbindungsstruktur (117) und eine Korrosionsschutzstruktur (110) aufweist;• wobei die elektrische Verbindungsstruktur (117) selektiv nur auf einem Teilabschnitt der Korrosionsschutzstruktur (110) gebildet ist, oder wobei die Korrosionsschutzstruktur (110) selektiv nur auf einem Teilabschnitt der elektrischen Verbindungsstruktur (117) gebildet ist, außerhalb der Einkapselung (106); und• wobei der Träger (114) zumindest einen metallischen Leiter (126) hat, welcher die elektrische Verbindungsstruktur (117) aus zumindest einem ersten Metall aufweist, und welcher die Korrosionsschutzstruktur (110) aus zumindest einem zweiten Metall aufweist, welches eine Korrosion des zumindest einen ersten Metalls inhibiert;• wobei die Korrosionsschutzstruktur (110) streifenförmig ist; wobei die elektrische Verbindungsstruktur (117) und die Korrosionsschutzstruktur (110) aus einem bimetallischen Streifen sind, welcher mittels Walzens gebildet ist.

    VERFAHREN ZUM AUTHENTIFIZIEREN EINES GEGENSTANDS UND MOBILES GEBRAUCHSGERÄT
    49.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM AUTHENTIFIZIEREN EINES GEGENSTANDS UND MOBILES GEBRAUCHSGERÄT 未知

    公开(公告)号：DE102023204788A1

    公开(公告)日：2024-11-28

    申请号：DE102023204788

    申请日：2023-05-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS ,  HARTNER WALTER ,  THEUSS HORST ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  SCHALLER RAINER

    IPC: G06K19/06 ,  G01S13/02

    Abstract: Ein Verfahren zur Authentifizierung eines Gegenstandes umfasst ein Positionieren eines Millimeterwellen-Transceivers relativ zu einem Gegenstand, der eine Meta-Material-Markierung enthält. Ein Sendesignal wird von dem Millimeterwellen-Transceiver in Richtung der Meta-Material-Markierung gesendet, wobei das Sendesignal basierend auf der Meta-Material-Markierung in ein Empfangssignal umgesetzt wird, welches eine erste Charakteristik aufweist und in Richtung des Millimeterwellen-Transceivers abgestrahlt wird. Das Empfangssignal wird durch den Millimeterwellen-Transceiver empfangen und verarbeitet zum Erfassen der ersten Charakteristik. Erste Vergleichsinformationen werden basierend auf der ersten Charakteristik erzeugt und ein Authentifizieren des Gegenstands basierend auf den ersten Vergleichsinformationen wird durchgeführt.

    Magnetpackage und Verfahren zum Herstellen eines Magnetpackage
    50.
    发明专利
    Magnetpackage und Verfahren zum Herstellen eines Magnetpackage 未知

    公开(公告)号：DE102014100119B4

    公开(公告)日：2022-07-14

    申请号：DE102014100119

    申请日：2014-01-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ELIAN KLAUS

    IPC: H01L23/06 ,  H01R13/66

    Abstract: Magnetpackage (100, 110, 120, 130, 140), welches als Stecker ausgebildet ist und welches aufweist:eine Einkapselung (101, 111, 131), wobei die Einkapselung (101, 111, 131) aus einem permanentmagnetischen Material geformt ist;einen Chip (103); undzumindest einen elektrischen Kontakt, welcher von der Einkapselung (101, 111, 131) umhüllt ist und nicht an der Außenseite der Einkapselung (101, 111, 131) gebildet ist;wobei der elektrische Kontakt mittels eines Leadframes (102, 112) ausgebildet ist; undwobei der Leadframe (102, 112) gebogen ist und von dem permanentmagnetischen Material teilweise eingekapselt ist, so dass nur die Biegung des Leadframes (102, 112) als der elektrische Kontakt freiliegt.

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