公开(公告)号：FR2929408B1

公开(公告)日：2010-04-09

申请号：FR0852085

申请日：2008-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BENABDELAZIZ GHAFOUR ,  PAILLET PASCAL

IPC: G01R31/02

公开(公告)号：FR2933540A1

公开(公告)日：2010-01-08

申请号：FR0854448

申请日：2008-07-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： CHARLEY SYLVAIN ,  DUPONT FRANCOIS ,  EZZEDDINE HILAL

IPC: H01P5/18

Abstract: L'invention concerne un coupleur (10) comportant : une première ligne conductrice (2) destinée à véhiculer un signal à transmettre entre des première et deuxième bornes (IN, OUT) ; une deuxième ligne conductrice (3), couplée à la première et dont une des extrémités est destinée à fournir, sur une troisième borne (ISO), une information relative à un signal réfléchi sur la deuxième borne ; et un circuit d'adaptation d'impédance (5), inductif et/ou capacitif, intercalé entre l'autre extrémité (31) de la deuxième ligne et une quatrième borne (CPLD) du coupleur.

公开(公告)号：FR3118356B1

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：FR2013664

申请日：2020-12-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  RENARD BENOIT ,  LAUNOIS ROMAIN

IPC: H02M7/02 ,  H02M7/162

Abstract: Convertisseur de tension La présente description concerne un convertisseur de tension comportant un circuit (401A) comprenant une association en parallèle, entre des premier (305) et deuxième (307) nœuds, d’une première branche comportant un premier élément (309) de redressement commandé présentant une première impédance et d’une deuxième branche comportant une résistance (303) associée en série avec un ou plusieurs deuxièmes éléments (403) de redressement présentant une deuxième impédance sensiblement égale à la première impédance. Figure pour l'abrégé : Fig. 4A

公开(公告)号：FR3093230B1

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：FR1902000

申请日：2019-02-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ORY OLIVIER

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/485 ,  H01L23/60

Abstract: Boîtier de puce électronique La présente description concerne un dispositif (100) comprenant un substrat semiconducteur (102), une couche électriquement conductrice (104) recouvrant le substrat (102), et une enveloppe isolante (110), la couche conductrice étant en contact avec l'enveloppe isolante (110) du côté opposé au substrat. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3077426B1

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：FR1850680

申请日：2018-01-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/058

公开(公告)号：FR3122769A1

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：FR2104856

申请日：2021-05-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  JOUVE DAVID ,  LANOIS FREDERIC

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861

Abstract: Dispositif de suppression de tensions transitoires unidirectionnel sans conduction en direct La présente description concerne un dispositif de suppression de tensions transitoires (10) comprenant un substrat semiconducteur monocristallin dopé d'un premier type de conductivité comprenant des première et deuxième faces opposées (14, 16), une région semiconductrice (18) dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité s'étendant dans le substrat depuis la première face, une première électrode conductrice électriquement (20) sur la première face en contact avec la première région et une deuxième électrode conductrice électriquement (22) sur la deuxième face en contact avec le substrat, une première interface entre le substrat et la région semiconductrice formant la jonction d'une diode TVS et une deuxième interface entre la première électrode conductrice électriquement et la première région ou entre le substrat et la deuxième électrode conductrice électriquement formant la jonction d'une diode Schottky. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3113792B1

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：FR2008791

申请日：2020-08-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： GAUTIER FREDERIC

IPC: H02M3/10 ,  H02M1/00

Abstract: Dispositif de commande d'une diode OFT La présente description concerne un dispositif (6) comprenant :une source de courant commandable (606) connectée entre un premier noeud (608) et une première borne (602) destinée à être reliée à une cathode (K) d'une diode commandable (10) ; une capacité (C1) connectée entre le premier noeud (608) et une deuxième borne (600) destinée à être reliée à une anode (A) de la diode commandable (10) ; un premier interrupteur (IT1) connecté entre le premier noeud (608) et une troisième borne (604) destinée à être reliée à une grille (G) de la diode commandable (10) ; un deuxième interrupteur (IT2) connecté entre les deuxième (600) et troisième (604) bornes ; etune première diode (D1) connectée entre la troisième borne (604) et la deuxième borne (600), une anode de la première diode (D1) étant de préférence reliée à la troisième borne (604). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3117663A1

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：FR2013214

申请日：2020-12-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01G4/40 ,  H01L21/82

Abstract: Procédé de fabrication d'un condensateur La présente description concerne un procédé de fabrication d'un condensateur, comprenant les étapes successives suivantes : a) former un empilement comportant, dans l'ordre à partir de la face supérieure d'un substrat (21), une première couche conductrice (13) en aluminium ou un alliage à base d'aluminium, une première électrode (15), une première couche diélectrique (17) et une deuxième électrode (19) ; b) graver, par gravure plasma chimique, une partie supérieure de l'empilement, ladite gravure plasma chimique étant interrompue avant la face supérieure de la première couche conductrice (13) ; et c) graver, par gravure plasma physique, une partie inférieure de l'empilement, ladite gravure plasma physique étant interrompue sur la face supérieure de la première couche conductrice (13). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3116675A1

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：FR2012211

申请日：2020-11-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  LAUNOIS ROMAIN

IPC: H02M1/34

Abstract: Convertisseur de tension La présente description concerne un convertisseur de tension (10) fournissant une tension de sortie (Vout) entre un premier (16) et un deuxième nœud (18), comprenant un condensateur (22) relié en série avec une résistance (24) entre les premier (16) et deuxième (18) nœuds, la résistance (24) étant reliée en parallèle avec un interrupteur bidirectionnel (28) recevant sur sa borne de commande une tension de polarisation positive référencée au deuxième nœud (18). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3106237B1

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：FR2000159

申请日：2020-01-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ARNAUD AURELIE ,  LEBRETTE SEVERINE

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L29/861

Abstract: Protection ESD La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier empilement (11), formant une diode Transil (TD), comportant un substrat (13) d'un premier type de conductivité dans lequel est située une première zone (15) d'un deuxième type de conductivité, la première zone (15) affleurant une face du substrat (13) ; un deuxième empilement (17), formant une diode (D), situé sur et en contact avec ladite face du substrat (13) et comportant une première couche (19) du deuxième type de conductivité dans laquelle est située une deuxième zone (21) du premier type de conductivité, la deuxième zone (21) affleurant, à l'opposé du premier empilement (17), la surface de la première couche (19) ; et un troisième empilement (23) comportant au moins une deuxième couche (25) en un matériau dopé en oxygène, sur et en contact avec le deuxième empilement (17). Figure pour l'abrégé : Fig. 1