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公开(公告)号：WO2017055284A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/EP2016/073000
申请日：2016-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , LELL, Alfred , VIERHEILIG, Clemens , LÖFFLER, Andreas , EICHLER, Christoph
CPC classification number: H01S5/168 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/166 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: Es umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge(2) mit einem n-leitenden n-Bereich (21), einem p-leitenden p-Bereich (23) und einer dazwischenliegendenaktive Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Zur Stromeinprägung befindet sich direkt an dem p-Bereich (23) eine für die Laserstrahlung durchlässige p-Kontaktschicht (3) aus einem transparenten leitfähigen Oxid. Direkt an der p-Kontaktschicht (3) ist eine elektrisch leitende und metallische p-Kontaktstruktur (4) angebracht. Die p-Kontaktschicht (3) ist ein Teil einer Mantelschicht, sodass die Laserstrahlung im Betrieb des Halbleiterlasers (1) bestimmungsgemäß in die p-Kontaktschicht (3) eindringt. Zwei Facetten (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) bilden Resonatorendflächen für die Laserstrahlung. In wenigstens einem Stromschutzbereich (5) direkt an zumindest einer der Facetten (25) ist eine Stromeinprägung in den p-Bereich (23) unterdrückt. Der Stromschutzbereich weist in Richtung senkrecht zur zugehörigen Facette (25) eine Ausdehnung von mindestens 0,5µm und von höchstens 100 µm und zusätzlich von höchstens 20 % einer Resonatorlänge für die Laserstrahlung auf.
Abstract translation: 半导体激光器（1）包括具有n型的n型区域（21），p型的p型区域（23）和用于产生激光辐射的居间有源区（22）的半导体层序列（2）。 电流注入直接位于所述p-区（23）可透过由透明导电氧化物的激光辐射p接触层（3）。 直接在p型接触层（3）是一种导电性的金属和p接触结构（4）。 p接触层（3）是一包层的一部分，从而使半导体激光器的操作期间所述激光辐射（1），用于渗透到p型接触层（3）。 两个小平面（25）的半导体层序列（2）用于激光辐射形式谐振器端的。 在至少一个电流保护区域（5）直接在刻面中的至少一个（25）抑制了在p区（23）的电流注入。 过电流保护区域具有在沿垂直于相关联的小面（25）具有至少0.5微米的扩展，并且不超过100微米，并且另外至多20用于激光辐射的谐振器的％。
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公开(公告)号：WO2016037863A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/EP2015/069698
申请日：2015-08-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , ADLHOCH, Thomas , VEIT, Thomas , LELL, Alfred , PFEIFFER, Joachim , MUELLER, Jens , EICHLER, Christoph
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/22 , H01S5/2201
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Laserchips (140) umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (100) mit einer Oberseite (101) und einer Unterseite (102), wobei die Halbleiterscheibe eine Mehrzahl integrierter Laserdiodenstrukturen (141) aufweist, die entlang einer festgelegten Bruchrichtung (10) hintereinander angeordnet sind, zum Anlegen einer Mehrzahl von entlang der Bruchrichtung hintereinander angeordneten Vertiefungen (200) an der Oberseite der Halbleiterscheibe, wobei jede Vertiefung in Bruchrichtung aufeinander folgend eine vordere Begrenzungsfläche (210) und eine hintere Begrenzungsfläche (220) aufweist, wobei bei mindestens einer Vertiefung die hintere Begrenzungsfläche gegenüber der Oberseite der Halbleiterscheibe um einen Winkel zwischen 95° und 170° geneigt ist, und zum Brechen der Halbleiterscheibe in Bruchrichtung an einer senkrecht zur Oberseite der Halbleiterscheibe orientierten Bruchebene, die durch die Vertiefungen verläuft.
Abstract translation: 制造激光芯片（140）的方法，包括：提供具有顶部（101）和底部（102）的半导体晶片（100）的步骤，所述具有多个集成的激光二极管结构的（141）（沿着预定断裂方向10的半导体晶片 ）被布置成一个在另一个后面，对于在组分方向以下对半导体晶片的顶侧施加的多个沿依次布置的凹槽（200）的断裂方向，每个孔具有连续的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，至少 的凹部，所述后边界表面以一定角度倾斜，相对于半导体晶片的上表面95°和170°之间，且用于断开在断裂方向上的半导体晶片上的垂直于半导体晶片断裂面穿过孔的顶表面取向。
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公开(公告)号：WO2015154975A3
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/EP2015/056083
申请日：2015-03-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Halbleiter-Streifenlaser einen ersten Halbleiterbereich (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ferner beinhaltet der Halbleiter-Streifenlaser einen zweiten Halbleiterbereich (13) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Eine aktive Zone (12) zur Erzeugung einer Laserstrahlung befindet sich zwischen den Halbleiterbereichen (11, 13). Ein Streifenwellenleiter (3) ist in dem zweiten Halbleiterbereich (13) geformt. Der Streifenwellenleiter (3) ist zu einer eindimensionalen Wellenleitung entlang einer Wellenleitrichtung (L) eingerichtet. Ein erster elektrischer Kontakt (41) befindet sich an dem ersten Halbleiterbereich (11) und ein zweiter elektrischer Kontakt (43) befindet sich an dem zweiten Halbleiterbereich (13). Weiterhin beinhaltet der Halbleiter-Streifenlaser (1) einen Wärmespreizer (2), der wenigstens bis zu einer Temperatur von 220 °C formstabil mit den Halbleiterbereichen (11, 13) verbunden ist. Der Wärmespreizer (2) weist eine mittlere Wärmeleitfähigkeit von mindestens 50 W/mK auf.
