公开(公告)号：FR3069371B1

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：FR1756836

申请日：2017-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique, capteur d'images, comprenant : une première partie (2) incluant une plaquette de substrat (4) pourvue d'un côté de circuits électroniques (6) et d'une couche diélectrique (7) incluant un réseau de connexions électriques (8) et présentant une face (5) pourvue de contacts électriques (10) ; et une deuxième partie (3) apte à générer des signaux électriques sous l'effet de la lumière, sous la forme de pixels, incluant une plaquette de substrat (11) pourvue d'un côté de circuits électroniques (13) et d'une couche diélectrique (14) incluant un réseau de connexions électriques (15), présentant une face (16) pourvue de contacts électriques (17) et, de l'autre côté, d'une plaquette secondaire (19) déterminant lesdits pixels. Lesdites faces (9, 16) et lesdits contacts électriques (10, 17) sont accolés. Des plots de connexion extérieure (22) aménagés dans des trous (21) de ladite plaquette secondaire (19) sont reliés audit réseau (15) de ladite deuxième partie (3).

公开(公告)号：FR2988907A1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：FR1253034

申请日：2012-04-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne une cellule d'un capteur d'image, comprenant : une grille (3) s'étendant sur la surface d'un substrat semiconducteur (1) ; une zone de collecte de charges (9) d'un premier type de conductivité et un noeud de lecture (7) du premier type de conductivité ; une première région (23) d'un second type de conductivité s'étendant au moins en partie sous la grille, entre la zone de collecte de charges et le noeud de lecture ; et une seconde région (24) du premier type de conductivité s'étendant sous la grille depuis la surface du substrat jusqu'à la première région.

公开(公告)号：FR2978612B1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：FR1156861

申请日：2011-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/146

公开(公告)号：FR2971887B1

公开(公告)日：2013-02-22

申请号：FR1151318

申请日：2011-02-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2974240A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153183

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant, des régions (35) de silicium polycristallin dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat (33), s'étendant en profondeur orthogonalement à ladite face avant ; b) amincir le substrat par sa face arrière jusqu'à atteindre les régions (35) de silicium polycristallin ; c) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (41) dopé, de type de conductivité opposé à celui du substrat ; et d) recuire à une température adaptée à transformer la couche de silicium amorphe en une couche (43) cristallisée.

公开(公告)号：FR2969385A1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR1005005

申请日：2010-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HIRIGOYEN FLAVIEN ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: A method of fabricating an image sensor includes the steps of: forming at least two photosites in a semiconductor substrate; forming a trench between the photosites; forming a thin liner on at least the sidewalls of the trench; depositing a conductive material having a first refractive index in the trench; and forming a region surrounded by the conductive material and having a second refractive index lower than the first index of refraction within the conductive material in the trench.

公开(公告)号：FR2950504B1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR0956600

申请日：2009-09-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BARBIER FREDERIC ,  ROY FRANCOIS

IPC: H04N5/335 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

公开(公告)号：FR2966678A1

公开(公告)日：2012-04-27

申请号：FR1058646

申请日：2010-10-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H04N5/372 ,  H04N1/21 ,  H04N5/225

Abstract: Dispositif d'imagerie (DIS) formé dans un substrat semi-conducteur comprenant un réseau matriciel de photosites (p) s'étendant selon une première direction (DIR1) et une seconde direction (DIR2). Le dispositif d'imagerie (DIS) comprend des moyens de transfert configurés pour transférer des charges selon la première direction (DIR1) et des moyens d'extraction configurés pour extraire des charges selon la seconde direction (DIR2).

公开(公告)号：FR3085231A1

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：FR1857634

申请日：2018-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HULOT STEPHANE ,  SULER ANDREJ ,  VIROLLET NICOLAS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/30

Abstract: La présente description concerne un capteur d'images à semiconducteur. Chaque pixel du capteur comprend un substrat semiconducteur (10) ayant des faces avant et arrière opposées et délimité latéralement par un premier mur d'isolement (11) comprenant un premier coeur conducteur (12) isolé du substrat, des paires électrons-trous étant susceptibles de se former dans le substrat par suite d'un éclairement par la face arrière. Un circuit est configuré pour maintenir, pendant une première phase dans un premier mode de fonctionnement, le premier coeur conducteur à un premier potentiel et pour maintenir, pendant au moins une partie de la première phase dans un deuxième mode de fonctionnement, le premier coeur conducteur à un deuxième potentiel différent du premier potentiel.

公开(公告)号：FR3019378A1

公开(公告)日：2015-10-02

申请号：FR1452482

申请日：2014-03-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： AHMED NAYERA ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne une structure d'isolement entre des photodiodes formées dans une couche semiconductrice (42) dopée d'un premier type de conductivité s'étendant sur un substrat semiconducteur (41) dopé du deuxième type de conductivité, la structure d'isolement comprenant une tranchée (45) traversant la couche semiconductrice, les parois de la tranchée étant revêtues d'une couche isolante (49, 51, 53), la tranchée étant remplie d'un matériau conducteur (47) et étant bordée d'une zone à dopage P (55), plus dopée que la couche semiconductrice.