公开(公告)号：KR101668367B1

公开(公告)日：2016-10-31

申请号：KR1020140192288

申请日：2014-12-29

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  한국과학기술원

Inventor： 강기석 ,  황인상 ,  정연식 ,  유정근 ,  전재범 ,  전기웅

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/058

CPC classification number: H01M10/0565 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M2300/0068 ,  H01M2300/0071 ,  H01M2300/0082 ,  H01M2300/0094

Abstract: 본발명은안정성및 출력특성이향상된전고체이온전지를위하여, 파우더형태의고체전해질, 파우더형태의전극활물질, 상기고체전해질의적어도일부분에코팅되며, 이온을전달할수 있는, 제 1 전도성고분자코팅막및 상기전극활물질의적어도일부분에코팅되며, 이온과전자를전달할수 있는, 제 2 전도성고분자코팅막을포함하는, 전고체이온전지를제공한다.

公开(公告)号：KR1020160031386A

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：KR1020150018185

申请日：2015-02-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정연식 ,  박운익 ,  김종민 ,  정재원 ,  유정근

IPC: G03F7/00 ,  C08J3/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  C08J3/00

Abstract: 제 1 이종(di) 블록공중합체와제 2 이종(di) 블록공중합체를혼합하여기판에도포하는단계; 및상기혼합된제 1 이종(di) 블록공중합체와제 2 이종(di) 블록공중합체에제 1 용매및 제 2 용매가혼합된혼합용매로용매어닐링하는단계;를포함하며, 상기제 1 용매에의하여상기제 1 이종(di) 블록공중합체의구성중합체블록이팽창하며, 이로써구성중합체블록에의하여정의되는육각판상구조가형성되는것을특징으로하는, 블록공중합체패터닝방법이제공된다.

Abstract translation: 提供嵌段共聚物图案化方法，其包括以下步骤：将第一二嵌段共聚物和第二二嵌段共聚物混合，然后将混合物铺展在基材上; 并用与第一溶剂和第二溶剂混合的混合溶剂对第一和第二二嵌段共聚物的混合物进行溶剂退火。 第一二嵌段共聚物的构成聚合物嵌段由第一溶剂膨胀，形成由构成聚合物嵌段描述的六角形板状结构。

公开(公告)号：KR1020160031385A

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：KR1020150018178

申请日：2015-02-05

Applicant: 한국과학기술원 ,  재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단

Inventor： 정연식 ,  김광호 ,  박운익 ,  김종민

IPC: H01L27/115 ,  C09J153/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L27/11507 ,  C09J153/005 ,  H01L21/0332

Abstract: 혼합블록공중합체를이용한상변화메모리소자제조방법로서, 기판상에하부전극-발열층-상변화층을순차적으로적층하는단계; 실린더중심에점이형성된블록공중합체주형을, 상기상변화층상에형성하는단계; 상기홀과점 사이의영역에의하여정의되는상부전극링을제조하는단계; 상기상부전극링이형성된영역을제외한영역에서상기하부전극-발열층-상변화층을에칭하는단계를포함하는것을특징으로하는, 혼합블록공중합체를이용한상변화메모리소자제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用混合嵌段共聚物制造相变随机存取存储器的方法，包括以下步骤：在基板上依次层叠下电极，发热层和相变层; 形成在相变层上的圆筒的中心具有点的嵌段共聚物模具; 制造由孔和斑点之间的区域限定的上电极环; 并且在除了形成上电极环的区域之外的区域中蚀刻下电极，发热层和相变层。

公开(公告)号：KR1020150125291A

公开(公告)日：2015-11-09

申请号：KR1020140052377

申请日：2014-04-30

Applicant: 현대자동차주식회사 ,  기아자동차주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 심진용 ,  김상영 ,  박성준 ,  정연식 ,  심동민 ,  백광민 ,  최민재

IPC: G02B1/11 ,  C03C17/30

CPC classification number: G02B1/11 ,  B05D5/06 ,  C03C17/30 ,  C09D1/00 ,  C09D5/00

Abstract: 본발명은기판을준비하는단계; 및상기기판에서로다른 2 이상의블록공중합체를차례로코팅및 산화시키는단계를포함하고, 상기코팅및 산화된블록공중합체의굴절률은먼저코팅및 산화된것이나중에코팅및 산화된것보다크고, 상기블록공중합체는서로다른 2 이상의블록을포함하며, 상기블록중 어느하나는실리콘을포함하는기판제조방법및 기판을제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板及其制造方法，包括：准备基板的步骤; 依次在基材上涂布和氧化两种或更多种不同的嵌段共聚物的步骤，其中预先涂覆和氧化的嵌段共聚物具有比后来涂覆和氧化的嵌段共聚物更高的经涂覆和氧化的嵌段共聚物的折射率 ，并且嵌段共聚物包含两个或更多个不同的嵌段，并且嵌段中的一个嵌段含有硅。