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公开(公告)号：WO2014140035A3
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/EP2014/054736
申请日：2014-03-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens , LELL, Alfred
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser (1) mit einem Grundkörper (2), wobei auf dem Grundkörper (2) ein in der Breite schmälerer Streifen (3) vorgesehen ist, wobei eine aktive Zone (4) zum Erzeugen von Lichtstrahlung vorgesehen ist, wobei Oberflächen (9, 10) des Grundkörpers (2) seitlich des Streifens (3) und Seitenflächen (13, 14) des Streifens (3) mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht (11) abgedeckt sind, wobei auf einer Oberseite des Streifens (3) eine elektrisch leitende Schicht (12) als Kontakt vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen einer Seitenfläche (13, 4) des Streifens (3) und der Schutzschicht (11) wenigstens in einem begrenzten Abschnitt ein Hohlraum (15) vorgesehen ist.
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公开(公告)号：WO2012150132A2
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/EP2012/057073
申请日：2012-04-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EICHLER, Christoph , DINI, Dimitri , LELL, Alfred
Inventor： EICHLER, Christoph , DINI, Dimitri , LELL, Alfred
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0217 , H01S5/0287 , H01S5/065 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/2022 , H01S5/2031 , H01S5/2059 , H01S5/2215 , H01S5/2218 , H01S5/2219 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2275 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/185
Abstract: Es wird eine Laserlichtquelle mit einer Stegwellenleiterstruktur angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer Mehrzahl von funktionalen Schichten (4) und einem aktiven Bereich (45) aufweist, der geeignet ist, im Betrieb Laserlicht zu erzeugen, wobei zumindest eine der funktionalen Schichten (4) als Steg (11) der Stegwellenleiterstruktur ausgebildet ist und wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) eine Modenfilterstruktur (6) aufweist, die als Teil des Stegs (11) und/oder entlang einer Haupterstreckungsebene der funktionalen Schichten (4) neben dem Steg (11) und/oder senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der funktionalen Schichten (4) unterhalb des Stegs (11) ausgebildet ist.
Abstract translation: 它是用一个脊形波导结构，具有具有多个功能层（4）和其适于产生操作期间激光光的有源区（45）的半导体层序列（10）的激光光源，所述功能层的方法，其中至少一种（指定 4）11形成为脊形波导结构的腹板（11），并且其中所述半导体层序列（10）包括模滤波器结构（6），作为网络中的一部分（11）和/或（沿着官能4层的主延伸面）旁边的幅材（ ）被形成和/或垂直于所述功能层（4）的幅材（11下方的主平面）。
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Patent Agency Ranking46.发明申请
公开(公告)号：WO2012048962A2
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/065477
申请日：2011-09-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , NELZ, Christoph , RUMBOLZ, Christian , HARTAUER, Stefan
Inventor： LELL, Alfred , NELZ, Christoph , RUMBOLZ, Christian , HARTAUER, Stefan
CPC classification number: H01S5/2202 , H01S5/0425 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S2301/176
Abstract: Es ist eine kantenemittierende Halbleiterlaserdiode (1) vorgesehen, die einen epitaktischen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Planarisierungsschicht (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist einen Grundkörper (2a) und einen Stegwellenleiter (2b) auf, wobei der Grundkörper (2a) eine aktive Schicht (2c) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist. Die Planarisierungsschicht (3) bettet den Stegwellenleiter (2b) derart ein, dass eine Oberfläche (21) des Stegwellenleiters (2b) und eine Oberfläche (22) der Planarisierungsschicht (3) eine ebene Hauptfläche (4) ausbilden. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterlaserdiode (1) vorgesehen.
