Abstract:
기판, 상기 기판 위에 배치된 도핑된 탄소나노튜브의 네트워크를 구비한 제1 도전형 박막 층, 상기 제1 도전형 박막 층과 pn 접합을 이루는 제2 도전형 반도체 박막 층, 상기 제1 도전형 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제1 전극, 및 상기 제2 도전형 반도체 박막 층의 적어도 일부에 형성된 제2 전극을 포함하는 박막형 태양전지가 제공된다.
Abstract:
단일기판 광전지에 관한 기술이 개시된다. 일 실시 예에 있어서, 단일기판 광전지는 반도체 영역을 갖는 기판에 집적되는 복수의 단위 광전지 셀들을 포함한다. 상기 단위 광전지 셀은 상기 반도체 영역에 집적되는 제1 광다이오드 및 상기 반도체 영역에 집적되며, 상기 제1 광다이오드를 기준 영역과 전기적으로 절연하는 절연 다이오드를 포함한다. 상기 제1 광다이오드의 음극 및 상기 절연 다이오드의 음극은 제1 노드에서 전기적으로 연결되며, 외부 광에 의하여 상기 제1 광다이오드의 양극과 전기적으로 연결되는 제2 노드와 상기 제1 노드 사이에서 제1 전압이 생성된다.
Abstract:
나노구조물 가스센서는 기판, 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극, 복수의 나노구조물들 및 가스의 흡착에 따라 상기 복수의 나노구조물들의 전기적 특성을 변화시키는 금속산화물층을 포함한다. 상기 복수의 나노구조물들은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결한다.
Abstract:
PURPOSE: A hotwire chemical vapor deposition device and a thin film manufacturing method thereof are provided to improve the uniformity of a thin film by controlling electric field which is generated from the hotwire during a thin film deposition process. CONSTITUTION: A substrate is installed inside a chamber(110). A first bias voltage apply part(114) applies a first bias voltage to the substrate. A gas supply part supplies reaction gas to the chamber. A hotwire(130) emits heat which dissociates the reaction gas and is arranged within the chamber. A voltage apply part applies a second bias voltage to the hotwire. A control part controls a voltage which is supplied from the first bias voltage apply part and the second bias voltage apply part.
Abstract:
본 발명은 발광소자에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 이중 게이트로 조절되는 다이오드 구조를 이용한 발광소자에 관한 발명이다. 본 발명의 일측면은 P형 반도체; N형 반도체; 상기 P형 반도체 및 상기 N형 반도체 사이에 연결된 반도체 필름; 상기 반도체 필름의 위에 위치하여, 상기 반도체 필름에 전기장을 인가하기 위한 제1 전극; 및 상기 반도체 필름의 아래에 위치하여, 상기 반도체 필름에 추가적인 전기장을 인가하기 위한 제2 전극을 구비하는 발광 소자를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A nanostructure gas sensor with a metallic oxide layer, a nanostructure gas sensor array thereof, and a manufacturing method thereof are provided to easily control the size and thickness of a metallic oxide layer using a physical vapor deposition method. CONSTITUTION: A nanostructure gas sensor(300) with a metallic oxide layer comprises a substrate(110), first and second electrodes(120,130), multiple nanostructures(140), and a metallic oxide layer(150). The nanostructures are arranged on the substrate, and connect the first and second electrodes. The metallic oxide layer changes the electrical characteristics of the nanostructures.
Abstract:
A light emitting device using a double gate controlled diode structure is provided to perform an operation at a relatively low voltage and to reduce power consumption in comparison with a linear emission operation by performing a surface emission operation. A light emitting device includes a P-type semiconductor(10), an N-type semiconductor(20), a semiconductor layer(30), a first electrode(40), and a second electrode(50). A semiconductor film is connected between the P-type semiconductor and the N-type semiconductor. The first electrode is positioned on the semiconductor film. The first electrode is formed to apply electric field to the semiconductor film. The second electrode is positioned under the semiconductor film. The second electrode is formed to apply the additional electric field to the semiconductor film.