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公开(公告)号：KR1019980016629A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036296
申请日：1996-08-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/205
Abstract: 이 발명은 펄스신호로써 압전밸브를 제어하여 가스의 분사량을 제어하는 것에 관한 것으로 반도체소자의 금속 에칭공정 등과 같이 플라즈마를 이용하는 공정에 적용가능하다. 이 발명은, 종래의 플라즈마 에칭 공정에서는 고온 또는 고에너지 이온 방사가 필요했지만, 활성가스의 분사량을 제어할 수 있으며 낮은 공정온도에서도 반응실 내의 활성가스 분압을 낮추어 높은 에칭률과 높은 선택비를 얻을 수 있어, 종래의 유도결합 플라즈마 장치에 분사되는 활성가스의 분사량을 제어할 수 있는 가스변조분사 장치아디. 가스의 분사량을 정밀 제어할 수 있어 최적의 공정조건을 만들 수 있고, 반도체 공정에서 에칭이 끝난 후 잔류량의 제거를 위해 일정 시간 다시 에칭하는 오버 에칭 공정으로의 응용 또한 가능하다.
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公开(公告)号：KR101820238B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020160056764
申请日：2016-05-10
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/67017 , H01L2221/683
Abstract: 본발명은플라즈마처리장치를제공한다. 이플라즈마처리장치는제1 압력을가지는전자방출영역과상기제1 압력보다높은압력으로유지되고플라즈마가생성되고기판이배치되는처리영역을구비한진공용기; 상기전자방출영역에배치되고열전자를방출하는열전자방출수단; 접지되고상기열전자방출수단에서방출된전자를상기처리영역으로추출하는그리드전극; 상기진공용기의하부에배치되고상기처리영역에배치되고상기기판을장착하는기판홀더; 상기기판홀더에 RF 전력을인가하여플라즈마를발생시키는 RF 전원; 상기전자방출영역과연결되는제1 진공펌프; 및상기처리영역에연결되는제2 진공펌프를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130101492A
公开(公告)日：2013-09-13
申请号：KR1020130101827
申请日：2013-08-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32009 , H01J37/32559 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H05H1/24
Abstract: PURPOSE: A plasma generating apparatus and a substrate processing apparatus are provided to uniformly process a large area semiconductor substrate using plasma. CONSTITUTION: A plasma generating apparatus (100) comprises a circular plate type first electrode (112), a washer type second electrode (114), an insulation spacer (116), a first radio frequency (RF) power (122), and a second RF power (132). The first electrode receives the first RF power of a first frequency to form plasma. The second electrode is arranged around the first electrode and receives the second RF power of a second frequency. The insulation spacer is arranged between the first and second electrodes. The first RF power supplies power to the first electrode. The second RF power supplies power to the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供等离子体发生装置和基板处理装置，以均匀地处理使用等离子体的大面积半导体基板。 等离子体发生装置（100）包括圆板型第一电极（112），垫圈型第二电极（114），绝缘间隔物（116），第一射频（RF）电力（122）和 第二RF功率（132）。 第一电极接收第一频率的第一RF功率以形成等离子体。 第二电极布置在第一电极周围并且接收第二频率的第二RF功率。 绝缘间隔件布置在第一和第二电极之间。 第一RF电源向第一电极供电。 第二RF电源向第二电极供电。
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公开(公告)号：KR101297711B1
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020070013900
申请日：2007-02-09
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로서, 균일한 플라즈마를 발생시켜 대면적 기판에 대하여 균일한 처리가 가능한 플라즈마 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는, 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내부 하측에 배치되며, 다수개의 블럭으로 이루어진 하부 전극, 상기 진공 챔버 내부 상측에 배치되며, 접지되는 상부 전극, 상기 진공 챔버 내부에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부, 상기 하부 전극과 연결되어 소스 파워(source power)를 인가하는 소스 파워 공급부, 상기 하부 전극의 각 블럭과 개별적으로 연결되어 각 블럭에 독립적으로 바이어스 파워(bias power)를 인가하는 바이어스 파워 공급부, 상기 하부 전극의 각 블럭에 인가될 바이어스 파워를 계산하고 상기 바이어스 파워 공급부를 제어하는 제어부를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020130065678A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：KR1020130056191
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/34
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32559 , H01J37/32715 , H01J37/32825 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: An electrode structure for capacitive-coupled plasma and a substrate processing apparatus are provided to improve uniformity of capacitive-coupled plasma of a rectangular electrode. CONSTITUTION: An electrode structure (210) includes a rectangular electrode (211) and at least four trenches(212). The rectangular electrode faces a substrate holder, receives power in the center from an RF power supply through an impedance matching network and forms capacitive-coupled plasma within a vacuum vessel (120). The trenches face the substrate arranged on the substrate holder, symmetrically arranged based on the center of the rectangular electrode and penetrates the rectangular electrode.
Abstract translation: 目的：提供电容耦合等离子体的电极结构和衬底处理装置，以改善矩形电极的电容耦合等离子体的均匀性。 构成：电极结构（210）包括矩形电极（211）和至少四个沟槽（212）。 矩形电极面向衬底保持器，通过阻抗匹配网络从RF电源接收中心的电力，并在真空容器（120）内形成电容耦合等离子体。 沟槽面对布置在基板保持器上的基板，基于矩形电极的中心对称布置并且穿过矩形电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130052091A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110117325
申请日：2011-11-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32559 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: A capacitively coupled plasma generator and a substrate processing apparatus are provided to evenly process a large area semiconductor substrate. CONSTITUTION: A disk-shaped first electrode(112) is supplied with a first RF power of a first frequency in the center of one surface. A washer type second electrode(114) is supplied with a second RF power of a second frequency in multiple positions on one surface and is arranged around the first electrode. A washer type insulation spacer(116) is arranged between the first electrode and the second electrode. A first RF power source(122) supplies power to the first electrode. A second RF power source(132) supplies power to the second electrode. A controller(142) controls the power of the first RF power source or the power of the second RF power source.
