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    PROCEDE DE REALISATION D'UN CAPTEUR D'IMAGES A ECLAIREMENT PAR LA FACE ARRIERE
    43.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION D'UN CAPTEUR D'IMAGES A ECLAIREMENT PAR LA FACE ARRIERE 未知

    公开(公告)号：FR2974238A1

    公开(公告)日：2012-10-19

    申请号：FR1153178

    申请日：2011-04-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant du substrat, des zones (38) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur, s'étendant en profondeur sous ladite face avant, ces zones étant bordées de régions isolantes (35) orthogonales à la face avant ; b) amincir le substrat par la face arrière jusqu'à proximité desdites zones et jusqu'à atteindre les régions isolantes ; c) évider partiellement les régions isolantes du côté de la face arrière ; et d) recuire superficiellement, par laser, la face arrière du substrat.

    PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLETEMENT DEPLETES ET PARTIELLEMENT DEPLETES
    45.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLETEMENT DEPLETES ET PARTIELLEMENT DEPLETES 未知

    公开(公告)号：FR2905519A1

    公开(公告)日：2008-03-07

    申请号：FR0653524

    申请日：2006-08-31

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L21/8236 ,  H01L27/088

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré contenant des transistors MOS complètement et partiellement déplétés, comprenant les étapes suivantes .a) former des transistors MOS similaires sur une couche mince de silicium (3) formée sur une couche de silicium-germanium (2) reposant sur un substrat de silicium ;b) coller la face supérieure de la structure à une plaquette support (21) ;c) éliminer le substrat;d) déposer un masque (23) et ouvrir ce masque aux emplacements des transistors complètement déplétés ;e) oxyder le silicium-germanium aux emplacements des transistors complètement déplétés dans des conditions telles qu'il se produit un phénomène de condensation ; etf) éliminer la partie oxydée et la partie de silicium-germanium, d'où il résulte qu'il demeure des transistors dont la couche de silicium est amincie.

    PROCEDE DE FORMATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE CIRCUIT INTEGRE
    46.
    发明专利
    PROCEDE DE FORMATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE CIRCUIT INTEGRE 未知

    公开(公告)号：FR2881273A1

    公开(公告)日：2006-07-28

    申请号：FR0500674

    申请日：2005-01-21

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  AVENIER GREGORY

    IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

    Abstract: L'invention concerne un substrat semi-conducteur de circuit intégré comprenant une couche active de silicium (10) séparée d'une couche substrat de silicium (20) par une couche de matériau isolant enterrée (30), caractérisé en ce que ladite couche active de silicium comprend localement au moins une surépaisseur du côté de ladite couche enterrée (30), de sorte que ledit substrat semi-conducteur comprend un état de surface plan.

    47.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2835652B1

    公开(公告)日：2005-04-15

    申请号：FR0201305

    申请日：2002-02-04

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  CHANTRE ALAIN

    IPC: H01L21/8249

    Abstract: When the fabrication of the insulated gate field effect transistor is started, then the bipolar transistor (BIP1,BIP2) is totally fabricated, before the resumption of fabrication of the insulated gate field effect transistor (MOS), and the step of common finishing of the two transistors is executed, including the common thermal reheating treatment (122) and common silication treatment.

    49.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2811473B1

    公开(公告)日：2003-09-05

    申请号：FR0008686

    申请日：2000-07-04

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MARTY MICHEL ,  BAUDRY HELENE ,  LEVERD FRANCOIS

    IPC: H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/763 ,  H01L21/331 ,  H01L21/306

    Abstract: Prior to the implementation of transistors, one configures within the substrate a deep insulated drain following the configuration within the substrate of a less deep insulated drain lengthening the deep drain. The configuration of the deep drain includes a coating of the internal walls of the drain by an initial layer of oxide (100) obtained by a rapid thermal oxidation and a filling of the drain with polysilicon (120) inside an envelope formed with an insulating material (101). The configuration of the less deep drain also includes a coating of the internal walls with an initial oxide layer (15) obtained by rapid thermal oxidation and a filling with an insulating material (16, 17). An Independent claim is also included for an integrated circuit incorporating within a substrate some insulating deep drain and less deep drain regions separating the transistors.

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