公开(公告)号：KR100634400B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020040061228

申请日：2004-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형호 ,  홍창기 ,  최상준 ,  한동균

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  Y10S438/906

Abstract: 리세스 채널 영역을 갖는 반도체 기판의 세정 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판의 소정영역에 배치되어 활성영역들을 정의하는 소자분리막들을 형성하고, 상기 활성영역들의 소정영역을 식각하여 상기 소자분리막들의 측벽을 노출시키는 리세스 채널 영역을 형성한 후, 상기 리세스 채널 영역의 표면을 선택적으로 식각할 수 있는 소정의 희석 세정액을 사용하여 상기 리세스 채널 영역이 형성된 반도체기판을 세정하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 희석 세정액은 암모니아수, 과산화수소수 및 순수의 혼합액일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060045451A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050027799

申请日：2005-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효산 ,  고형호 ,  홍창기 ,  최상준

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C09K13/08 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 습식식각 조성물은 과초산(PAA) 및 불화산(fluorinated acid)을 포함하고, 실질적으로 CMOS 소자의 PMOS 트랜지스터를 위한 SiGe:Si의 식각속도와 동일한 CMOS 소자의 NMOS 트랜지스터를 위한 SiGe:Si의 식각속도를 확보하기에 충분한 상기 조성물에 있어서 상기 산화제의 상대적인 양을 포함한다. 상기 습식식각 조성물은 이후에 PAA계 식각액으로 불리우고 CMOS MBCFET를 제조하는 데 사용된다.
식각액, 습식식각, 과초산, 불화산

公开(公告)号：KR1020060016631A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：KR1020040065144

申请日：2004-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효산 ,  고형호 ,  홍창기 ,  한정남 ,  문창섭 ,  최상준

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/30604

Abstract: 반도체 장치의 세정 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판 상에 하부 구조체를 형성하고, 상기 하부 구조체가 형성된 결과물 상에 층간절연막을 형성하고, 상기 층간절연막을 패터닝하여 소정영역들에서 상기 하부 구조체의 상부면을 노출시키는 개구부들을 형성한 후, 상기 개구부들이 형성된 결과물을 세정하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 세정 단계는 암모니아 희석액 및 불소 함유 세정액 중의 적어도 한가지를 사용하는 제 1 세정 단계 및 불산을 사용하는 제 2 세정 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050109377A

公开(公告)日：2005-11-21

申请号：KR1020040034566

申请日：2004-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창섭 ,  고형호 ,  심우관 ,  홍창기 ,  최상준

IPC: C09K13/08

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L28/40

Abstract: 음이온성 계면활성제를 함유하는 산화막 제거용 식각액 및 그 제조 방법과 식각액을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 식각액은 HF, 순수, 및 음이온성 계면활성제로 이루어진다. 음이온성 계면활성제는 R
1 -OSO
3
- HA
+ , R
1 -CO
2
- HA
+ , R
1 -PO
4
2- (HA
+ )
2 , (R
1 )
2 -PO
4
- HA
+ , 또는 R
1 -SO
3
- HA
+ (식중, R
1 은 직쇄(straight chain) 또는 측쇄(side chain)를 가지는 C
4 ∼ C
22 의 탄화수소기이고, A는 암모니아 또는 아민)으로 표시되는 바와 같이 카운터 이온으로서 아민염을 가지는 화합물로 이루어진다. 본 발명에 따른 식각액은 질화막 또는 폴리실리콘막에 대하여 산화막의 높은 식각 선택비를 제공함으로써 STI 소자분리 공정 또는 커패시터 형성 공정과 같은 반도체 소자 제조 공정시 질화막 또는 폴리실리콘막이 산화막과 동시에 노출되어 있는 상태에서 산화막 만을 선택적으로 제거하는 데 유리하게 적용된다.

公开(公告)号：KR1020030005777A

公开(公告)日：2003-01-23

申请号：KR1020010041229

申请日：2001-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형호 ,  이근택 ,  박임수 ,  한용필 ,  하상록

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  B08B3/08 ,  C02F1/4618 ,  C02F2001/46161 ,  C02F2001/46195 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4617 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: PURPOSE: A semiconductor cleaning process using electrolytic ionized water and diluted HF solution is provided to prevent a damage of a low dielectric layer by processing electrolytic ionized water and HF and diluted HF solution, simultaneously. CONSTITUTION: An anode room(30), a cathode room(40), and an intermediate room(50) are divided by the first and the second ion exchange membranes(10,20). The first ion exchange membrane(10) is formed with a negative ion exchange membrane(10a) and a fluoric ion exchange membrane(10b). The second ion exchange membrane(20) is formed with a positive ion exchange membrane(20a) and a negative ion exchange membrane(20b). A plurality of pin holes are uniformly formed on the fluoric ion exchange membrane(10b) in order to shift dissociated negative ions of the intermediate room(50) to the anode room(30). The pin holes are uniformly formed on the negative ion exchange membrane(20b) in order to shift dissociated positive ions of the intermediate room(50) to the cathode room(40). An anode electrode(60) and a cathode electrode(70) are installed at the anode room(30) and the cathode room(40), respectively. Deionized water is provided to the anode room(30) and the cathode room(40) through the first and the second injection tubes(80,90). The electrolytic solution is provided to the intermediate room(50) through the third injection tube(100). The anode water of the anode room(30) is drained to the first cleaning device(150) through the first drain tube(120). The cathode water of the cathode room(40) is drained to the second cleaning device(160) through the second drain tube. An HF supply tube(200) is connected with the first and the second cleaning devices(150,160).