Abstract translation: 目的：提供电容耦合等离子体发生器和基板处理装置，以均匀地处理大面积的半导体基板。 构成：盘形第一电极（112）在一个表面的中心被提供有第一频率的第一RF功率。 垫圈型第二电极（114）在一个表面上被提供有多个位置的第二频率的第二RF功率并且布置在第一电极周围。 在第一电极和第二电极之间布置有垫圈型绝缘间隔件（116）。 第一RF电源（122）向第一电极供电。 第二RF电源（132）向第二电极供电。 控制器（142）控制第一RF电源的功率或第二RF电源的功率。
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公开(公告)号：KR101264913B1
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：KR1020110031535
申请日：2011-04-06
Applicant: 한국과학기술원 , 주성엔지니어링(주)
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 본발명은플라즈마발생장치및 기판처리장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020130021437A
公开(公告)日：2013-03-05
申请号：KR1020130016155
申请日：2013-02-15
Applicant: 한국과학기술원 , 주성엔지니어링(주)
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/34 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: PURPOSE: A battery coupled plasma generation apparatus and a substrate processing apparatus are provided to offer the plasma generating apparatus and the substrate processing apparatus with a process uniformity and a process speed without forming a pattern of electrodes to the substrate. CONSTITUTION: A plasma generating device(100) comprises a vacuum container(102) including an upper plate, a gas distribution(130) which receives the process gas from the outside, distributes the process gas, and arrange in a lower part of the upper plate, an insulation support part(150) which is arranged in the lower part of the gas distribution and includes a plurality of nozzles by discharging the process gas received from the gas distribution to a discharge space, ground electrodes(120) which are arranged in the lower part of the insulation support part in a regular interval and is extended in a first direction, and power electrodes(110) which are arranged in the lower part of the insulation support part in a regular interval between the ground electrodes, and are extended in a first direction. [Reference numerals] (AA) First direction; (BB) Second direction; (CC) Third direction
Abstract translation: 目的：提供一种电池耦合等离子体产生装置和基板处理装置，以在等离子体产生装置和基板处理装置中具有工艺均匀性和处理速度，而不向基板形成电极图案。 构成：等离子体产生装置（100）包括一个真空容器（102），该真空容器包括一个上板，一个气体分布（130），从外面接收处理气体，分配处理气体，并排列在上部的下部 绝缘支撑部分（150），其布置在气体分布的下部，并且包括多个喷嘴，通过将从气体分配接收的处理气体排放到放电空间，接地电极（120），其布置在 绝缘支撑部分的下部以规则间隔延伸并沿第一方向延伸;以及功率电极（110），其在绝缘支撑部分的下部中以规则间隔布置在接地电极之间并且延伸 在第一个方向。 （附图标记）（AA）第一方向; （BB）第二方向; （CC）第三方向
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公开(公告)号：KR101197016B1
公开(公告)日：2012-11-06
申请号：KR1020100015105
申请日：2010-02-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 예비 전극 구조체, 측정 전극 구조체, 및 공정 전극 구조체를 제공한다. 상기 기판 처리 방법은 위치에 따라 다른 홀의 밀도를 가진 예비 전극 구조체를 이용하여 홀의 밀도에 따른 플라즈마 특성 및 공정 결과 중에서 적어도 하나를 확인하여 홀의 밀도를 선택하는 단계, 홀의 직경이 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계, 최적 공정 위치에 대응하는 측정 전극 구조체의 홀의 직경을 전사하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계, 및 공정 전극 구조체를 이용하여 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120119903A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：KR1020120115539
申请日：2012-10-17
Applicant: 한국과학기술원 , 주성엔지니어링(주)
Abstract: PURPOSE: A plasma generation apparatus and processing speed and a substrate processing apparatus are provided to reduce a standing wave effect in a longitudinal direction of a power electrode by supplying RF power to a plurality of spots of the power electrode. CONSTITUTION: A gas distribution part(130) includes a plurality of nozzles which discharges process gas Ground electrodes(120) are extended on a lower part of the gas distribution part in a first direction in parallel. Power electrodes(110) are extended between the ground electrodes in the first direction in parallel. A power supply part(240) supplies RF power to the power electrodes. The ground electrodes include a protrusion(122) extended to an upper center of the ground electrodes in the first direction The process gas is provided to both sides of the protrusion through the nozzles. [Reference numerals] (AA) First direction; (BB) Second direction; (CC) Third direction
Abstract translation: 目的：提供等离子体产生装置和处理速度以及基板处理装置，通过向电力电极的多个点提供RF功率来减小电力电极的纵向方向上的驻波效应。 构成：气体分配部（130）包括排出处理气体的多个喷嘴，接地电极（120）在第一方向并列地延伸在气体分配部的下部。 功率电极（110）在第一方向上在接地电极之间并行延伸。 电源部分（240）向功率电极提供RF功率。 接地电极包括在第一方向上延伸到接地电极的上中心的突起（122）。处理气体通过喷嘴设置在突起的两侧。 （附图标记）（AA）第一方向; （BB）第二方向; （CC）第三方向
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