公开(公告)号：KR1020130039555A

公开(公告)日：2013-04-22

申请号：KR1020110104191

申请日：2011-10-12

Applicant: 한국과학기술원 ,  주식회사 케이씨씨

Inventor： 정연식 ,  유정근 ,  이호준 ,  공병선

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01M10/052 ,  H01M4/38

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a silicon nanostructure is provided to obtain nanostructures with desired size by using a self-assembly method and magnesium reduction method. CONSTITUTION: A manufacturing method of a silicon nanostructure comprises a step of self-assembling the silicon-containing block copolymers; a step of manufacturing a block copolymer pattern oxidized by silica; and a step of reducing silica with the block copolymer pattern and obtaining a silicon nanostructure with a pattern corresponding to the self-assembled block copolymer pattern. The reduction is conducted by contact of magnesium gas and the silica. [Reference numerals] (AA) Self-assembling silicon-containing block copolymers; (BB) Oxidizing silicon -> silica; (CC) Reducing silica into silicon; (DD) Manufacturing a silicon nanostructure;

Abstract translation: 目的：提供硅纳米结构的制造方法，通过使用自组装方法和镁还原法获得具有所需尺寸的纳米结构。 构成：硅纳米结构的制造方法包括自组装含硅嵌段共聚物的步骤; 制造由二氧化硅氧化的嵌段共聚物图案的步骤; 以及使用嵌段共聚物图案还原二氧化硅并获得具有对应于自组装嵌段共聚物图案的图案的硅纳米结构的步骤。 还原通过镁气与二氧化硅的接触进行。 （AA）自组装含硅嵌段共聚物; （BB）氧化硅 - >二氧化硅; （CC）将二氧化硅还原成硅; （DD）制造硅纳米结构;

公开(公告)号：KR102230432B1

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020180140617

申请日：2018-11-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정연식 ,  한유진 ,  한혁진

IPC: C04B35/583 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634

Abstract: 본발명은자외선경화성고분자수지와육방정질화붕소를복합하여열전도도가우수한방열복합소재를제작하는방법에관한것으로, 육방정질화붕소(hexagonal Boron Nitride)의벌크 BN(Boron Nitride; 질화붕소) 입자를고에너지볼밀링(high energy ball milling)하여판상형태의판상 BN 입자로박리하는단계, 상기판상 BN 입자를진공필터링하여횡방향으로적층시키는단계및 상기적층된판상 BN 입자의사이로자외선경화성수지를침투및 경화시켜방열복합소재를제조하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102111122B1

公开(公告)日：2020-06-08

申请号：KR1020180123266

申请日：2018-10-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정연식 ,  임훈희 ,  최민재 ,  임순민 ,  김건영 ,  남태원

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

公开(公告)号：KR101996493B1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：KR1020120108745

申请日：2012-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 김미정 ,  정연식 ,  정재원 ,  박운익

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

公开(公告)号：KR101987622B1

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：KR1020170118430

申请日：2017-09-15

Applicant: 한국세라믹기술원 ,  한국과학기술원

Inventor： 박운익 ,  조정호 ,  백종후 ,  정영훈 ,  윤지선 ,  김창일 ,  최영중 ,  박태완 ,  정연식 ,  한혁진 ,  임순민 ,  한유진

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/66

公开(公告)号：KR1020160150282A

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：KR1020160172759

申请日：2016-12-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이건재 ,  유병국 ,  문범호 ,  황건태 ,  정재원 ,  최재석 ,  정연식

IPC: H01L45/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  B82Y10/00 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 절연나노입자를이용한상변화메모리소자, 플렉서블상변화메모리소자및 그제조방법이제공된다. 본발명에따른절연나노입자를이용한상변화메모리소자는전극및 상기전극과접촉하며, 상기전극으로부터발생한열에따라상변화가발생하는상변화층을포함하는상변화메모리소자에있어서, 상기전극과결정화및 비정질화가일어나는상변화층사이에는자기조립블록공중합체로부터형성된절연나노입자가구비되는것을특징으로한다.