Abstract translation: （2）和平坦化层（3），提供了包含一个半导体外延层堆叠的边缘发射半导体激光二极管（1）。 半导体层堆叠（2）具有基体（2a）和一个脊形波导（2b）中，其特征在于，具有用于产生电磁辐射的有源层（2c）的所述基体（2a）中。 所述平坦化层（3）嵌入的脊形波导（2b）的一个，使得脊形波导（2b）和所述平坦化层（3）的表面（22）的表面（21）具有平坦的主表面（4）的形式。 此外，提供了用于制造这样的半导体激光二极管（1）的方法。
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公开(公告)号：WO2011128233A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055320
申请日：2011-04-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BREIDENASSEL, Andreas , AVRAMESCU, Adrian Stefan , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke
Inventor： BREIDENASSEL, Andreas , AVRAMESCU, Adrian Stefan , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke
CPC classification number: H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
Abstract: Es wird eine Laserlichtquelle zur Abstrahlung von kohärenter elektromagnetischer Strahlung (10) mit einem vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung der kohärenten elektromagnetischen Strahlung mit einem aktiven Bereich (3) auf einem Substrat (2), wobei die kohärente elektromagnetische Strahlung im Betrieb mindestens von einem Hauptemissionsbereich (5) einer Strahlungsauskoppelfläche (4) mit einer Abstrahlrichtung (11) abgestrahlt wird und die Strahlungsauskoppelfläche (4) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet ist, und einem Filterelement (13), das im Betrieb erzeugte kohärente elektromagnetische Strahlung (12), die von einem zum Hauptemissionsbereich (5) vertikal versetzten und räumlich getrennten Nebenemissionsbereich (6) der Strahlungsauskoppelfläche (4) abgestrahlt wird, im vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) unterdrückt.
Abstract translation: 它是用于发射具有用于（3）在基材上产生具有有源区相干的电磁辐射的半导体层序列（1）相干的电磁辐射（10）的激光的光源（2），其具有垂直远场光束轮廓（121），所述相干 从主发射区域至少在操作期间电磁辐射（5）辐射耦合的（4），其具有发射（11）照射并通过半导体层序列（1）的一个侧表面上的辐射（4）形成，并且在一个过滤器元件（13） 操作产生相干的电磁辐射（12）从一个垂直位移的主发光区域（5）和空间分离的子发射区域（6）的辐射（4）发出的在垂直远场光束轮廓（121）被抑制。
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公开(公告)号：WO2009155907A3
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000883
申请日：2009-06-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin , TAUTZ, Sönke , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe
Inventor： BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin , TAUTZ, Sönke , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe
IPC: H01L33/00
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Konversionselements (1) ist dieses mit einem lichtdurchlässigen Matrixmaterial (2) gestaltet, in dem Wärmeleitpartikel (4) und mindestens ein Konversionsmittel (3) eingebettet sind, wobei das Konversionsmittel (3) dazu ausgestaltet ist, Licht einer Wellenlänge zumindest zum Teil in Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Durch das Konversionsmittel (3) und/oder die Wärmeleitpartikel (4) sind Wärmeleitpfade P im Konversionselement (1) gebildet. Über solche, durch Wärmeleitpartikel (4) und Konversionsmittel (3) gebildete Wärmeleitpfade (P) kann Wärme aus dem Konversionselement (1) effizient abgeführt werden. Hierdurch erhöht sich die Konversionseffizienz des Konversionselements.
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公开(公告)号：WO2008077380A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/DE2007/002263
申请日：2007-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OTT, Hubert , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , STATH, Norbert
Inventor： OTT, Hubert , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , STATH, Norbert
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G02B6/0003 , G02B6/001 , G02B6/03622 , G02B6/03638
Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine Licht emittierende Vorrichtung vor, die eine Strahlungsquelle (5) zur Emission einer Strahlung (11) zumindest einer ersten Wellenlänge und einen elongierten gekrümmten Lichtleitkörper (20) umfasst, in den die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung (11) eingekoppelt wird und der auf Grund der eingekoppelten Strahlung (11) erster Wellenlänge Licht (12) in einem Winkel zu seiner Längsachse auskoppelt.
Abstract translation: 本发明的一个实施例提出一种发光装置，该装置包括一个辐射源（5），用于发射（11），其耦合由辐射源发射的辐射到其中的辐射（11）的至少第一波长和细长弯曲导光体（20） 是与以一个角度其纵向轴线具有第一波长的光耦合输出（12）耦合的辐射（11）的基础上。
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50.发明申请STAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开STAHLUNGSEMITTIERENDES半导体部件与方法研究
公开(公告)号：WO2003026029A1
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003199
申请日：2002-08-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BADER, Stefan , DUMITRU, Viorel , HÄRLE, Volker , KUHN, Bertram , LELL, Alfred , OFF, Jürgen , SCHOLZ, Ferdinand , SCHWEIZER, Heinz
Inventor： BADER, Stefan , DUMITRU, Viorel , HÄRLE, Volker , KUHN, Bertram , LELL, Alfred , OFF, Jürgen , SCHOLZ, Ferdinand , SCHWEIZER, Heinz
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/3063 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine strahlungserzeugende aktive Schicht (9) und eine p-leitende Kontaktschicht (2) aufweist, die InGaN oder AlInGaN enthält und auf die eine Kontaktmetallisierung (3) aufgebracht ist. Weiterhin beschreibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements.
Abstract translation: 本发明涉及一种发射辐射的半导体元件，在有源层，其包括半导体本体（1），设置有（9）产生辐射和一个p类型传导接触层（2），其含有的InGaN或AlInGaN层和其上施加了接触 金属化（3）。 本发明因此涉及用于制造搜索的半导体部件的方法。
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