Abstract translation: 目的：提供使用电解电离水和稀释HF溶液的半导体清洁工艺，以同时处理电解电离水和HF和稀释的HF溶液来防止低介电层的损坏。 构成：阳极室（30），阴极室（40）和中间室（50）由第一和第二离子交换膜（10,20）分开。 第一离子交换膜（10）由负离子交换膜（10a）和氟离子交换膜（10b）形成。 第二离子交换膜（20）由正离子交换膜（20a）和负离子交换膜（20b）形成。 在氟离子交换膜（10b）上均匀地形成多个针孔，以将中间室（50）的离解的负离子移动到阳极室（30）。 针孔在负离子交换膜（20b）上均匀地形成，以便将中间室（50）的解离的正离子移动到阴极室（40）。 阳极电极（60）和阴极电极（70）分别安装在阳极室（30）和阴极室（40）。 去离子水通过第一和第二注入管（80,90）提供给阳极室（30）和阴极室（40）。 电解液通过第三注入管（100）提供给中间室（50）。 阳极室（30）的阳极水通过第一排水管（120）排入第一清洗装置（150）。 阴极室（40）的阴极水通过第二排水管排入第二清洗装置160。 HF供应管（200）与第一和第二清洁装置（150,160）连接。

公开(公告)号：KR1020020030410A

公开(公告)日：2002-04-25

申请号：KR1020000061026

申请日：2000-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이근택 ,  박임수 ,  고형호 ,  하상록

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: An apparatus for generating electrolyzed ionic water is to provide a cleaning process not affected by metal ions inherent in the electrolyzed ionic water, by installing a detector for detecting the density of metal ions and a controller for preventing the electrolyzed ionic water from being supplied to a cleaning apparatus when the density of the metal ions exceeds a predetermined quantity. CONSTITUTION: The apparatus for generating electrolyzed ionic water individually generates and exhausts reductive electrolyzed ionic water and oxidative electrolyzed ionic water. A withdrawing part(210) withdraws a part of the electrolyzed ionic water exhausted from the electrolyzed ionic water generating apparatus and sends the electrolyzed ionic water to the detector(216). The detector detects the density of the metal ions inherent in the electrolyzed ionic water withdrawn from the withdrawing part. The controller(220) stops generation of the electrolyzed ionic water or prevents the electrolyzed ionic water from being supplied to the cleaning apparatus(214), connected to the detector.

Abstract translation: 目的：一种用于产生电解离子水的设备是通过安装用于检测金属离子密度的检测器和用于防止电解离子水供应的控制器来提供不受电解离子水固有的金属离子影响的清洗过程 当金属离子的密度超过预定量时，到清洁装置。 构成：用于产生电解离子水的装置单独产生和排出还原电解离子水和氧化电解离子水。 取出部（210）从电解离子水生成装置排出的一部分电解离子水中取出并将电解离子水送到检测器（216）。 检测器检测从抽出部分抽出的电解离子水中固有的金属离子的密度。 控制器（220）停止生成电解离子水，或者防止电解离子水供给到与检测器连接的清洁装置（214）。

公开(公告)号：KR1020020019675A

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：KR1020000052661

申请日：2000-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박임수 ,  이근택 ,  권영민 ,  하상록 ,  심우관 ,  고형호

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C02F1/4618 ,  C02F2001/46161 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/46145 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  Y02E60/366

Abstract: PURPOSE: A wet etch process for fabricating a semiconductor using anode water including an oxide or cathode water including a reductant and anode water and cathode water used for the same are provided to produce anode water including an oxide and cathode water including a reductant by using the small amount of electrolyte. CONSTITUTION: An electrolytic device(1) has an anode room(30), a cathode room(40), and an intermediate room(50). The anode room(30), the cathode room(40), and the intermediate room(50) are separated by ion-exchange films(10,20). The ion-exchange film(10) is installed in the anode room(30). The ion-exchange film(10) is formed with a negative ion-exchange film(10a) and a fluoric positive ion-exchange film(10b). The ion-exchange film(20) is installed in the cathode room(40). The ion-exchange film(20) is formed with a positive ion-exchange film(20a) and a negative ion-exchange film(20b). Pin holes are formed uniformly on the fluoric positive ion-exchange film(10b) and the negative ion-exchange film(20b). An anode electrode(60) and a cathode electrode(70) are installed in the cathode room(40). Ionized water is supplied to the anode room(30) and the cathode room(40) through the first and the second injection tubes(80,90). An electrolyte is supplied to the intermediate room(50) through the third injection tube(100). Anode water including an oxide is supplied to the first wet process device(150). Cathode water including a reductant is supplied to the second wet process device(160).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的湿式蚀刻工艺，该方法使用包括还原剂和阳极水和阴极水的氧化物或阴极水的阳极水，该氧化物或阴极水用于生产含有氧化物和阴极水的阳极水，所述氧化物和阴极水通过使用还原剂 少量电解液。 构成：电解装置（1）具有阳极室（30），阴极室（40）和中间室（50）。 阳极室（30），阴极室（40）和中间室（50）由离子交换膜（10,20）分离。 离子交换膜（10）安装在阳极室（30）中。 离子交换膜（10）由负离子交换膜（10a）和氟正离子交换膜（10b）形成。 离子交换膜（20）安装在阴极室（40）中。 离子交换膜（20）由正离子交换膜（20a）和负离子交换膜（20b）形成。 针孔在氟正离子交换膜（10b）和负离子交换膜（20b）上均匀地形成。 阳极电极（60）和阴极电极（70）安装在阴极室（40）中。 离子水通过第一和第二注入管（80,90）供应到阳极室（30）和阴极室（40）。 通过第三注入管（100）向中间室（50）供给电解质。 将包含氧化物的阳极水供给到第一湿式处理装置（150）。 包含还原剂的阴极水被供应到第二湿法处理装置（160）。